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哈姆林元器件曾跟隨人類進(jìn)行首次月球之旅
第76屆中國（上海）電子展上哈姆林公司將重點(diǎn)展示的產(chǎn)品有：干簧管、干簧傳感、接近開關(guān)，其中的簧管霍爾傳感器，哈姆林公司擁有核心技術(shù)；作為全球化企業(yè)， 哈姆林公司在汽車行業(yè)同樣具有悠久的歷史。
2010-11-03
第76屆中國電子展 哈姆林元器件 傳感器
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彩色液晶普及，串口液晶概念獲得認(rèn)可
隨著彩色液晶被大量的應(yīng)用到生活，生產(chǎn)的各種設(shè)備/儀器，越來越多的廠家將未來的產(chǎn)品升級鎖定在彩色的顯示屏上。面對市場上形形色色的彩色顯示屏，顯示驅(qū)動方案，什么樣的產(chǎn)品的才適合我們使用呢？記者采訪了北京迪文科技有限公司的產(chǎn)品經(jīng)理張本信。
2010-11-03
76屆中國電子展 顯示屏 顯示驅(qū)動 串口
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倡導(dǎo)新興電子技術(shù) 促進(jìn)產(chǎn)業(yè)升級——第76屆中國電子展隆重開幕
現(xiàn)階段，整個(gè)電子元件行業(yè)都在密切關(guān)注一些新興應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)和市場發(fā)展情況，如新能源、物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車、新型視像設(shè)備、智能交通系統(tǒng)、新型照明設(shè)備等。隨著這些新興應(yīng)用領(lǐng)域技術(shù)的逐漸成熟和市場的普及，將成為電子元件行業(yè)未來發(fā)展的主要推動力，這一點(diǎn)在上海新國際博覽中心召開的第76屆中...
2010-11-03
第76屆中國電子展 電子元器件 精密化 小型化
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全球光伏高增長
賽迪顧問近期發(fā)布的調(diào)查顯示，全球光伏市場繼續(xù)保持高速增長態(tài)勢，2009年全球新增光伏裝機(jī)容量接近5800MW，增速為46.6%，市場繼續(xù)保持高速增長態(tài)勢。其中，近幾年，由于上游硅料供應(yīng)持續(xù)吃緊，晶硅太陽能電池生產(chǎn)成本壓力進(jìn)一步增大，而薄膜太陽能電池(包括α-Si、μc-Si、CdTe、CIGS等技術(shù))通過電池...
2010-11-03
光伏產(chǎn)業(yè) 太陽能電池 裝機(jī)容量 低成本 低制造能耗
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電子元器件 后景氣時(shí)代看重業(yè)績確定性
據(jù)工信部網(wǎng)站數(shù)據(jù)顯示，電子元器件業(yè)保持較高利潤增幅，但增勢有所放緩。前三季度，通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)及其他電子設(shè)備制造業(yè)累計(jì)實(shí)現(xiàn)利潤同比增長86.1%，步入后景氣時(shí)代后，投資者對電子元器件行業(yè)的投資發(fā)生轉(zhuǎn)變，尤其是業(yè)績增長確定性成為四季度投資的關(guān)鍵。
2010-11-03
電子元器件 利潤環(huán)比 電子行業(yè) 后景氣時(shí)代
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分析：稀土配額對全球電子產(chǎn)業(yè)的影響
稀土最近因?yàn)橹袊冀档拖掳肽甓鹊南⊥敛牧铣隹谂漕~，而成為延燒國際的問題。市場很快對以上情況做出反應(yīng)，已經(jīng)漲價(jià)的稀土材料價(jià)格又往上攀高，制造業(yè)者也基于策略考慮開始囤貨，分析師因此對稀土材料價(jià)格的更進(jìn)一步上漲發(fā)出警告。
2010-11-03
稀土 電子產(chǎn)業(yè) 影響
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我國電子元器件價(jià)格指數(shù)走勢
電子元器件產(chǎn)業(yè)在我國的電子信息產(chǎn)業(yè)中占有重要的地位，支撐著我國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展；同時(shí)，電子元器件對外貿(mào)易快速增長，拉動我國對外貿(mào)易的發(fā)展。在華強(qiáng)北電子市場中，電子元器件的市場銷售額占整個(gè)華強(qiáng)北電子市場的銷售額近六成，因此它的走勢對綜合指數(shù)的走勢起到了決定性作用。
2010-11-02
電子元器件 電容器 電感器 淡季不淡
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H2Ti12O25：日本產(chǎn)綜研開發(fā)出新型氧化物負(fù)極材料用于鋰離子充電電池
日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（產(chǎn)綜研）開發(fā)出了鋰離子充電電池用新型氧化物負(fù)極材料。據(jù)產(chǎn)綜研介紹，這一成果有助于實(shí)現(xiàn)鋰離子充電電池的高容量化、低成本化以及長壽命化。此次還同時(shí)開發(fā)出了可在200～300℃相對較低的溫度下進(jìn)行合成的方法。
2010-11-02
H2Ti12O25 鋰離子充電電池 新型氧化物負(fù)極材料
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飛兆開發(fā)出頂部冷卻的Dual Cool封裝用于MOSFET器件
為了滿足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飛兆半導(dǎo)體公司 (FaIRchild SemicONductor) 開發(fā)出用于MOSFET 器件的Dual Cool封裝，Dual Cool封裝是采用嶄新封裝技術(shù)的頂部冷卻PQFN器件，可以通過封裝的頂部實(shí)現(xiàn)額外的功率耗散。
2010-11-01
Dual Cool封裝 MOSFET器件 PQFN器件 飛兆半導(dǎo)體
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