DDR5插槽連接器助力下一代技術(shù)
發(fā)布時(shí)間:2019-10-25 責(zé)任編輯:xueqi
【導(dǎo)讀】對(duì)于許多的數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商來(lái)說(shuō),降低功耗都是他們的首當(dāng)要?jiǎng)?wù),從而降低運(yùn)營(yíng)費(fèi)用。雙數(shù)據(jù)速率 5內(nèi)存,其官方簡(jiǎn)稱為 DDR5,目標(biāo)就是提供數(shù)據(jù)中心所需的增強(qiáng)性能以及功率管理功能,為400GE的網(wǎng)絡(luò)速度提供良好支持。
隨著物聯(lián)網(wǎng)的不斷發(fā)展,數(shù)以百萬(wàn)計(jì)的互聯(lián)網(wǎng)連接設(shè)備應(yīng)運(yùn)而生,因此數(shù)據(jù)中心的運(yùn)營(yíng)商都在致力于跟上數(shù)據(jù)傳輸方面的要求。他們必須尋求各種方式來(lái)滿足數(shù)據(jù)和存儲(chǔ)上日新月異的需求,同時(shí)確保服務(wù)質(zhì)量、降低成本。
與上一代的 DRAM 技術(shù)相比,新型JEDEC DDR5在提升功率效率方面進(jìn)行了升級(jí)。根據(jù)計(jì)劃,DDR5將提供兩倍于 DDR4 的帶寬和密度,同時(shí)還改善了信道的效率。
這些增強(qiáng)功能與針對(duì)服務(wù)器和客戶端平臺(tái)而提供的更加易用的接口結(jié)合到一起,將在一系列廣泛的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)極高的性能并改進(jìn)功率管理。
1 從DDR4的轉(zhuǎn)變
與 DDR4 技術(shù)相比,DDR5 改善了性能并且提高了功率效率,因此,對(duì)緊湊而又穩(wěn)健的 DIMM 插槽的需求比以往任何時(shí)候都要重要,以便為這種新技術(shù)提供支持。
莫仕的 DDR5 DIMM 插槽比 DDR4 時(shí)代的產(chǎn)品更加緊湊,縮小了整體尺寸與高度,此外還具有防屈曲功能,實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)的模塊插入并提供冠形的觸點(diǎn),防止觸點(diǎn)斷裂。
DDR5 DIMM 插槽的帶寬和密度比DDR4 提升了一倍,可以提供 6.4 Gbps 的速度,高度降低后的底座面可以節(jié)省更多的印刷電路板空間與縱向空間。隨著 DDR5 的推出,DDR4 和DDR5 的針數(shù)保持相同。
這兩種 DIMM 都含有 288 個(gè)插針。此外,DDR4和 DDR5 的螺距也相同。除了增加了速度以外,在整體尺寸和模塊卡的厚度上存在著一些區(qū)別。DDR5插槽連接器的尺寸要短于 DDR4。
對(duì)于模塊卡的厚度來(lái)說(shuō),DDR4 為 1.40+/-0.1 毫米,而DDR5 將厚度減少至1.27+/-0.1 毫米。至于底座面,將從 DDR4 的最大2.4 毫米縮減為 DDR5 的 2.0 毫米最大值。
2 DDR5的主要設(shè)計(jì)考慮
當(dāng)需要遷移到 DDR5 時(shí),設(shè)計(jì)人員應(yīng)當(dāng)牢記幾個(gè)特定于插槽連接器的主要考慮因素。DDR5 插槽采用了鍵控功能來(lái)防止插入 DDR4 模塊,而且DDR4 模塊在 DDR5 中無(wú)法工作,反之亦然。
DDR5的確需要更高的速度。如果采用SMT 端接,那么在工藝上可能會(huì)存在挑戰(zhàn),與 TH 或PF 端接方式相比或許更難以加工。CTE與印刷電路板的不匹配會(huì)造成連接器的動(dòng)態(tài)翹曲。
隨著自動(dòng)模塊插入工藝的到來(lái),使用一種穩(wěn)健的DDR5 連接器就變得更加關(guān)鍵。莫仕的 DDR5 插槽在插鎖塔上配有一片金屬,改善了機(jī)械強(qiáng)度。
DDR5 采用的模塊卡更重一些,并且模塊重量可能會(huì)從 50 克增至65 克。因此,需要考慮采取良好的措施,以機(jī)械方式將連接器保持固定在印刷電路板上。
3 轉(zhuǎn)向 DDR5 插槽
在尋求推進(jìn)到DDR5 的過(guò)程中,需要牢記幾個(gè)方面。請(qǐng)考慮使用一種具有防斷裂觸點(diǎn)的連接器,可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的配對(duì)接觸效果并確保電氣上的可靠性。
