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MOS管G極與S極之間的電阻作用
MOS管具有三個內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)（規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應(yīng)，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個寄生電容。
2023-12-11
MOS管 G極 S極
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漫談QLC其三：QLC NAND的主流應(yīng)用
前文所述，老四QLC在爭議中成長，已進入當打之年，憑借性能、壽命、容量和價格極致性價比的特性，配合主控和固件糾錯能力和算法方案的日漸成熟，進入到消費級SSD和企業(yè)級SSD主戰(zhàn)場，如今市面上有多款已量產(chǎn)的消費級和企業(yè)級QLC SSD，進入商用。
2023-12-11
QLC NAND
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貿(mào)澤電子推出專門面向智能家居設(shè)計的技術(shù)資源網(wǎng)站
2023年12月14日 – 專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 推出了內(nèi)容極其豐富的智能家居資源中心，探索如何實現(xiàn)所有家庭設(shè)備的無縫連接、控制及自動化。貿(mào)澤讓瀏覽復(fù)雜網(wǎng)絡(luò)（包括Matter、Thread和Wi-Fi 6）變得輕松方便，幫助電子設(shè)計工程師緊跟時代趨勢。...
2023-12-10
貿(mào)澤電子 智能家居 技術(shù)資源
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)如何善用AI驅(qū)動自動化創(chuàng)新？
人工智能(AI) 正在改變世界，并在許多方面改善我們的生活。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在AI變革中扮演著關(guān)鍵角色，因為它不只提供AI應(yīng)用所需的強大運算芯片，還使用AI來增強其企業(yè)內(nèi)部的運營與管理、客戶服務(wù)、辦公流程、系統(tǒng)/產(chǎn)品/電路設(shè)計以及制造。在這篇文章中，我們將重點介紹AI如何協(xié)助制造自動化。
2023-12-08
半導(dǎo)體 AI驅(qū)動
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碳化硅MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用
三相逆變器的定義是將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的轉(zhuǎn)換器，其基本原理就是SPWM，硬件架構(gòu)為四個功率模塊組成單相、三相橋式電路，橋式輸出至負載間串接低通濾波元件，控制回路具有兩個信號產(chǎn)生源，一個是固定幅值的三角波（調(diào)制波）發(fā)生器，一個為正弦波發(fā)生器，利用三角波對正弦波進行調(diào)制，就會得到...
2023-12-08
碳化硅MOS管 三相逆變器 瑞森半導(dǎo)體
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克薩重磅發(fā)布高性能超輕薄、帶有四個分布式CAN模塊的緊湊型嵌入式通訊卡
隨著自動化和工業(yè)控制的迅速發(fā)展，幾乎各行各業(yè)都在進行智能化轉(zhuǎn)型，以提升企業(yè)的生產(chǎn)效率和質(zhì)量，這也就對嵌入式控制的相關(guān)元件提出了更高的要求。Kvaser克薩作為CAN總線產(chǎn)品開發(fā)的領(lǐng)導(dǎo)者，深耕行業(yè)40多年，至今已經(jīng)累計推出100多款CAN產(chǎn)品。為了滿足儲能、移動機器人、汽車電子、醫(yī)療電子等行業(yè)對...
2023-12-08
克薩 分布式CAN模塊 嵌入式通訊卡
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輕松簡化模擬輸入模塊設(shè)計的系統(tǒng)級ADC
為可編程邏輯控制器(PLC)或分布式控制系統(tǒng)(DCS)模塊等過程控制應(yīng)用設(shè)計模擬輸入模塊時，主要權(quán)衡因素通常是性價比。傳統(tǒng)上，此應(yīng)用領(lǐng)域使用雙極性±15 V 電源軌來提供有源前端組件，用于輸入信號的衰減或增益。這會影響物料清單(BOM)的成本，而創(chuàng)建隔離雙極電源會增加設(shè)計的復(fù)雜性。
2023-12-07
模擬輸入 模塊設(shè)計 系統(tǒng)級 ADC
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使用交互式人工智能（CAI）實現(xiàn)語音轉(zhuǎn)錄成本降低高達90%
交互式人工智能（CAI）使用機器學(xué)習(xí)（ML）的子集深度學(xué)習(xí)（DL），通過機器實現(xiàn)語音識別、自然語言處理和文本到語音的自動化。
2023-12-05
交互式人工智能 語音轉(zhuǎn)錄成本
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泰克助力汽車測試及質(zhì)量監(jiān)控實現(xiàn)效率和創(chuàng)新最大化
對于功率器件工程師而言，最大限度降低開關(guān)損耗是一項嚴峻挑戰(zhàn)，尤其對于那些使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的工程師更是如此。這種先進材料有望提高效率，但也有其自身的復(fù)雜性。測量硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (GaN MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) ...
2023-12-05
泰克 汽車測試 質(zhì)量監(jiān)控
- 重磅公告！意法半導(dǎo)體2025年Q2業(yè)績發(fā)布及電話會議時間確定
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