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EMC射頻設(shè)計(jì)要著重屏蔽和濾波
一般的EMC設(shè)計(jì)指南中都很少涉及射頻設(shè)計(jì),這是因?yàn)樯漕l設(shè)計(jì)者一般都很熟悉大多數(shù)連續(xù)的EMC現(xiàn)象,然而需要注意的是,本振和IF頻率一般都有較大的泄漏 ,所以需要著重屏蔽和濾波。
2013-01-06
EMC 射頻設(shè)計(jì) 濾波
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單線線并聯(lián)方案可以更好的提升功率水平
新的單線線并聯(lián)方案可以提升功率水平,零電流開關(guān)的DC-DC轉(zhuǎn)換器利用獨(dú)創(chuàng)的負(fù)載均分方法,克服了傳統(tǒng)方案的缺點(diǎn)。這種架構(gòu)容許設(shè)計(jì)師利用AC耦合單線并聯(lián)提供更多功能。
2013-01-06
轉(zhuǎn)換器 并聯(lián) 功率水平
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開關(guān)電源中元器件的選擇
開關(guān)電源屬有穩(wěn)壓功能的AC/DC或DC/DC變換器,其中間環(huán)節(jié)仍然要通過脈沖狀態(tài)作為轉(zhuǎn)換媒介,元器件的選擇十分復(fù)雜化。
2013-01-05
開關(guān)電源 感應(yīng)電壓 充電電流
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開關(guān)電源運(yùn)用設(shè)計(jì)方案
DC/DC在接口電路與放大器的電路設(shè)計(jì)方案。實(shí)際使用中常會(huì)碰到一些技術(shù)性問題,如干擾、電壓穩(wěn)定性差、可靠性差等等。
2013-01-05
開關(guān)電源 運(yùn)用 設(shè)計(jì)
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從過流、過壓、過熱三方面講述IGBT保護(hù)電路如何設(shè)計(jì)
本文從過流保護(hù)、過壓保護(hù)與過熱保護(hù)三個(gè)方面,論述了IGBT的相關(guān)問題,并從實(shí)際應(yīng)用中總結(jié)出各種保護(hù)方法,這些方法實(shí)用性強(qiáng),保護(hù)效果好,是IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)必備知識(shí)。
2013-01-05
IGBT 保護(hù)電路 過流保護(hù)
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鋰電池保護(hù)電路如何設(shè)計(jì)?
隨著便攜式設(shè)備不斷小型化、輕量化和高性能化的日益提高,作為其電源的二次電池市場(chǎng)正迅速拓寬,而鋰離子電池的眾多優(yōu)點(diǎn)使其成為了二次電池的主流產(chǎn)品。
2013-01-05
鋰電池 保護(hù)電路 電路設(shè)計(jì)
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PCB工程師必看
在PCB設(shè)計(jì)中如何最大限度地實(shí)現(xiàn)電路的性能指標(biāo),以達(dá)到電磁兼容要求。
2013-01-05
PCB 設(shè)計(jì) 電磁兼容
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MEMS設(shè)計(jì)的高度復(fù)雜性的體現(xiàn)
針對(duì)困擾MEMS發(fā)展的制約因素,人們一直在尋求相應(yīng)的解決辦法。國(guó)外的研究結(jié)果顯示,MEMS的加工能力強(qiáng)于其設(shè)計(jì)能力。因此,提高M(jìn)EMS的設(shè)計(jì)能力就更為迫切。
2013-01-05
MEMS 器件 微機(jī)電
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適用于用于電信系統(tǒng)和POE網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用程序的MOSFET
AON7280的80V和100V AON7290提供超低RDS的27%和10%,比主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,分別構(gòu)建。的低導(dǎo)通電阻減小導(dǎo)通損耗,并允許器件工作在較低的溫度下。
2013-01-05
MOSFET 電信系統(tǒng) 網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用
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