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羅姆開始量產(chǎn)SiC制SBD
羅姆的SiC功率元件終于踏上了量產(chǎn)之路。具體就是，輸出電流為10A的SiC肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）“SCS110A系列”從4月下旬開始了量產(chǎn)供貨。羅姆從2005年開始供貨SiC制SBD的工程樣品，但量產(chǎn)“尚為首次”（該公司）。
2010-05-14
SiC SBD
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MiniCell系列：TDK-EPC推出全球最小介質(zhì)隔離式差壓變送器
TDK集團(tuán)分公司,TDK-EPC將推出經(jīng)擴(kuò)展的愛普科斯（EPCOS）MiniCell?系列壓力變送器。該系列全球最小的介質(zhì)隔離式差壓變送器可用于0到500 hPa和0到2500 hPa范圍內(nèi)的非對(duì)稱測(cè)量。此外，后續(xù)版本提供用于-500到+500 hPa 和 -2500到+2500 hPa范圍內(nèi)的對(duì)稱測(cè)量。
2010-05-14
MiniCell?系列 TDK-EPC 變送器
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ACNV2601：Avago推出適合高絕緣電壓應(yīng)用的10MBd數(shù)字光電耦合器
Avago Technologies(安華高科技)宣布推出具備高絕緣電壓規(guī)格的10MBd數(shù)字光電耦合器，適合電源和高功率電機(jī)控制應(yīng)用。Avago是為通信、工業(yè)和消費(fèi)類等應(yīng)用領(lǐng)域提供模擬接口零組件的領(lǐng)導(dǎo)廠商。
2010-05-13
ACNV2601 Avago 高絕緣電壓 光電耦合器
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電子元件細(xì)分行業(yè)是產(chǎn)業(yè)升級(jí)關(guān)鍵
集成電路等電子元器件細(xì)分行業(yè)，是產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級(jí)推進(jìn)的關(guān)鍵，制約著國(guó)內(nèi)信息產(chǎn)業(yè)建設(shè)。
2010-05-13
電子元件 封裝 通富微電 集成電路 BAG
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Limitless(TM):霍尼韋爾推出新款“LIMITLESS(TM)”無線開關(guān)
霍尼韋爾傳感與控制部于近日推出一組新的無線限位開關(guān)系列，它們既有很大的靈活性，又有適用于在惡劣環(huán)境中使用的成熟設(shè)計(jì)，因而能夠提高機(jī)器、設(shè)備、OEM 廠家和操作員的效率及安全性
2010-05-12
霍尼韋爾 無線開關(guān) 遠(yuǎn)程監(jiān)控 cntsnew
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安森美半導(dǎo)體榮獲龍旗控股頒發(fā) “優(yōu)秀供應(yīng)商”獎(jiǎng)
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)： ONNN )宣布榮獲全球領(lǐng)先的無線通訊技術(shù)產(chǎn)品和服務(wù)提供商龍旗控股(簡(jiǎn)稱“龍旗”)頒發(fā)的“2009年度優(yōu)秀供應(yīng)商”獎(jiǎng)。
2010-05-12
安森美 龍旗 綠色電子產(chǎn)品 “優(yōu)秀供應(yīng)商”獎(jiǎng)
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ST發(fā)布高性能功率封裝 可提高M(jìn)Dmesh V功率密度
功率半導(dǎo)體廠商意法半導(dǎo)體推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝，這項(xiàng)新技術(shù)將會(huì)提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。
2010-05-12
PowerFLAT? 8x8 HV 封裝 意法半導(dǎo)體 ST MOSFET MDmesh? V
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ThinPAK 8x8：英飛凌推出適用于高壓功率MOSFET的新型無管腳SMD封裝
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米（D2PAK的占板空間為150平方毫米），高度僅為1毫米（D2PAK的高度為4.4毫米）。
2010-05-12
ThinPAK 8x8 英飛凌 MOSFET SMD封裝
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英飛凌推出大幅延長(zhǎng)IGBT模塊使用壽命的全新.XT技術(shù)
英飛凌推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長(zhǎng)IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模塊內(nèi)部所有連接的使用壽命。
2010-05-11
英飛凌 IGBT .XT技術(shù)
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