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V850E2/PJ4-E:瑞薩電子推出全新微控制器系列
全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723，以下簡(jiǎn)稱“瑞薩電子”）宣布開發(fā)出了一款全新32位微控制器（MCU）V850E2/PJ4-E，該器件采用片上旋變解碼器。這款全新微控制器可提高汽車控制系統(tǒng)的性能并降低其系統(tǒng)成本，其中包括HEV/EV的電機(jī)控制及其他汽車應(yīng)用等。
2012-02-15
V850E2/PJ4-E 瑞薩電子 微控制器
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用于電容傳感器接口的模擬前端元件
因?yàn)椴捎昧藗鹘y(tǒng)機(jī)械開關(guān)，用戶使用電容傳感器接口的方式直接與各種工作條件下（可靠性）接觸傳感器的響應(yīng)度（靈敏度）相關(guān)。本文將介紹一些通用電容傳感器模擬前端測(cè)量方法。
2012-02-14
電容傳感器 傳感器 激勵(lì)電容傳感器 接口 模擬前端
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為低壓差調(diào)節(jié)器選擇旁路電容
設(shè)計(jì)人員在選擇旁路電容時(shí)，以及電容用于濾波器、積分器、時(shí)序電路和實(shí)際電容值非常重要的其它應(yīng)用時(shí)，都必須考慮這些因素。若選擇不當(dāng)，則可能導(dǎo)致電路不穩(wěn)定、噪聲和功耗過大、產(chǎn)品生命周期縮短，以及產(chǎn)生不可預(yù)測(cè)的電路行為。
2012-02-14
低壓差調(diào)節(jié)器 旁路電容 電容
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汽車電子系統(tǒng)的數(shù)據(jù)線和電源線保護(hù)方案
因?yàn)殡娮幽K對(duì)電磁干擾(EMI)、靜電放電(ESD)和其它電氣干擾(汽車本身是這些危害的源頭)十分敏感，所以在汽車環(huán)境中使用電子模塊時(shí)必須慎重考慮。針對(duì)當(dāng)前汽車常見的電氣危害，國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織出臺(tái)了多套電氣保護(hù)標(biāo)準(zhǔn)。汽車制造商和供應(yīng)商必須考慮這些標(biāo)準(zhǔn)，而只有在電子模塊中增加保護(hù)元器件，才能...
2012-02-14
汽車電子 數(shù)據(jù)線 電源線 TVS EMI ESD
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繼電器的特性、選型和使用注意事項(xiàng)
繼電器屬于一種微電控制器件，在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)安全保護(hù)轉(zhuǎn)換電路等作用。本文將重點(diǎn)介紹繼電器的特性和類型、選型方法和使用注意事項(xiàng)，此外，還介紹了國(guó)內(nèi)表達(dá)繼電器的符號(hào)和觸點(diǎn)方法。
2012-02-14
繼電器 電磁式繼電器 熱敏干簧繼電器 固態(tài)繼電器 SSR
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腐蝕傳感器技術(shù)革新 創(chuàng)新產(chǎn)品市場(chǎng)適應(yīng)力更強(qiáng)
如今各行各業(yè)中傳感器應(yīng)用已經(jīng)越來越多，各種技術(shù)問題也提上日程，腐蝕傳感器由于壽命問題一直是行業(yè)發(fā)展的阻礙，此次英國(guó)研發(fā)抗腐蝕傳感器的技術(shù)革新成功，正彌補(bǔ)了腐蝕傳感器壽命短的問題，這一創(chuàng)新產(chǎn)品將擁有更強(qiáng)的市場(chǎng)適應(yīng)能力，引領(lǐng)未來市場(chǎng)導(dǎo)向。
2012-02-14
腐蝕 傳感器
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電動(dòng)汽車充電電池性能退化原因何在
電池的性能退化一方面是使用和老化的自然結(jié)果，另一方面則由于缺乏維護(hù)、苛刻的使用環(huán)境以及不良的充電操作等等加速其劣化。下面將探討充電電池各種難以克服的問題、其原因及彌補(bǔ)這些問題的方法。
2012-02-14
電動(dòng)汽車 充電電池
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第五講：專家解答電路保護(hù)設(shè)計(jì)的常見問題
本文整理工程師在電路保護(hù)設(shè)計(jì)中經(jīng)常遇到的一些問題，精選出關(guān)于保險(xiǎn)絲、防雷器件和ESD保護(hù)器件的選型及應(yīng)用的問題，由資深電路保護(hù)設(shè)計(jì)專家給予專業(yè)權(quán)威的解答，旨在幫助工程師正確選擇和使用電路保護(hù)器件，設(shè)計(jì)高可靠性的電路保護(hù)解決方案。
2012-02-13
電路保護(hù) 保險(xiǎn)絲 熔斷器 防雷 ESD
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HOMSEMI中低壓MOSFET全面升級(jí)8英寸0.18μm Trench工藝
2011年12月，廣州成啟半導(dǎo)體有限公司宣布，HOMSEMI中低壓MOSFET全面使用8英寸、0.18μm、Trench工藝晶圓。成啟半導(dǎo)體表示，這次產(chǎn)品升級(jí)已經(jīng)過一年準(zhǔn)備和試產(chǎn)，將使Power MOSFET的原胞密度提高、RDS（ON）降低、QG降低，提高整機(jī)效率，同時(shí)獲得更好的成本控制能力，這意味著，HOMSEMI成為國(guó)內(nèi)一線分...
2012-02-13
HOMSEMI Power MOSFET Trench MOSFET
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