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國(guó)內(nèi)電機(jī)企業(yè)聚首杭州 探析電機(jī)核心技術(shù)創(chuàng)新
工業(yè)的發(fā)展，在很大程度上得益于電機(jī)的發(fā)展與應(yīng)用。電機(jī)自產(chǎn)生之日起，就廣泛應(yīng)用在各個(gè)領(lǐng)域。如果將電力設(shè)備制造業(yè)比作一個(gè)有機(jī)整體，那么，電機(jī)行業(yè)便是這個(gè)機(jī)體的“心臟”。
2013-05-19
電機(jī)
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設(shè)計(jì)新思路:高效中頻熔斷電源設(shè)計(jì)
廣大工程師都有這樣一個(gè)困擾，常規(guī)晶閘管并聯(lián)諧振中頻電源存在的在熔煉期內(nèi)輸出功率達(dá)不到額定功率，針對(duì)這一問(wèn)題，本文設(shè)計(jì)了一種對(duì)DC/AC逆變器采用調(diào)節(jié)功率角φ的觸發(fā)控制電路，配合原有的AC/DC相控雙閉環(huán)控制電路，可以使中頻熔煉電源實(shí)現(xiàn)高效控制。
2013-05-17
中頻電源 晶閘管
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SICK推出新一代方型電感式接近開(kāi)關(guān)IQ08/10/12
新一代IQ 系列方型電感式接近開(kāi)關(guān)，提供IQ08，IQ10 以及IQ12 三種規(guī)格，在產(chǎn)品性能上繼續(xù)延續(xù)上一代產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)，還引入了多項(xiàng)技術(shù)以提高產(chǎn)品穩(wěn)定性和可靠性應(yīng)對(duì)惡劣環(huán)境應(yīng)用。
2013-05-16
接近開(kāi)關(guān)
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SICK推出電容式接近開(kāi)關(guān)CM12
CM12電容式接近開(kāi)關(guān)針對(duì)各種非金屬測(cè)量應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，其外殼尺寸為直徑12mm，但檢測(cè)距離卻能達(dá)8mm，節(jié)省了安裝空間之余還拓寬了其應(yīng)用范圍。
2013-05-16
電容
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無(wú)線集抄技術(shù)前景一片光明
微處理器芯片作為智能化電能表的“心臟”，近幾年隨著應(yīng)用范圍的擴(kuò)大，其技術(shù)水平也在不斷地提升，極大地促進(jìn)了智能抄表的應(yīng)用。隨著無(wú)線通信技術(shù)在自動(dòng)抄表系統(tǒng)及智能電網(wǎng)中的應(yīng)用，無(wú)線抄表技術(shù)得到很好的發(fā)展。
2013-05-16
無(wú)線集抄
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智能電表發(fā)展態(tài)勢(shì)強(qiáng)勁
智能電表作為新一代電能表，除了具備電能計(jì)量的基本功能外，還擁有用電信息存儲(chǔ)、遠(yuǎn)程采集、信息交互等功能。相較于原有的卡式表和機(jī)械式表，智能電表使用戶購(gòu)電更方便、用電更明白、生活更低碳。各種優(yōu)勢(shì)使智能電表受到我國(guó)社會(huì)各界的熱捧。
2013-05-16
智能電表
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高性能電解電容器是LED長(zhǎng)壽命的保障
LED是一種壽命極長(zhǎng)的電光源，其使用壽命可以達(dá)到10萬(wàn)小時(shí)。但是，在實(shí)際應(yīng)用中，LED的壽命并不能達(dá)到理想的長(zhǎng)度，有的甚至使用不到一年就已經(jīng)損壞。究其原因，鋁電解電容器是導(dǎo)致LED驅(qū)動(dòng)電路壽命達(dá)不到要求的關(guān)鍵元素。如果能做出長(zhǎng)壽命電解電容器，使電解電容器的壽命與LED壽命基本相同。那么，電...
2013-05-16
電解電容
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安森美推出降低30%開(kāi)關(guān)損耗的截止型IGBT器件
近日，安森美半導(dǎo)體推出新的第二代場(chǎng)截止型(FSII)IGBT器件，降低開(kāi)關(guān)損耗達(dá)30%，因而提供更高能效，并轉(zhuǎn)化為更低的外殼溫度，為設(shè)計(jì)人員增強(qiáng)系統(tǒng)總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對(duì)目標(biāo)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，相比現(xiàn)有器件能降低外殼溫度達(dá)20%。
2013-05-16
安森美 IGBT 開(kāi)關(guān)損耗
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孰優(yōu)孰劣:氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管VS硅功率器件?
工程師常常認(rèn)為當(dāng)應(yīng)用需要更高電壓時(shí)，使用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)在性能方面才更具優(yōu)勢(shì)。但是，如果只是考慮開(kāi)關(guān)品質(zhì)因數(shù)，相比先進(jìn)的MOSFET器件，200V的eGaN FET器件的優(yōu)勢(shì)好像減弱了。GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管與硅功率器件中低壓降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的性能到底怎樣？且聽(tīng)本文細(xì)細(xì)分解。
2013-05-16
氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 硅功率器件
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