【導(dǎo)讀】無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)設(shè)計(jì)很復(fù)雜。在大量的MOSFET、IGBT和門極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品組合中開(kāi)始選擇電子器件(舊的起點(diǎn)) 是茫然無(wú)助的。

安森美(onsemi)提供幫助，帶來(lái)一個(gè) "新的一階近似值起點(diǎn)"，提供與開(kāi)關(guān)（N-FET或IGBT）相匹配的門極驅(qū)動(dòng)，更接近客戶的最終決定，并跨越了 "舊的起點(diǎn)"——看似無(wú)止境的產(chǎn)品系列。這包括5個(gè)全面的表格，包含的電機(jī)電壓有：12 V、24 V、48 V、60 V、120 V、200 V、300 V、400 V和650 V，最高可達(dá)6 kW。

圖1

無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)

無(wú)刷直流（BLDC）電機(jī)具有許多優(yōu)于有刷永磁直流（PMDC）電機(jī)的優(yōu)勢(shì)，特別是更高的可靠性，幾乎無(wú)需維護(hù)，更低的電氣和聲學(xué)噪聲，更好的熱性能，更高的速度范圍，以及更高的功率密度。一個(gè)典型的BLDC電動(dòng)機(jī)在轉(zhuǎn)子上使用永久磁鐵，在定子上使用三個(gè)電樞繞組（U、V、W）。一個(gè)微控制器（MCU）實(shí)施各種控制和調(diào)制方案（梯形、正弦、帶有SVM的FOC、DTC等）中的一種，以策略性地給電機(jī)繞組通電。 這就產(chǎn)生了電磁場(chǎng)，導(dǎo)致轉(zhuǎn)子磁鐵和定子繞組之間產(chǎn)生相互作用力。 如果操作得當(dāng)，這種相互作用力可以精確控制電機(jī)的速度、扭矩或所需方向的功率。

圖2展示了一個(gè)典型的三相BLDC電動(dòng)機(jī)的框圖。MCU執(zhí)行控制和調(diào)制方案固件，它對(duì)其PWM外設(shè)發(fā)出指令，以向三個(gè)半橋門驅(qū)動(dòng)器輸出六個(gè)協(xié)調(diào)占空比。 這三個(gè)驅(qū)動(dòng)器充當(dāng)輸出橋中六個(gè)功率MOSFET的動(dòng)力轉(zhuǎn)向，給下橋（LS）和上橋（HS）U、V和W MOSFET通電。 這些通常是N-溝道MOSFET，額定電壓為電機(jī)電壓的1.5~2.0倍，最高可達(dá)300 V。在300 V以上，N溝道MOSFET通常被IGBT取代，因?yàn)樗鼈兊墓β市阅芨摺?/p>

MCU可以通過(guò)FAN4852 CMOS運(yùn)算放大器（9 MHz典型帶寬）測(cè)量流過(guò)每個(gè)繞組的電流，且可選擇用霍爾效應(yīng)傳感器反饋評(píng)估轉(zhuǎn)子的角度位置?；蚩蓪?shí)現(xiàn)一個(gè)無(wú)傳感器的架構(gòu)，但需要更多的處理開(kāi)銷。RSL10 BLE可用于資產(chǎn)跟蹤、空中固件更新（FOTA）、功能選擇/調(diào)整和遙測(cè)數(shù)據(jù)收集。

圖2

BLDC 表 #1：12 V 和 24 V（N-FET）高達(dá) 1.1 kW

下表1列出了“新的一階近似值起點(diǎn)”，為N溝道MOSFET提供匹配的BLDC門極驅(qū)動(dòng)，12 V的功率從93 W 至372 W， 24 V的功率從186 W至1.1 KW。

表1

BLDC 表 #2：48 V 和 60 V（N-FET）高達(dá) 1.5 kW

下表2列出了“新的一階近似值起點(diǎn)”， 為N溝道MOSFET提供匹配的BLDC門極驅(qū)動(dòng)，48 V的功率從186 W到1.5 kW，60 V的功率從186 W到1.5 kW。

表2

BLDC 表 #3：48 V 和 60 V（N-FET）高達(dá) 3 kW

下表3列出了 “新的一階近似值起點(diǎn)”，為N溝道MOSFET提供匹配的BLDC門極驅(qū)動(dòng)，120 V的功率從186 W到為1.8 kW， 200 V的功率從186 W到 3 kW。

表3

BLDC 表 #4：300 V 和 400 V（IGBT）高達(dá) 6 kW

下表4列出了“新的一階近似值起點(diǎn)” 為IGBT提供匹配的BLDC門極驅(qū)動(dòng)，300 V的功率從372 W到4.5 KW， 400 V的功率從372 W 到6 kW。

表4

BLDC 表 #5：300 V、400 V 和 650 V (IPM) 高達(dá) 6 kW

下表5列出了集成功率模塊（IPM）的“新的一階近似值起點(diǎn)”，其中，門極驅(qū)動(dòng)器和IGBT被集成到一個(gè)易于使用的模塊，300 V的功率從372 W到 4.5 KW，400 V的功率從372 W到 6 kW，和 650 V的功率從 372 W 到 6 kW。

表5

安森美提供了一個(gè)很好的在線工具，用于構(gòu)建帶有 IPM（集成功率模塊）的 BLDC。用戶輸入 15 種工作條件，該工具會(huì)生成多個(gè)詳細(xì)的分析表以及 12 個(gè)捕獲關(guān)鍵熱和功率性能的圖表（圖 3）。

