【導(dǎo)讀】MOS管做電源設(shè)計或者做驅(qū)動方面的電路,難免要用到MOS管。MOS管有很多種類,也有很多作用。做電源或者驅(qū)動的使用,當(dāng)然就是用它的開關(guān)作用。
MOS管做電源設(shè)計或者做驅(qū)動方面的電路,難免要用到MOS管。MOS管有很多種類,也有很多作用。做電源或者驅(qū)動的使用,當(dāng)然就是用它的開關(guān)作用。
01、MOSFET的擊穿有哪幾種?
Source、Drain、Gate
場效應(yīng)管的三極:源級S、漏級D、柵級G
(這里不講柵極GOX擊穿了啊,只針對漏極電壓擊穿)
先講測試條件,都是源柵襯底都是接地,然后掃描漏極電壓,直至Drain端電流達到1uA。所以從器件結(jié)構(gòu)上看,它的漏電通道有三條:Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。
1) Drain-》Source穿通擊穿:
這個主要是Drain加反偏電壓后,使得Drain/Bulk的PN結(jié)耗盡區(qū)延展,當(dāng)耗盡區(qū)碰到Source的時候,那源漏之間就不需要開啟就形成了 通路,所以叫做穿通(punch through)。那如何防止穿通呢?這就要回到二極管反偏特性了,耗盡區(qū)寬度除了與電壓有關(guān),還與兩邊的摻雜濃度有關(guān),濃度越高可以抑制耗盡區(qū)寬度延展,所以flow里面有個防穿通注入(APT:AnTI Punch Through),記住它要打和well同type的specis。當(dāng)然實際遇到WAT的BV跑了而且確定是從Source端走了,可能還要看是否 PolyCD或者Spacer寬度,或者LDD_IMP問題了,那如何排除呢?這就要看你是否NMOS和PMOS都跑了?POLY CD可以通過Poly相關(guān)的WAT來驗證。對吧?
對于穿通擊穿,有以下一些特征:
(1)穿通擊穿的擊穿點軟,擊穿過程中,電流有逐步增大的特征,這是因為耗盡層擴展較寬,產(chǎn)生電流較大。另一方面,耗盡層展寬大容易發(fā)生DIBL效應(yīng),使源襯底結(jié)正偏出現(xiàn)電流逐步增大的特征。
(2)穿通擊穿的軟擊穿點發(fā)生在源漏的耗盡層相接時,此時源端的載流子注入到耗盡層中,
被耗盡層中的電場加速達到漏端,因此,穿通擊穿的電流也有急劇增大點,這個電流的急劇增大和雪崩擊穿時電流急劇增大不同,這時的電流相當(dāng)于源襯底PN結(jié)正向?qū)〞r的電流,而雪崩擊穿時的電流主要為PN結(jié)反向擊穿時的雪崩電流,如不作限流,雪崩擊穿的電流要大。
(3)穿通擊穿一般不會出現(xiàn)破壞性擊穿。因為穿通擊穿場強沒有達到雪崩擊穿的場強,不會產(chǎn)生大量電子空穴對。
(4)穿通擊穿一般發(fā)生在溝道體內(nèi),溝道表面不容易發(fā)生穿通,這主要是由于溝道注入使表面濃度比濃度大造成,所以,對NMOS管一般都有防穿通注入。
(5)一般的,鳥嘴邊緣的濃度比溝道中間濃度大,所以穿通擊穿一般發(fā)生在溝道中間。
(6)多晶柵長度對穿通擊穿是有影響的,隨著柵長度增加,擊穿增大。而對雪崩擊穿,嚴格來說也有影響,但是沒有那么顯著。
2) Drain-》Bulk雪崩擊穿:
這就單純是PN結(jié)雪崩擊穿了(**alanche Breakdown),主要是漏極反偏電壓下使得PN結(jié)耗盡區(qū)展寬,則反偏電場加在了PN結(jié)反偏上面,使得電子加速撞擊晶格產(chǎn)生新的電子空穴對 (Electron-Hole pair),然后電子繼續(xù)撞擊,如此雪崩倍增下去導(dǎo)致?lián)舸?,所以這種擊穿的電流幾乎快速增大,I-V curve幾乎垂直上去,很容燒毀的。(這點和源漏穿通擊穿不一樣)
那如何改善這個juncTIon BV呢?所以主要還是從PN結(jié)本身特性講起,肯定要降低耗盡區(qū)電場,防止碰撞產(chǎn)生電子空穴對,降低電壓肯定不行,那就只能增加耗盡區(qū)寬度了,所以要改變 doping profile了,這就是為什么突變結(jié)(Abrupt juncTIon)的擊穿電壓比緩變結(jié)(Graded JuncTIon)的低。這就是學(xué)以致用,別人云亦云啊。
