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第八屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)現(xiàn)場(chǎng)盛況直播!
西部電子的高可靠性、高防護(hù)性特點(diǎn)使得西部電子市場(chǎng)過流過壓保護(hù)、ESD防護(hù)、防雷、浪涌保護(hù)等電路保護(hù)和電磁兼容技術(shù)在電子系統(tǒng)中的重要性日益凸顯。為了提高西部電子的可靠性設(shè)計(jì)，2011年8月23日由電子元件技術(shù)網(wǎng)(m.me3buy.cn）攜手中國(guó)電子展、我愛方案網(wǎng)(www.52solution.com）和China outl...
2011-08-24
電路保護(hù) 電磁兼容 2011西部電子論壇
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瑞薩行動(dòng)宣布與華為、安立知合作成果
近日消息，據(jù)外媒報(bào)道，行動(dòng)通訊半導(dǎo)體解決方案與平臺(tái)供應(yīng)商瑞薩電子(Renesas Electronics)獨(dú)資子公司瑞薩通信技術(shù)公司(Renesas Mobile Corporation，以下簡(jiǎn)稱瑞薩行動(dòng) )宣布，該公司近日與各產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商積極合作、頻傳佳績(jī)，包括與全球領(lǐng)先的信息及通信解決方案供應(yīng)商華為 (HUAWEI)攜手刷新 HSUPA...
2011-08-24
通訊 半導(dǎo)體 華為 無(wú)線調(diào)制解調(diào)器
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電動(dòng)車將超過電腦成為鋰離子電池最大市場(chǎng)
據(jù)外媒報(bào)道，本周由關(guān)鍵信息、產(chǎn)品、解決方案和服務(wù)供應(yīng)商IHS公布的報(bào)告中稱：到2015年，電動(dòng)汽車市場(chǎng)將會(huì)超過筆記本電腦市場(chǎng)，成為鋰離子電池最大的銷售領(lǐng)域。
2011-08-24
鋰離子 電腦 電動(dòng)車 電池
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我國(guó)鋰電池材料發(fā)展亟待突破國(guó)外專利封鎖
“日本、中國(guó)和韓國(guó)是世界3大鋰離子電池生產(chǎn)國(guó)，2010年全球鋰離子電池的產(chǎn)量約為50億只，中國(guó)生產(chǎn)了16億只，占到了32%?！敝袊?guó)化學(xué)與物理電源行業(yè)協(xié)會(huì)秘書長(zhǎng)劉彥龍日前表示。然而，如此龐大的鋰電池產(chǎn)業(yè)，卻面臨極大的材料專利糾紛，這也成為懸在中國(guó)鋰電池行業(yè)頭頂?shù)睦麆Α?/p>
2011-08-24
鋰電池 磷酸鐵 錳酸鋰材料 電動(dòng)車
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歐美太陽(yáng)能此消彼長(zhǎng) 中國(guó)需求拉升多晶硅價(jià)格
最近專注于全球太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的兩家市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Solarbuzz和EnergyTrend接連發(fā)布報(bào)告，指出歐美太陽(yáng)能市場(chǎng)出現(xiàn)此消彼長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，中國(guó)需求拉升全球多晶硅價(jià)格，各國(guó)乃至全球太陽(yáng)能市場(chǎng)版圖重新洗牌在所難免。
2011-08-24
太陽(yáng)能 多晶硅
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電磁屏蔽技術(shù)分析
近幾年來(lái)，隨著電磁兼容工作的開展，電磁屏蔽技術(shù)應(yīng)用得越來(lái)越廣泛。為了對(duì)電磁屏蔽技術(shù)有更深入的理解，應(yīng)當(dāng)對(duì)屏蔽材料的性能和應(yīng)用場(chǎng)合、屏蔽技術(shù)的注意事項(xiàng)、屏蔽效能的檢測(cè)以及特殊部位的屏蔽措施等進(jìn)行更深入的探討。
2011-08-24
電磁屏蔽 屏蔽 EMC EMI
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串聯(lián)電池電壓及溫度測(cè)量方法研究
在提倡節(jié)能減排的時(shí)代背景下，新能源的研究正成為公眾關(guān)注的焦點(diǎn)，以電為動(dòng)力的電動(dòng)車就是研究的熱點(diǎn)之一。電池是電動(dòng)車的能量之源，為確保電池組性能良好并延長(zhǎng)其使用壽命，需要對(duì)電池組進(jìn)行管理和控制，其前提是必須準(zhǔn)確而又可靠的獲得電池現(xiàn)存的容量參數(shù)。
2011-08-24
串聯(lián)電池 寄存陣 C語(yǔ)言 溫度測(cè)量
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電平位移電路應(yīng)用于負(fù)電源的設(shè)計(jì)
本文設(shè)計(jì)了一種應(yīng)用于負(fù)電源的電平位移電路。實(shí)現(xiàn)從0～8V低壓邏輯輸入到8～-100V高壓驅(qū)動(dòng)輸出的轉(zhuǎn)換。分析了該電路的結(jié)構(gòu)和工作原理?；诖穗娐方Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)了滿足應(yīng)用要求的高壓薄膜SOI LDMOS器件。分析了器件的工作狀態(tài)以及耐壓機(jī)理，并利用工藝器件聯(lián)合仿真對(duì)器件的電學(xué)特性進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。
2011-08-24
電平位移 薄膜SOI LDMOS 負(fù)電源 開態(tài)擊穿電壓
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單相橋式PWM逆變器死區(qū)補(bǔ)償?shù)囊环N方法
橋式PWM逆變器中，為了防止同橋臂開關(guān)器件直通，需要在其互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)信號(hào)中設(shè)置死區(qū)，但同時(shí)會(huì)導(dǎo)致輸出電壓基波幅值降低并產(chǎn)生低次諧波等。為改善輸出電壓波形，可采取多種方法，相關(guān)資料也介紹了死區(qū)補(bǔ)償?shù)姆椒?，但未能采用圖文形象、直觀的介紹死區(qū)補(bǔ)償?shù)倪^程，而采用純數(shù)學(xué)推理和文字說明較抽象，不...
2011-08-23
單相橋式PWM逆變器 死區(qū)補(bǔ)償 PWM 逆變器
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