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西部PCB市場(chǎng)前景廣闊
電子展器件訪成都天好電子有限公司
2009-08-28
西部電子論壇 XCEF
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CEF引領(lǐng)制造業(yè)西進(jìn)
素有中國(guó)電子行業(yè)第一大展的中國(guó)電子展（CEF)近日登陸西部的重鎮(zhèn)——成都。首次在成都世紀(jì)城新國(guó)際會(huì)展中心本次的會(huì)展規(guī)模達(dá)到11000平方米，有近500間的展位，比去年同期中國(guó)（西安）電子展展覽規(guī)模增長(zhǎng)60%以上。吸引了來(lái)自長(zhǎng)三角，珠三角和眾多的跨國(guó)公司前來(lái)參展。
2009-08-28
西部電子論壇 XCEF
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飛兆半導(dǎo)體推出新一代超級(jí)結(jié)MOSFET-SupreMOS
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)為電源、照明、顯示和工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)SupreMOS?新一代600V超級(jí)結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品。
2009-08-28
MOSFET 飛兆 電源 照明 顯示 工業(yè)
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SiE876DF：Vishay導(dǎo)通電阻最低的60V TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay宣布推出采用雙面冷卻、導(dǎo)通電阻最低的60V器件 --- SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK封裝，在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻為6.1Ω，比市場(chǎng)上可供比較的最接近器件減小了13%。
2009-08-26
SiE876DF MOSFET Vishay
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DFN系列：Vishay精密薄膜表面貼裝電阻網(wǎng)絡(luò)和分壓電阻
日前，Vishay宣布，推出業(yè)界首款精密薄膜表面貼裝電阻網(wǎng)絡(luò)和分壓電阻 --- DFN系列。器件采用引腳間距為0.65mm、厚度為1mm的4mm x 4mm雙平面無(wú)鉛封裝。與傳統(tǒng)的5mm x 6mm SOIC 8引線封裝相比，DFN系列的新封裝可節(jié)省53%的印制電路板空間。
2009-08-25
軍工 測(cè)試 Vishay DFN 電阻網(wǎng)絡(luò) 分壓電阻
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變頻器應(yīng)用技術(shù)三題
隨著變頻器的大規(guī)模工程應(yīng)用，有各個(gè)技術(shù)等級(jí)和其它相關(guān)技術(shù)層面的大量工程人員需要掌握變頻器應(yīng)用技術(shù)。本文基于臺(tái)達(dá)品牌KG系列變頻器，針對(duì)3個(gè)變頻器應(yīng)用問(wèn)題給出原理性的分析設(shè)計(jì)技術(shù)。技術(shù)原理實(shí)際上也適用其它變頻器工程應(yīng)用條件。
2009-08-24
變頻器 抗干擾 輸入輸出保護(hù) 磁環(huán)濾波器
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信息安全論壇首進(jìn)成都 凸顯西部軍備電子地位
軍事電子裝備與系統(tǒng)研發(fā)生產(chǎn)居全國(guó)第一。擁有國(guó)家信息安全基地，信息安全產(chǎn)業(yè)居全國(guó)領(lǐng)先水平。電子信息產(chǎn)業(yè)布局相對(duì)集中，集聚優(yōu)勢(shì)正在形成。四川形成了以成都和綿陽(yáng)兩點(diǎn)為支撐，沿成（都）、綿（陽(yáng)）、廣（元）一線布局的電子信息產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)
2009-08-24
信息安全論壇 西部電子論壇 成都 cef XCEF
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電子峰會(huì)：掌控綠色技術(shù)的關(guān)鍵詞——節(jié)能、可靠、環(huán)保
高科技產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)——美國(guó)硅谷2008年吸引的“綠色”技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)投資比上年猛增94％，達(dá)到19億美元。這讓我們看到在全球變暖、能源短缺、經(jīng)濟(jì)危機(jī)的形勢(shì)下，“綠色”技術(shù)將可能成為在當(dāng)前經(jīng)濟(jì)形勢(shì)下為企業(yè)盈利的突破口。
2009-08-24
CEF 西部電子論壇 成都 XCEF
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三大研討會(huì)解讀儀控和電子制造業(yè)領(lǐng)先技術(shù)趨勢(shì)
與“2009中國(guó)（成都）電子展”（CEF西部展）同期拉開(kāi)序幕的三大研討會(huì)——“第十二屆國(guó)際電子測(cè)試與測(cè)量專業(yè)研討會(huì)”、“第二屆工業(yè)電子論壇”、“中國(guó)SMT國(guó)際論壇”（西部地區(qū)SMT與電子制造學(xué)術(shù)研討會(huì)）將在8月27號(hào)于成都隆重召開(kāi)
2009-08-24
西部電子論壇 成都 三大會(huì)議 XCEF
- 如何解決在開(kāi)關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
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