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IGCT門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路的原理分析
在目前的中電壓大功率應(yīng)用領(lǐng)域，占主導(dǎo)地位的功率半導(dǎo)體器件有晶閘管、GTO和IGBT等，這些傳統(tǒng)的功率器件在實(shí)用方面都存在一些缺陷。ABB半導(dǎo)體公司率先提出了一種新型功率半導(dǎo)體器件—IGCT。它的關(guān)鍵思想是將改進(jìn)結(jié)構(gòu)的GTO與反并聯(lián)二極管和門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路集成在一起，再與其門(mén)極驅(qū)動(dòng)器在外圍以低電感方...
2008-10-14
IGCT 門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路 硬驅(qū)動(dòng)
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我國(guó)將采取多項(xiàng)措施推進(jìn)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化
國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)副主任張曉強(qiáng)12日說(shuō)，為促進(jìn)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化，中國(guó)今后將進(jìn)一步優(yōu)化高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化的環(huán)境，進(jìn)一步發(fā)揮政府的引導(dǎo)和推動(dòng)作用、突出企業(yè)的主體地位，積極支持創(chuàng)新型企業(yè)實(shí)施高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化重大項(xiàng)目。
2008-10-13
高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化
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全彩顯示屏專(zhuān)用LED的選擇
本文主要闡述了全彩顯示屏專(zhuān)用LED的選擇以及其的使用。
2008-10-11
全彩 顯示屏 LED 選擇 使用
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解決拖影現(xiàn)象是LCD技術(shù)發(fā)展的持續(xù)目標(biāo)
本文先闡述液晶的拖影現(xiàn)象，接著敘述廠商改善拖影現(xiàn)象四大方面去著手，分別是無(wú)限制提升畫(huà)面響應(yīng)時(shí)間、改善背光控制手段、倍頻刷新與畫(huà)面插黑技術(shù)、高色域技術(shù)。
2008-10-11
液晶屏幕 拖影 響應(yīng)時(shí)間 高色域
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電磁兼容與噪聲
本文先分析了電磁兼容性，接著詳細(xì)討論輻射機(jī)理，再引用實(shí)例分析屏蔽電磁輻射。
2008-10-11
電磁兼容 輻射 屏蔽
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韓國(guó)技術(shù)團(tuán)隊(duì)訪問(wèn)南方芯源
韓國(guó)楓葉半導(dǎo)體拜訪南方芯源總經(jīng)理羅義先生，此次來(lái)訪是希望與南方芯源合作，共同開(kāi)拓中國(guó)MOSFET市場(chǎng)。
2008-10-10
MOSFET 楓葉半導(dǎo)體 南方芯源
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提高DC/DC轉(zhuǎn)換器EMC性能的新策略
為了提高DC/DC轉(zhuǎn)換器的電磁兼容性，基于混沌現(xiàn)象的寬頻譜特性提出了一種新的DC/DC轉(zhuǎn)換器控制策略。首先推導(dǎo)了能夠產(chǎn)生可控幅度混沌序列的Logistic映射形式，然后利用混沌序列對(duì)電流滯環(huán)控制策略的電流參考值進(jìn)行擾動(dòng)。從而擴(kuò)展了電感電流的功率譜，降低了在開(kāi)關(guān)頻率及其諧波頻率上發(fā)射的電磁干擾。...
2008-10-09
DC/DC轉(zhuǎn)換器 電力電子 混沌 電磁兼容
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理解精密比較器特殊的工作特性
本文重點(diǎn)介紹了精密比較器(比如LMP7300)如何能利用外部反饋電阻產(chǎn)生滯后效應(yīng)，來(lái)克服現(xiàn)有比較器中常見(jiàn)的門(mén)限和滯后交互問(wèn)題。
2008-10-08
比較器 門(mén)限 滯后 精密
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未來(lái)5年壓電器件市場(chǎng)平均年增7.5%
市場(chǎng)調(diào)研公司Innovative Research and Products(iRap)最近發(fā)表的研究報(bào)告預(yù)測(cè)，2012年全球壓電器件市場(chǎng)將從去年的48億美元上升到69.1億美元，平均每年增長(zhǎng)7.5%。
2008-10-07
壓電器件 石英器件 晶體單元 共振器 濾波器
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