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紅外熱成像儀對放大器的芯片結(jié)溫的仿真測試
隨著 GaN 功率放大器向小型化、大功率發(fā)展，其熱耗不斷增加，散熱問題已成為制約功率器件性能提升的重要因素。金剛石熱導(dǎo)率高達(dá) 2000 Ｗ/(m?K)，是一種極具競爭力的新型散熱材料，可用作大功率器件的封裝載片。
2022-10-08
紅外熱成像儀 放大器 芯片結(jié)溫
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走向特定領(lǐng)域的EDA
似乎越來越多的公司正在創(chuàng)建自定義 EDA 工具，但尚不清楚這一趨勢是否正在加速以及它對主流EDA行業(yè)意味著什么。
2022-09-30
EDA 芯片
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【干貨】強大的4開關(guān)升降壓BOB電源，可升可降、能大能小
基于電感器的開關(guān)架構(gòu)電源有3中常見的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，分別是BUCK降壓電源、BOOST升壓電源以及BUCK-BOOST負(fù)壓電源，今天介紹的第4中拓?fù)洹?開關(guān)BOB電源，在手機、汽車、嵌入式等領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用，它的基本工作原理是怎樣的呢？有什么優(yōu)勢呢？
2022-09-27
BOB電源 升壓電源 負(fù)壓電源
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最新的1200V CoolSiC MOSFET中的.XT技術(shù)如何提高器件性能和壽命
由于碳化硅（SiC）器件的低導(dǎo)通損耗和低動態(tài)損耗，英飛凌CoolSiC? MOSFET越來越多地被用于光伏、快速電動車充電基礎(chǔ)設(shè)施、儲能系統(tǒng)和電機驅(qū)動等工業(yè)應(yīng)用。但與此同時，工程師也面臨著獨特的設(shè)計挑戰(zhàn)。實現(xiàn)更小的外形尺寸，同時保持功率變換系統(tǒng)的散熱性能，是相互矛盾的挑戰(zhàn)，但英飛凌創(chuàng)新的.XT技術(shù)...
2022-09-27
CoolSiC MOSFET .XT技術(shù)
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采用MEMS技術(shù)制備的全硅法珀傳感器
近年來，微機電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)的發(fā)展，為光纖傳感領(lǐng)域注入新活力，將其與光纖結(jié)合為高靈敏度壓力測量提供可能。光纖MEMS法珀傳感器具有高一致性、可大批量生產(chǎn)、性能優(yōu)易穩(wěn)定等特點。
2022-09-26
MEMS技術(shù) 全硅法珀傳感器
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如果把開關(guān)電源的頻率無限提升..........
估計很多新手工程師在設(shè)計開關(guān)電源計算變壓器時發(fā)現(xiàn)，把電源的開關(guān)頻率提高后變壓器磁芯更加不容易飽和，或者說可以用更小的磁性做出同樣功率的電源，甚至在想把開關(guān)頻率無限制提高來無限制縮小變壓器的體積。
2022-09-26
開關(guān)電源 頻率
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采用IGBT7的1700V Econo DUAL 3模塊性能解析
半導(dǎo)體市場不斷推動IGBT技術(shù)實現(xiàn)更高功率密度、魯棒性和性能水平。對于新一代IGBT而言，始終需要能夠輕松融入設(shè)計并在不同應(yīng)用中表現(xiàn)良好的產(chǎn)品。IGBT應(yīng)能助力打造出擁有優(yōu)化系統(tǒng)成本的可擴(kuò)展逆變器產(chǎn)品組合。本文通過仿真和應(yīng)用測試，對英飛凌全新TRENCHSTOP? 1700V IGBT7技術(shù)以及對應(yīng)的同類最佳90...
2022-09-21
IGBT7 模塊 性能
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TO-247封裝碳化硅MOSFET中引入輔助源極管腳的必要性
功率開關(guān)器件（如MOSFET, IGBT）廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)、醫(yī)療、交通、消費等行業(yè)的電力電子設(shè)備中，直接影響著這些電力電子設(shè)備的成本和效率。因此，實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗和更低的導(dǎo)通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求。
2022-09-15
TO-247封裝 MOSFET 源極管腳
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ABB采用IGBT7的新一代高功率密度變頻器ACS180系列
變頻器是各行業(yè)中至關(guān)重要的節(jié)能設(shè)備，ABB傳動一直致力于用先進(jìn)的產(chǎn)品和技術(shù)，創(chuàng)新的解決方案為客戶創(chuàng)造價值，提高生產(chǎn)效能水平，助力變頻器產(chǎn)業(yè)升級。
2022-09-14
ABB IGBT7 變頻器
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