當(dāng)然除了doping profile,還有就是doping濃度,濃度越大,耗盡區(qū)寬度越窄,所以電場強度越強,那肯定就降低擊穿電壓了。而且還有個規(guī)律是擊穿電壓通常是由低 濃度的那邊濃度影響更大,因為那邊的耗盡區(qū)寬度大。公式是BV=K*(1/Na+1/Nb),從公式里也可以看出Na和Nb濃度如果差10倍,幾乎其中一 個就可以忽略了。
那實際的process如果發(fā)現(xiàn)BV變小,并且確認是從junction走的,那好好查查你的Source/Drain implant了
3) Drain-》Gate擊穿:
這個主要是Drain和Gate之間的Overlap導(dǎo)致的柵極氧化層擊穿,這個有點類似GOX擊穿了,當(dāng)然它更像 Poly finger的GOX擊穿了,所以他可能更care poly profile以及sidewall damage了。當(dāng)然這個Overlap還有個問題就是GIDL,這個也會貢獻Leakage使得BV降低。
上面講的就是MOSFET的擊穿的三個通道,通常BV的case以前兩種居多。
上面講的都是Off-state下的擊穿,也就是Gate為0V的時候,但是有的時候Gate開啟下Drain加電壓過高也會導(dǎo)致?lián)舸┑?,我們稱之為 On-state擊穿。這種情況尤其喜歡發(fā)生在Gate較低電壓時,或者管子剛剛開啟時,而且?guī)缀醵际荖MOS。所以我們通常WAT也會測試BVON。
02、如何處理MOS管小電流發(fā)熱嚴重情況?
MOS管,做電源設(shè)計,或者做驅(qū)動方面的電路,難免要用到MOS管。MOS管有很多種類,也有很多作用。做電源或者驅(qū)動的使用,當(dāng)然就是用它的開關(guān)作用。
無論N型或者P型MOS管,其工作原理本質(zhì)是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性,不會發(fā)生像三極管做開關(guān)時的因基極電流引起的電荷存儲效應(yīng),因此在開關(guān)應(yīng)用中,MOS管的開關(guān)速度應(yīng)該比三極管快。
我們經(jīng)??碝OS管的PDF參數(shù),MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來定義導(dǎo)通阻抗,對開關(guān)應(yīng)用來說,RDS(ON)也是最重要的器件特性。數(shù)據(jù)手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅(qū)動)電壓VGS以及流經(jīng)開關(guān)的電流有關(guān),但對于充分的柵極驅(qū)動,RDS(ON)是一個相對靜態(tài)參數(shù)。一直處于導(dǎo)通的MOS管很容易發(fā)熱。另外,慢慢升高的結(jié)溫也會導(dǎo)致RDS(ON)的增加。MOS管數(shù)據(jù)手冊規(guī)定了熱阻抗參數(shù),其定義為MOS管封裝的半導(dǎo)體結(jié)散熱能力。RθJC的最簡單的定義是結(jié)到管殼的熱阻抗。
03、mos管小電流發(fā)熱的原因
1、電路設(shè)計的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關(guān),G級電壓要比電源高幾V,才能完全導(dǎo)通,P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計電路的最忌諱的錯誤。
2、頻率太高,主要是有時過分追求體積,導(dǎo)致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發(fā)熱也加大了。
3、沒有做好足夠的散熱設(shè)計,電流太高,MOS管標(biāo)稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流,也可能發(fā)熱嚴重,需要足夠的輔助散熱片。
4、MOS管的選型有誤,對功率判斷有誤,MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮,導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大。
04、mos管小電流發(fā)熱嚴重怎么解決
1)做好MOS管的散熱設(shè)計,添加足夠多的輔助散熱片。
2)貼散熱膠。
05、MOS管為什么可以防止電源反接?
