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臺灣研出16納米SRAM技術(shù) 使電子設(shè)備更輕薄
臺灣科研機構(gòu)近日宣布，開發(fā)出全球第一個16納米的SRAM新組件，由于可容納晶體管是現(xiàn)行45納米的10倍，這可使未來電子設(shè)備更輕薄。
2009-12-22
臺灣 納米 SRAM組件 電子設(shè)備
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微電機產(chǎn)業(yè)整合時機到來
中國電器工業(yè)協(xié)會微電機分會近日發(fā)布了微電機行業(yè)去年的經(jīng)濟數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)顯示，該行業(yè)工業(yè)總產(chǎn)值、銷售收入、利潤總額等指標均保持了較大幅度增長，目前我國已成為全球最大微電機制造基地。
2009-12-22
微電機 整合 制造基地 市場規(guī)模 擴大
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AMK105BJ474MC ：太陽誘電推出1005型多層陶瓷電容器
太陽誘電株式會社宣布，1005型·厚度0.22mm的多層陶瓷電容器AMK105BJ474MC(1.00 x 0.50 x0.22mm，厚度是最大值)投入生產(chǎn)，該產(chǎn)品適用于手機等小型、輕薄便攜設(shè)備IC 的電源電路，可實現(xiàn)行業(yè)最高靜電容量0.47μF。
2009-12-22
太陽誘電 多層陶瓷 電容器 輕薄
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汽車電子論壇精彩回顧：產(chǎn)業(yè)分析與瞭望
本文收錄了08~09年（第六屆&第七屆）上海汽車電子論壇關(guān)于產(chǎn)業(yè)分析和瞭望方面的演講資料。
2009-12-21
汽車電子 論壇 上海 演講 產(chǎn)業(yè)
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繼電器在汽車通信市場是未來重點
在今后一段時間內(nèi)，我國經(jīng)濟仍將高速發(fā)展，這將給繼電器行業(yè)帶來巨大的市場機會。特別是我國各行業(yè)的高速增長和升級換代具有自動化、數(shù)字化的特征，對控制基礎(chǔ)元件——— 繼電器的需求不斷加大，對其技術(shù)性能、品質(zhì)、種類等都提出了更高要求。
2009-12-21
繼電器 汽車 通信繼電器
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安森美收購California Micro Devices
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)于14日宣布以每股4.7美元，11日收盤價3.05美元溢價54%，總金額1.08億美元現(xiàn)金收購California Micro Devices，強化手機產(chǎn)品線。
2009-12-21
安森美 CMD 手機
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Gartner：硅晶圓市場將復(fù)蘇 2010年增長23%
市場分析機構(gòu)Gartner表示，09年第三季度，全球?qū)杈A需求環(huán)比增長17% ，2009年對全球硅晶圓需求整體下滑幅度好于之前預(yù)期。但預(yù)計2010年第二季度會開始恢復(fù)穩(wěn)步增長，硅晶圓年度增長率將為23.4%。
2009-12-21
硅晶圓 Gartner 復(fù)蘇
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NCV840x：安森美推出符合汽車標準的自保護低端MOSFET驅(qū)動IC
首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體推出高度集成保護的NCV840x系列低端自保護MOSFET。這系列器件通過了AEC-Q101標準認證，非常適用于嚴格的汽車及工業(yè)工作環(huán)境中的開關(guān)應(yīng)用。
2009-12-21
安森美 汽車標準 自保護 MOSFET 驅(qū)動IC
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能源革命為微電子產(chǎn)業(yè)提供新機遇
在過去10年中，中國的GDP與能耗基本上是同比例增加的。從單位GDP(國內(nèi)生產(chǎn)總值)的能耗來看，根據(jù)國家統(tǒng)計局提供的數(shù)據(jù)，當前中國1億美元GDP所消耗的能源是12.03萬噸標準煤，大約是日本的7.2倍，是德國的5.62倍，是美國的3.52倍，是印度的1.18倍，是世界平均水平的3.28倍。中國的GDP要趕超美國，如果...
2009-12-21
能源革命 微電子 新機遇 GDP 低能耗
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