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OBC充電器中的SiC FET封裝小巧,功能強大

發(fā)布時間:2023-04-23 來源:Qorvo 責任編輯:wenwei

【導讀】EV 車載充電器和表貼器件中的半導體電源開關(guān)在使用 SiC FET 時,可實現(xiàn)高達數(shù)萬瓦特的功率。我們將了解一些性能指標。


引言


在功率水平為 22kW 及以上的所有級別電動汽車 (EV) 車載充電器半導體開關(guān)領(lǐng)域,碳化硅 (SiC) MOSFET 占據(jù)明顯的優(yōu)勢。UnitedSiC(如今為 Qorvo)SiC FET 具有獨特的 Si MOSFET 和 SiC JFET 級聯(lián)結(jié)構(gòu),其效率高于 IGBT,且比超結(jié) MOSFET 更具吸引力。不過,這不僅關(guān)乎轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的整體損耗。對于 EV 車主來說,成本、尺寸和重量也是很重要的因素。


設(shè)計人員可以選擇在 EV 車載充電器中使用不同封裝類型的半導體電源開關(guān),包括使用 SiC FET 時,可實現(xiàn)高達數(shù)萬瓦特功率的表貼器件。在本博客文章中,我們將探討 SiC FET 的一些性能指標。


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OBC 充電器中的 SiC FET


在 EV 的典型功率水平下,即使效率超過 98%,車載充電器在高溫環(huán)境下也需要耗散數(shù)百瓦特的電量。因此,我們需要進行散熱,并通常采用液體冷卻實現(xiàn)。如何將開關(guān)連接至該散熱裝置,優(yōu)化熱傳遞、提高良品率和降低裝配成本,是一個主要的設(shè)計考慮因素。SiC FET 通常采用具有出色熱性能(結(jié)點到冷卻液的熱阻約為1.0°C/W)的 TO-247-4L 封裝,同時使用 UnitedSiC(如今為 Qorvo)的晶圓減薄技術(shù)、銀燒結(jié)芯片和陶瓷隔離器焊盤。然而,TO-247-4L 封裝也存在缺點,它需要進行機械固定和通孔焊接。該封裝還具有顯著的封裝電感和受限的爬電距離,其引腳之間還存在一定間隙。此外,該封裝的 PCB 焊盤間距較小,除非導線采用復雜且成本較高的方式進行  “嚙合”。


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表 1:D2PAK-7L 和 TO-247-4L 進行比較。


表貼替代產(chǎn)品看似具有吸引力,但在 22kW 功率水平下如何?實際上,使用 UnitedSiC(如今的 Qorvo)D2PAK-7L 器件是可行的,對性能幾乎沒有影響,具體取決于功率轉(zhuǎn)換級。通過查看上述表 1 中封裝類型之間的主要差異,我們可以了解到,除了芯片安裝面積之外,D2PAK-7L 在其他方面均優(yōu)于 TO-247-4L。對于焊接在絕緣金屬基板上的 18 毫歐器件,D2PAK-7L 的芯片安裝面積導致其結(jié)點到冷卻液的整體熱阻約為 1.3℃/W,相比于 TO-247-4L 封裝,高 30% 左右。


在功耗給定且其他條件相同的情況下,熱阻越高,結(jié)溫就越高,但由于使用SMT 器件可以節(jié)省大量組裝空間,可能還可以使用電阻更低的部件,這樣就可以降低溫度。但是,如果只使用一個 SMT 器件來滿足熱限制要求,Tj 就會變得非常高,所以將 SMT 器件并聯(lián)是一個可行的解決方案。如果使用兩個并聯(lián)的 SMT 器件來取代一個 SMT 器件,那么對于兩個并聯(lián) SMT 器件中每個器件的導通電阻,都是僅用一個 SMT 器件時的兩倍。在這種情況下,兩個并聯(lián)器件中每個器件的電流都會減半,但導通電阻卻會翻倍,所以功耗就是使用單個器件的一半。由于導通電阻減半,兩個并聯(lián) SMT 器件的總功耗會略低于僅用一個 SMT 器件的功耗。從熱學角度來看,每個器件的溫度都會更低,因為當采用相同的熱管理指標時(結(jié)點到環(huán)境或冷卻液的熱阻),每個并聯(lián)器件的功耗僅為使用單個 SMT 器件時功耗的一半。理論上,每個并聯(lián) SMT 器件的溫升(從環(huán)境或冷卻液到結(jié)點)應為使用單個 SMT 器件時的一半。除此之外,D2PAK-7L 的封裝電感更低,因此可實現(xiàn)更高的開關(guān)邊緣速率,甚至更低的動態(tài)損耗。