電源反接,會給電路造成損壞,不過,電源反接是不可避免的。所以,我們就需要給電路中加入保護電路,達到即使接反電源,也不會損壞的目的。
一般可以使用在電源的正極串入一個二極管解決,不過,由于二極管有壓降,會給電路造成不必要的損耗,尤其是電池供電場合,本來電池電壓就3.7V,你就用二極管降了0.6V,使得電池使用時間大減。
MOS管防反接,好處就是壓降小,小到幾乎可以忽略不計?,F(xiàn)在的MOS管可以做到幾個毫歐的內(nèi)阻,假設(shè)是6.5毫歐,通過的電流為1A(這個電流已經(jīng)很大了),在他上面的壓降只有6.5毫伏。
由于MOS管越來越便宜,所以人們逐漸開始使用MOS管防電源反接了。
NMOS管防止電源反接電路:
正確連接時:剛上電,MOS管的寄生二極管導(dǎo)通,所以S的電位大概就是0.6V,而G極的電位,是VBAT,VBAT-0.6V大于UGS的閥值開啟電壓,MOS管的DS就會導(dǎo)通,由于內(nèi)阻很小,所以就把寄生二極管短路了,壓降幾乎為0。
電源接反時:UGS=0,MOS管不會導(dǎo)通,和負載的回路就是斷的,從而保證電路安全。
PMOS管防止電源反接電路:
正確連接時:剛上電,MOS管的寄生二極管導(dǎo)通,電源與負載形成回路,所以S極電位就是VBAT-0.6V,而G極電位是0V,PMOS管導(dǎo)通,從D流向S的電流把二極管短路。
電源接反時:G極是高電平,PMOS管不導(dǎo)通。保護電路安全。
連接技巧:NMOS管DS串到負極,PMOS管DS串到正極,讓寄生二極管方向朝向正確連接的電流方向。
感覺DS流向是“反”的?
仔細的朋友會發(fā)現(xiàn),防反接電路中,DS的電流流向,和我們平時使用的電流方向是反的。
為什么要接成反的?
利用寄生二極管的導(dǎo)通作用,在剛上電時,使得UGS滿足閥值要求。
為什么可以接成反的?
如果是三極管,NPN的電流方向只能是C到E,PNP的電流方向只能是E到C。不過,MOS管的D和S是可以互換的。這也是三極管和MOS管的區(qū)別之一。
06、MOS管功率損耗測量
MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上,PFC MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復(fù)摸索,那么該如何量化評估呢?
1.1 功率損耗的原理圖和實測圖
一般來說,開關(guān)管工作的功率損耗原理圖如圖 1所示,主要的能量損耗體現(xiàn)在“導(dǎo)通過程”和“關(guān)閉過程”,小部分能量體現(xiàn)在“導(dǎo)通狀態(tài)”,而關(guān)閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為0,可以忽略不計。
實際的測量波形圖一般如圖 2所示。
1.2 MOSFET和PFC MOSFET的測試區(qū)別
對于普通MOS管來說,不同周期的電壓和電流波形幾乎完全相同,因此整體功率損耗只需要任意測量一個周期即可。但對于PFC MOS管來說,不同周期的電壓和電流波形都不相同,因此功率損耗的準(zhǔn)確評估依賴較長時間(一般大于10ms),較高采樣率(推薦1G采樣率)的波形捕獲,此時需要的存儲深度推薦在10M以上,并且要求所有原始數(shù)據(jù)(不能抽樣)都要參與功率損耗計算,實測截圖如圖 3所示。
免責(zé)聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請電話或者郵箱聯(lián)系小編進行侵刪。