【導讀】IR FastIRFET系列為DC-DC同步降壓應用，低至0.7 mΩ導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH4201，能提供行業(yè)領(lǐng)先效率，適用于先進的電信和網(wǎng)絡通訊設備、服務器、顯卡、臺式電腦、超極本和筆記本電腦等DC-DC同步降壓應用。
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出25V FastIRFET創(chuàng)新功率MOSFET系列，適用于先進的電信和網(wǎng)絡通訊設備、服務器、顯卡、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 和筆記本電腦等DC-DC同步降壓應用。
圖1：IR推出25V FastIRFET創(chuàng)新功率MOSFET系列
全新FastIRFET系列配備IR新一代硅技術(shù)，采用符合行業(yè)標準的PQFN封裝，為分立式DC-DC轉(zhuǎn)換器提供基準功率密度。該系列包括能夠提供低至0.7 mΩ導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH4201，以及旨在降低鳴震和進一步提升系統(tǒng)效率的IRFH4210D和IRFH4213D單片式FETKY組件。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“這款先進的25V FastIRFET MOSFET為高性能分立式DC-DC開關(guān)應用提供行業(yè)領(lǐng)先的功率密度。這些器件與IR旗下的集成式SupIRbuck、PowIRstage和電源模塊平臺相輔相成，為設計人員提供一系列高性能DC-DC轉(zhuǎn)換器。”
IR FastIRFET器件為5V柵極驅(qū)動應用作出優(yōu)化，可與各種控制器或驅(qū)動器共同操作，從而使設計更靈活，并且以小占位面積實現(xiàn)高電流、效率和頻率。新器件采用符合行業(yè)標準的5x6mm和3.3x3.3mm PQFN封裝，環(huán)保物料清單不含鉛，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。
規(guī)格
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