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能源電力

寧夏5個(gè)光伏電站同時(shí)并網(wǎng)發(fā)電

近日，中節(jié)能投資公司太陽(yáng)山10兆瓦太陽(yáng)能光伏電站和寧夏發(fā)電集團(tuán)10兆瓦太陽(yáng)能光伏電站等5個(gè)公司共計(jì)40兆瓦大型太陽(yáng)能光伏電站成功并網(wǎng)發(fā)電，標(biāo)志著……

2010-02-08

光伏光伏電站太陽(yáng)能光伏

半導(dǎo)體——轉(zhuǎn)變經(jīng)營(yíng)模式迎接后硅時(shí)代

全球半導(dǎo)體業(yè)自2008年秋遭受金融風(fēng)暴步入衰退,所幸2009年初迅即觸底,此后明顯出現(xiàn)復(fù)蘇跡象,市場(chǎng)反彈,公司業(yè)績(jī)紛紛飄紅。在辭舊迎新之際,業(yè)界一致看好新的一年市場(chǎng)可望有兩位數(shù)增長(zhǎng),廠商信心大增。那么,業(yè)界應(yīng)該如何迎接2010年,爭(zhēng)取最優(yōu)良的業(yè)績(jī)呢？

2010-02-08

半導(dǎo)體經(jīng)營(yíng)模式后硅時(shí)代

西開(kāi)隔離開(kāi)關(guān)及互感器系列新產(chǎn)品通過(guò)鑒定

近日，集團(tuán)公司主持召開(kāi)了西開(kāi)有限公司2009年隔離開(kāi)關(guān)和互感器系列新產(chǎn)品鑒定會(huì)。本次鑒定會(huì)分兩部分，分別對(duì)7種隔離開(kāi)關(guān)系列新品和10種互感器系列新品進(jìn)行了鑒定，鑒定委員會(huì)由集團(tuán)公司和西高院等單位有關(guān)專家組成。

2010-02-05

西開(kāi) 隔離開(kāi)關(guān) 互感器

視聽(tīng)產(chǎn)品發(fā)展將為電聲器件帶來(lái)無(wú)限機(jī)遇

隨著信息技術(shù)和通信技術(shù)的發(fā)展，對(duì)電聲器件的發(fā)展產(chǎn)生了巨大的影響。高檔電聲器件技術(shù)發(fā)展很快，各種形式的電聲器件不斷涌現(xiàn)，正在進(jìn)入一個(gè)發(fā)展的黃金時(shí)代。

2010-02-05

視聽(tīng)產(chǎn)品電聲器件元器件

高亮度LED市場(chǎng)的照明與背光時(shí)代來(lái)臨

高亮度LED應(yīng)用市場(chǎng)主要分為移動(dòng)應(yīng)用、照明、汽車、標(biāo)識(shí)/顯示、信號(hào)燈等幾類。2008年全球高亮度LED市場(chǎng)產(chǎn)值達(dá)到51億美元，其中，移動(dòng)應(yīng)用占42%的份額，標(biāo)識(shí)/顯示應(yīng)用占17%，汽車應(yīng)用占15%，照明應(yīng)用占10%，信號(hào)應(yīng)用占1%，其余占16%的份額。

2010-02-05

高亮度LED 照明背光

多晶硅行業(yè)洗牌開(kāi)始:標(biāo)準(zhǔn)被指清洗中小企業(yè)

即將出臺(tái)的《多晶硅行業(yè)準(zhǔn)入標(biāo)準(zhǔn)》又一次將多晶硅制造企業(yè)推上風(fēng)口浪尖。

2010-02-05

多晶硅標(biāo)準(zhǔn) 光伏

低功耗電源的電感選擇

超低功率或者超高功率開(kāi)關(guān)電源|穩(wěn)壓器的電感,并不象一般開(kāi)關(guān)電源那樣容易選擇。目前常規(guī)的電感都是為一些主流設(shè)計(jì)所制造,并不能很好地滿足一些特殊設(shè)計(jì)。本文主要討論超低功率、超高效率Buck電路的電感選擇問(wèn)題。

2010-02-05

低功耗電源電感選擇磁滯

熔斷器應(yīng)用指南

熔斷器在電路保護(hù)中起著關(guān)鍵作用。對(duì)熔斷器的基本要求是不該斷的時(shí)候不能斷（比如在出現(xiàn)浪涌電流的時(shí)候），該斷的時(shí)候一定要斷（比如出現(xiàn)需要切斷的過(guò)載電流的時(shí)候）。選擇正確的熔斷器至關(guān)重要，本文對(duì)熔斷器的選擇做一詳細(xì)介紹。

2010-02-05

陶瓷片式熔斷器 AEM 工作溫度額定電壓短路截流能力熔化特性熔化電流

Vishay Siliconix 發(fā)布4款600V MOSFET SiHx22N60S

Vishay 推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET?技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。

2010-02-04

Vishay 600V MOSFET SiHx22N60S

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