使用 UnitedSiC 在線 FET-Jet Calculator? 比較典型車載充電器在不同級的封裝性能,則非常有益。“圖騰柱 PFC” 級比較常見,例如在額定 6.6kW、400V 輸出、75kHz、連續(xù)導通模式 (CCM) 散熱/冷卻液溫度為 80℃ 的情況下,對一系列 TO-247-4L 和 D2PAK-7L SiC FET 的“快速開關(guān)”支路進行評估。經(jīng)過評估,我們發(fā)現(xiàn)這兩種封裝的結(jié)溫差在 3℃ 至 8℃ 之間,具體取決于導通電阻的等級。


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圖 1:圖示為 Vienna 整流器前端。


在功率更高且使用三相交流電源的情況下,“Vienna 整流器” 可在 40kHz 下與 800V 直流鏈路一起使用(圖 1)??梢允褂?750V SiC FET,如果再次比較 18 毫歐 TO-247-4L 和 D2PAK-7L 部件,我們發(fā)現(xiàn),當 “半導體” 效率差異為 0.1% 時,兩者的結(jié)溫差只有 3℃。在這種應用中,高導通電阻部件不可避免地表現(xiàn)出更大的差異,且單個器件會出現(xiàn)不可行的溫升,但如果在 22kW 功率條件下使用高價值產(chǎn)品,低電阻部件的成本相對于所獲得的收益來說則并不是太大的開銷。


D2PAK-7L 在直流/直流功率轉(zhuǎn)換級可有效地取代 TO-247-4L


剛剛討論的圖騰柱 PFC 級和 Vienna 整流器級為 “硬” 開關(guān),且頻率保持在相對較低的范圍,以便最大限度地減少動態(tài)損耗。OBC 中的直流/直流轉(zhuǎn)換級可以是諧振或 “軟” 開關(guān)轉(zhuǎn)換器,比如頻率更高的 CLLC 拓撲,可實現(xiàn)較小的磁性元件和較低的損耗,通常為 300kHz。例如,在 6.6kW 400V 直流鏈路和使用 18 毫歐 SiC FET 的情況下,根據(jù) FET-Jet Calculator? 的計算結(jié)果,TO-247-4L 和 D2PAK-7L 的單個器件損耗分別為 4.1W 和 4.2W,且由于 SMT 封裝具有更低的電感,所以在使用更高頻率時,理應選擇該封裝。


考慮系統(tǒng)總成本,且溫升或系統(tǒng)效率差異極小或不存在差異時(尤其是考慮到并聯(lián)的電氣和機械便利性的情況下),從 TO-247-4L 封裝變更為 SMT D2PAK-7L 封裝是順理成章的選擇。作為 SMT 器件,SiC FET 具有出色的品質(zhì)因素 (FoM) 和簡單的柵極驅(qū)動,逐漸成為 EV 車載充電器應用的理想開關(guān)之選。


表貼替代產(chǎn)品看似具有吸引力,但在22kW 功率水平下如何?實際上,……


結(jié)論


SiC FET 的標準額定電壓為 1700V,且效率比 IGBT 更高,因此比超結(jié) MOSFET 更具吸引力,并在各級 EV 車載充電領(lǐng)域占據(jù)明顯的優(yōu)勢。雖然 SiC FET 可在 TO-247-4L 封裝內(nèi)提供出色的熱性能,但其缺點是需要進行機械固定和通孔焊接。所以,當考慮系統(tǒng)總成本,且對溫升或效率影響極小或不存在影響時,選擇使用 SMT 器件(如 UnitedSiC D2PAK-7L 封裝)則是一種合理的自然發(fā)展現(xiàn)象。這些 SMT SiC FET 不僅可以為設(shè)計人員節(jié)省大量的電路裝配費用,還可以提供一流的 FoM 和簡單易用的柵極驅(qū)動解決方案,因此是 EV 車載充電器的理想開關(guān)之選。



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