本人做LED也有些年頭了，比較慶幸，剛畢業(yè)出來實(shí)習(xí)，第一家就是做LED的，然后從此就沒離開過這個行業(yè)，從LED成品到LED電源?，F(xiàn)在證明我那時并沒有選錯，雖說LED現(xiàn)在競爭激烈，沒多少利潤，但是做LED的工程很吃香，現(xiàn)在想和大家分享下這幾年的經(jīng)驗(yàn)，從電源研發(fā)到EMI整改認(rèn)證到做成品燈。說是分享，大家可以發(fā)表不同的意見，畢竟比起做了十幾、二十年的工程來說，只是班門弄斧。先說下EMI整改吧，畢竟對剛接觸整改的年輕工程師來說，最頭痛的就是輻射整改。

此圖顯示已經(jīng)明顯超標(biāo)了，接下來給大家慢慢介紹整改過程和整改方法。

上PCB，對于EMI來說，走線就是靈魂。由于板子要內(nèi)置，有尺寸要求，并且還要有可控硅調(diào)光功能，由于節(jié)省了很多EMI元件，導(dǎo)致明顯超標(biāo)。

右邊的電源，由兩片板組合，8W調(diào)光。

第二頁：EMI整改方法分享

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網(wǎng)友總結(jié)的整改方法

1、應(yīng)對垂直30M-50M超標(biāo)的絕招之一：MOS管S極串入磁珠，可以有效減少30M位置。
MOS管DS加入吸收，能有效減少輻射。加入47PF/1KV電容（實(shí)際47PF-100PF都行，在能過輻射的條件下，盡量小，因?yàn)檫@個吸收電容有損耗，會使MOS管發(fā)熱嚴(yán)重，并降低效率，不太建議用100PF，想效果明顯的，最好用RC吸收）

經(jīng)過兩個步驟的處理之后，輻射圖如下：

有人問到為什么磁珠加在S極，不是D極？磁珠串在D級有效減小50-80M輻射，對30M輻射效果不大，卡在灌膠輻射增加的同志們，我去測試的時候常常和遇到的工程聊這個話題，輻射余量越大當(dāng)然越好，工程們也安心，但對于我這款不用灌膠的電源來說，3DB足以，因?yàn)橐鎸Φ牟粌H是EMI，還有成本，空間壓力，并不能加入太多EMI元件，會考慮到灌膠，余量不止6DB整改。

2.解決EMI和效率之間的平衡問題關(guān)鍵絕招是：鋁殼子接地，對于大功率，在板子多個地方和地之間加入Y電容。
 
最終整改的輻射圖

輻射的關(guān)鍵在于，適當(dāng)?shù)念l率（50-60K),良好的走線。