無(wú)鹵耐高溫的尼龍外殼可以支持較高的回流溫度,同時(shí)提供環(huán)境上的可持續(xù)性。耐振動(dòng)耐沖擊焊片在條件苛刻的操作過(guò)程中可提供最優(yōu)的性能以及牢固的印刷電路板保持效果。
此外,插槽上的金屬嵌件支持嚴(yán)格的閉鎖操作,同時(shí)可對(duì)插鎖塔進(jìn)行強(qiáng)化。人體工程學(xué)設(shè)計(jì)的穩(wěn)健的插鎖在閉鎖過(guò)程中以及模塊卡釋放時(shí)可改善撕扯力以及抗振性。
為了解決插針壓碎的問(wèn)題,可以尋求使用設(shè)計(jì)良好的端子與外殼。
對(duì)于 DDR5 上的其他考慮事項(xiàng),動(dòng)態(tài)翹曲可能是一個(gè)需要關(guān)切的問(wèn)題。在加工方面,與 TH 端接方式相比,SMT端接將更具挑戰(zhàn)性,并且更加困難。
必須妥善的控制裝配工藝,同時(shí)設(shè)計(jì)與外殼材料的選擇也極其重要。經(jīng)優(yōu)化的成型工藝可以降低外殼內(nèi)積聚起的內(nèi)部應(yīng)力。
隨著數(shù)據(jù)中心內(nèi)的速度不斷提升,DDR5將成為一個(gè)理想的選擇,為這種速度上的提升提供支持。DDR5 插槽的生產(chǎn)正在穩(wěn)步增長(zhǎng),并且將在下一年保持這一增長(zhǎng)勢(shì)頭。
莫仕提供種類廣泛的內(nèi)存連接器,符合有關(guān) DIMM(雙列直插內(nèi)存模塊)和 SIMM(單列直插內(nèi)存模塊)的JEDEC 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求,并且還為筆記本電腦、臺(tái)式機(jī)、工作站、服務(wù)器、存儲(chǔ)及通信應(yīng)用提供定制的內(nèi)存模塊。
莫仕的內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)品提供范圍從最老式的SIMM 直到最新型的 DDR5 在內(nèi)的、一系列廣泛的技術(shù)平臺(tái)。每一產(chǎn)品族都由眾多不同的選項(xiàng)組成,滿足客戶應(yīng)用的各種需求。
來(lái)源:Molex連接器
特別推薦
- 授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Same Sky多樣化電子元器件
- 使用合適的窗口電壓監(jiān)控器優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- ADI電機(jī)運(yùn)動(dòng)控制解決方案 驅(qū)動(dòng)智能運(yùn)動(dòng)新時(shí)代
- 倍福推出采用 TwinSAFE SC 技術(shù)的 EtherCAT 端子模塊 EL3453-0090
- TDK推出新的X系列環(huán)保型SMD壓敏電阻
- Vishay 推出新款采用0102、0204和 0207封裝的精密薄膜MELF電阻
- Microchip推出新款交鑰匙電容式觸摸控制器產(chǎn)品 MTCH2120
技術(shù)文章更多>>
- 更高精度、更低噪音 GMCC美芝電子膨脹閥以創(chuàng)新?lián)屨夹袠I(yè)“制高點(diǎn)”
- 本立租完成近億元估值Pre-A輪融資,打造AI賦能的租賃服務(wù)平臺(tái)
- 中微公司成功從美國(guó)國(guó)防部中國(guó)軍事企業(yè)清單中移除
- 華邦電子白皮書:滿足歐盟無(wú)線電設(shè)備指令(RED)信息安全標(biāo)準(zhǔn)
- 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散
技術(shù)白皮書下載更多>>
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門搜索
晶體諧振器
晶體振蕩器
晶閘管
精密電阻
精密工具
景佑能源
聚合物電容
君耀電子
開(kāi)發(fā)工具
開(kāi)關(guān)
開(kāi)關(guān)電源
開(kāi)關(guān)電源電路
開(kāi)關(guān)二極管
開(kāi)關(guān)三極管
科通
可變電容
可調(diào)電感
可控硅
空心線圈
控制變壓器
控制模塊
藍(lán)牙
藍(lán)牙4.0
藍(lán)牙模塊
浪涌保護(hù)器
雷度電子
鋰電池
利爾達(dá)
連接器
流量單位