圖3

BLDC 表 #1 - #5

BLDC很復(fù)雜，從頭到尾有數(shù)百個(gè)決定要做。例如，如果您有3個(gè)不同的客戶；a、b和c（圖1），從相同的 "起點(diǎn)"（24 V，1 1/4hp電機(jī)）開(kāi)始，當(dāng)所有3個(gè)客戶瀏覽了他們各自的決策樹時(shí)，他們的最終設(shè)計(jì)將完全不同。這是因?yàn)槊總€(gè)客戶都有自己的成本、能效、功率密度、外形尺寸、維護(hù)、使用壽命等的門檻。因此，建立的門極驅(qū)動(dòng)與開(kāi)關(guān)（MOSFET/IGBT）匹配表不可能對(duì)每個(gè)客戶都合適。如果我們嘗試，可能對(duì)一個(gè)客戶是適用的，而對(duì)另外999個(gè)客戶則不適用。然而，我們可以基于智能工程的考量做出一些合理的假設(shè)，并產(chǎn)生一個(gè) "一階近似值"，它介于交給客戶開(kāi)關(guān)和門極驅(qū)動(dòng)器組合（舊的起點(diǎn)：你是自己的）與客戶的最終決定之間。

一階近似工程考量

1）成本：我們力求篩選出最低成本，同時(shí)滿足以下考量。

2)   拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：選擇梯形（又名 6 步控制）換向是因?yàn)樗目刂葡鄬?duì)簡(jiǎn)單并產(chǎn)生高效和高峰值扭矩。由于在任何時(shí)候只有兩個(gè)功率開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，因此每個(gè)開(kāi)關(guān)的“導(dǎo)通時(shí)間”占空比為 33%。

3)     PWM 占空比： PWM 頻率為 15 kHz。這是大多數(shù) 6 kW 以下 BLDC 的典型情況。

4)     門極驅(qū)動(dòng)器： 結(jié)隔離門極驅(qū)動(dòng)器。這些表格不包括電隔離。

5)     溫度：環(huán)境溫度 85 ℃。

6)     門極驅(qū)動(dòng)計(jì)算：額定門極驅(qū)動(dòng)的計(jì)算方法是將 Q G(TOT) (nC) 除以開(kāi)/關(guān)時(shí)間 (ns)。我們?yōu)?N-FET 選擇 50 ns 開(kāi)/關(guān)，為 IGBT 選擇 200 ns。

7)     N-FET 結(jié)溫：對(duì)于表面貼裝封裝（無(wú)散熱器）的(T _j ) 由 T _j = P _DISS x R _θJA + Ambient 計(jì)算，在最大額定 T _j以下至少留有 25 ℃的余量。

1. 其中：

i.     R _θJA = 結(jié)點(diǎn)至環(huán)境的熱阻

8)     IGBT 結(jié)溫：帶散熱片的通孔封裝的IGBT 結(jié)溫 (T_j) 計(jì)算公式為 T _j = P _DISS x (R _{θ JC} + R _{θ CS} + R _{θ SA} )+ 環(huán)境，在最大額定 T _j以下至少留有 50 ℃的余量。

1. 其中：

i.     R_θJC = 結(jié)到殼的熱阻

ii.     R_θCS = 殼到散熱片的熱阻

iii.     R_θSA = 散熱片到環(huán)境的熱阻

9） N-FET 功耗： I _PHASE ² (A) x R _DSON（歐姆）。

10)   IGBT 功耗：開(kāi)關(guān)損耗 + 導(dǎo)通損耗 + 二極管損耗

1. 其中：

i. 開(kāi)關(guān)損耗 = E _ts (J) x PWM 頻率 (Hz)

ii. 導(dǎo)通損耗 = I _PHASE (A) x V _CE(SAT) (V)

iii. 二極管損耗 =（開(kāi)關(guān)損耗 + 導(dǎo)通損耗）x 0.25

11)  額定開(kāi)關(guān)電壓： N-FET V _(BR)DSS和 IGBT V _CES = 2-3x 電機(jī)電壓

12)  額定開(kāi)關(guān)電流： N-FET I _D和 IGBT I _C = 3 x I _PHASE。

13)  電機(jī)相電流： I _PHASE = 1.23 x P _OUT / V _BUS

1. 其中：

i.     I_PHASE = 電機(jī)相電流, 安培

ii.     P_OUT = 逆變器到電機(jī)的電功率輸出

iii.    PF = 電機(jī)功率因數(shù)，0.0 – 1.0，1.0 是理想的（我們假設(shè)為 0.85）

iv.     VBUS =電機(jī)總線電壓、VDC 或 24 V

v.        MI = 調(diào)制指數(shù)，0.0 – 1.0，典型值為 0.9（我們假設(shè)為 0.9）

免責(zé)聲明：本文為轉(zhuǎn)載文章，轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系小編進(jìn)行處理。

推薦閱讀：

強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合！Digi-Key開(kāi)售Siemens的自動(dòng)化和控制產(chǎn)品

NSA5311在磁傳感器中應(yīng)用

數(shù)字隔離芯片的PD參數(shù)出廠測(cè)試為什么是必要的？

輸出電流能力高達(dá)250A的可擴(kuò)展智能DC/DC電源模塊

奔馳E級(jí)USB充電模塊拆解報(bào)告