【導(dǎo)讀】白光LED驅(qū)動(dòng)器采用開關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如電感式升壓轉(zhuǎn)換器。轉(zhuǎn)換器在高速開關(guān)的同時(shí),由于使用電感產(chǎn)生EMI干擾,會(huì)給手機(jī)其他功能模塊的設(shè)計(jì)帶來困難。隨著LCD屏幕的增大,驅(qū)動(dòng)器所需的輸出能力也相應(yīng)增加,EMI干擾也會(huì)變得嚴(yán)重。
圖1:TPS61161的典型應(yīng)用
TPS61161升壓轉(zhuǎn)換器除了提供10顆LED的驅(qū)動(dòng)能力外,在EMI問題上也有相應(yīng)的設(shè)計(jì)考慮,其典型應(yīng)用如圖1所示。在TPS61161開關(guān)設(shè)計(jì)上采取兩次開關(guān)過程,有效降低了EMI的輻射強(qiáng)度,從而避免驅(qū)動(dòng)器對(duì)手機(jī)其他模塊的影響。如圖2黑色曲線所示,當(dāng)TPS61161打開內(nèi)部MOSFET開關(guān)管時(shí),MOSFET的漏源電壓Vds在很短的時(shí)間內(nèi)從高壓變成接近于零的低壓,即很大的電壓變化率dv/dt;并且在開關(guān)開啟的初期,由于MOSFET的特性,流過MOSFET開關(guān)管的電流變化率也很大,即di/dt??紤]到dv/dt和di/dt對(duì)于EMI產(chǎn)生的作用,在MOSFET開啟初期,采用減慢開關(guān)電壓變化率dv/dt來減少EMI強(qiáng)度,如圖2紅色曲線所示。
圖2:當(dāng)TPS61161打開內(nèi)部MOSFET開關(guān)管時(shí),MOSFET的漏源電壓VDS在很短的時(shí)間內(nèi)從高壓變成接近于零的低壓
傳統(tǒng)的開關(guān)技術(shù)和二次開關(guān)技術(shù)在實(shí)際EMI測(cè)試結(jié)果證明,TPS61161的二次開關(guān)技術(shù)減低了EMI輻射能量。在EMI測(cè)試試驗(yàn)中,TPS61161通過電池電壓3.7V驅(qū)動(dòng)10顆串聯(lián)LED。圖3a表示了EMI測(cè)試環(huán)境空間的白噪聲,圖3b表示了TPS61161采用傳統(tǒng)開關(guān)的EMI測(cè)試結(jié)果,圖3c表示了TPS61161采用現(xiàn)有二次開關(guān)技術(shù)的EMI測(cè)試結(jié)果。試驗(yàn)結(jié)果表明,二次開關(guān)使得EMI輻射強(qiáng)度減少了10db。
圖3:(A)表示了EMI測(cè)試環(huán)境空間的自噪聲
(B)表示了TPS61161采用傳統(tǒng)開關(guān)的EMI測(cè)試結(jié)果
(C)表示了TPS61161采用現(xiàn)有二次開關(guān)技術(shù)的EMI測(cè)試結(jié)果
另外,TPS61161支持線性調(diào)光技術(shù)——通過調(diào)節(jié)LED的導(dǎo)通電流,改變LED的發(fā)光強(qiáng)度。這種調(diào)光方法有效地避免了由于LED調(diào)光所引起的EMI干擾。此類干擾經(jīng)常發(fā)生在PWM調(diào)光方式。