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一招教你如何制作一個全兼容快充適配器
目前快充市場可謂“百花齊放”，各種快充協(xié)議讓人眼花繚亂。高通QC2.0/3.0、MTKPE 1.0/2.0和USB PD高壓快充占據(jù)市場大壁江山；華為Super Charger、OPPO VOOC、努比亞NeoCharger、高通QC 4．0以及MTK PE3.0低壓直充也發(fā)展迅速；魅族、小米、OPPO以及錘子等手機品牌也正在研究更大功率的電荷泵高壓直充...
2018-07-19
快充 適配器 EDP3032
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機不可失：2018“維科杯”AI年度評選火熱報名中
2017年，中國的AI初創(chuàng)公司在全球人工智能領(lǐng)域的融資中，所占的比例為驚人的48％，遠遠高于2016年的11％。不可否認，AI已經(jīng)賦能各行各業(yè)，安防、醫(yī)療、金融、交通，人工智能正在以多種方式改變經(jīng)濟，同時更多智能創(chuàng)新產(chǎn)品也進入尋常百姓生活。
2018-07-18
維科杯 AI
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安富利的創(chuàng)新解決方案全力推動NB-IoT技術(shù)規(guī)?；逃?/span>
在2018年世界移動大會-上海（簡稱“MWC上?！保┥希哺焕矃f(xié)同合作伙伴進行了開發(fā)套件和方案的展示，方案產(chǎn)品包括建筑工地工人的安全頭盔，智能垃圾桶和移動安全解決方案等，服務(wù)安全施工和智能生活。
2018-07-18
安富利 NB-IoT技術(shù)
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CEDA舉辦工業(yè)與物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域優(yōu)秀授權(quán)分銷商頒獎典禮
為助力產(chǎn)業(yè)升級，為工業(yè)與物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域提供優(yōu)秀的元器件授權(quán)分銷商，CEDA在7月12日中國電子信息博覽會期間舉行了服務(wù)工業(yè)領(lǐng)域的授權(quán)分銷商的頒獎典禮，嘉獎服務(wù)工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的十大授權(quán)分銷商，增速最快的授權(quán)分銷商，服務(wù)工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域半導(dǎo)體授權(quán)分銷商和被動元件授權(quán)分銷商大獎。
2018-07-18
CEDA 工業(yè) 物聯(lián)網(wǎng) 授權(quán)分銷商
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如何在電壓控制電路中使用FET（第一部分）
LIS公司生產(chǎn)各種FET（場效應(yīng)晶體管），特別值得一提的是他們有各種匹配雙器件產(chǎn)品，這種匹配器件封裝有其獨特優(yōu)勢。例如，如果您在設(shè)計一個雙聲道立體聲音頻產(chǎn)品，那么在同一個封裝中包含兩個或四個器件就可以使兩個音頻通道匹配更加緊密。
2018-07-17
技術(shù)實例 模擬設(shè)計 FET 壓控電阻
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CEDA 2018工業(yè)物聯(lián)網(wǎng),車聯(lián)網(wǎng)與5G技術(shù)峰會暨十大元器件授權(quán)分銷商頒獎典禮閃耀蓉城
為服務(wù)西部中國智造和產(chǎn)業(yè)升級，CEDA（中國信息產(chǎn)業(yè)商會電子分銷商分會）在7月12日（中國電子信息博覽會期間）于成都世紀城洲際酒店三樓蜀漢廳成功舉辦2018工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)，車聯(lián)網(wǎng)和5G技術(shù)峰會，服務(wù)工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的優(yōu)秀授權(quán)分銷商頒獎大會，2018IDH，集成電路與授權(quán)渠道高層交流會。
2018-07-16
CEDA 工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) 車聯(lián)網(wǎng) 5G技術(shù)
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高頻電路設(shè)計中，如何應(yīng)對“不理想”的電容與電感？
在高頻電路設(shè)計中，經(jīng)常會用到AC耦合電容，要么在芯片之間加兩顆直連，要么在芯片與連接器之間加兩顆?？此坪唵?，但一切都因為信號的高速而不同。信號的高速傳輸使這顆電容變得不“理想”，這顆電容沒有設(shè)計好，就可能會導(dǎo)致整個項目的失敗。因此，對高速電路而言，這顆AC耦合電容沒有優(yōu)化好將是“致命...
2018-07-16
高頻電路 AC耦合電容 電感
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元器件在低頻和高頻特性有什么不同？
我們先來說說電容，都說大電容低頻特性好,小電容高頻特性好,那么根據(jù)容抗的大小與電容C及頻率F成反比來說的話,是不是大電容不僅低頻特性好,高頻特性更好呢,因為頻率越高,容量越大,容抗就越低,高頻就是否越容易通過大電容呢,但從大電容充放電的速度慢來說的話,高頻好象又不容易通過的,這不很矛盾嗎？
2018-07-16
元器件 電感 電容
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詳解MOSFET與IGBT的本質(zhì)區(qū)別
本文將對一些參數(shù)進行探討，如硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS (零電壓轉(zhuǎn)換) 拓撲中的開關(guān)損耗，并對電路和器件特性相關(guān)的三個主要功率開關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對于硬開關(guān)拓撲的影響。
2018-07-13
MOSFET IGBT 開關(guān)電源
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