舉例說(shuō)明:消除全橋逆變IGBT電壓尖峰的方法
發(fā)布時(shí)間:2014-12-20 責(zé)任編輯:sherryyu
【導(dǎo)讀】電子工程師都知道要消除全橋逆變IGBT電壓尖峰一般用的都是無(wú)感電容,但是理論知識(shí)了解不代表實(shí)踐中也能解決,問(wèn)題來(lái)了,這樣的無(wú)感電容要選擇多大呢?本文就結(jié)合實(shí)例給出大家方法。
全橋逆變器中的IGBT電壓尖峰,通常來(lái)說(shuō)都需要使用無(wú)感電容來(lái)消除。但是究竟該使用多大的無(wú)感電容卻是一個(gè)相對(duì)復(fù)雜的問(wèn)題,本篇文章就舉例說(shuō)明了IGBT的電壓尖峰消除問(wèn)題。
圖1
從圖1中能夠看到,尖峰已經(jīng)達(dá)到穩(wěn)定輸出電壓的二倍,并且這個(gè)IGBT的功率并不高,只有75A。接下來(lái)就看看如何消除尖峰。
需要做的很簡(jiǎn)單,就是調(diào)整反并在IGBT上的二極管的反向恢復(fù)時(shí)間。
IGBT沒(méi)有結(jié)構(gòu)上需要的體二極管,出于安全考慮(避免反向擊穿),一般IGBT內(nèi)部都反向并聯(lián)了一只二極管,隨著現(xiàn)代開(kāi)關(guān)電源技術(shù)的發(fā)展,軟開(kāi)關(guān)得到普遍應(yīng)用,要求這只二極管具有很好的反向恢復(fù)特性,所以現(xiàn)在的IGBT內(nèi)并聯(lián)的二極管反向恢復(fù)特性越來(lái)越好。但是如果用這種IGBT做硬開(kāi)關(guān),因?yàn)槁└械纫蛩卦贑E上,產(chǎn)生的尖峰電壓通過(guò)二極管反向恢復(fù)通道泄放的時(shí)間太短,造成剩余能量太多,就會(huì)出現(xiàn)尖峰過(guò)高的問(wèn)題。
此時(shí)就要再并聯(lián)一個(gè)4007,但是有三點(diǎn)需要注意。
第一、這個(gè)并聯(lián)要求二極管的反向恢復(fù)時(shí)間恰到好處,如果覺(jué)得4007不合適,可以換別成其他型號(hào)的二極管試試。
第二、如果覺(jué)得4007的電流太小不放心,就2只4007串了以后再與IGBT反并,這樣主反向電流就只走原來(lái)的二極管了,只有電壓尖峰才走4007的反向恢復(fù)通道。
第三、如果由于反向恢復(fù)電流(即吸收電流)太大而效率降低二極管發(fā)熱,就需要考慮驅(qū)動(dòng)方式了,讓上下管錯(cuò)開(kāi)驅(qū)動(dòng)時(shí)間,避免同步驅(qū)動(dòng)引起的二極管反向恢復(fù)直通引起的損耗。
這里說(shuō)的主要是關(guān)閉時(shí)的電壓尖峰,以前用MOS做全橋一般不會(huì)出現(xiàn)這個(gè)問(wèn)題,因?yàn)镸OS的體二極管反向恢復(fù)時(shí)間足夠長(zhǎng),原因在這里。
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