- 占板空間僅為64平方毫米,高度僅為1毫米
- 具備2nH的極低寄生電感
- 其獨立的驅動源連接點可以保證干凈的柵極信號
- 功率MOSFET
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米(D2PAK的占板空間為150平方毫米),高度僅為1毫米(D2PAK的高度為4.4毫米)。大幅縮小的封裝尺寸結合低寄生電感,使設計者能以全新方式有效降低高功率密度應用所需的系統(tǒng)解決方案尺寸。
全新封裝采用表面貼裝方式,在8x8毫米的無管腳封裝內(nèi),貼裝業(yè)界標準TO-220晶粒,并具備金屬裸焊盤,便于內(nèi)部高效散熱。其低矮外形便于設計者設計出更薄的電源外殼,滿足當今市場對時尚纖巧新品的需求。目前有兩家公司可推出這種新封裝:英飛凌和意法半導體將推出采用這種創(chuàng)新封裝的MOSFET,分別為ThinPAK 8x8(英飛凌)和PowerFLAT™ 8x8 HV(意法半導體),為客戶提供不同的優(yōu)質選擇。
英飛凌高壓MOS產(chǎn)品線經(jīng)理Jan-Willem Reynaerts指出:“今天我們與意法半導體合作推出的新型封裝,為高壓MOSFET的無管腳SMD封裝樹立了行業(yè)新標桿。CoolMOS™ 等硅技術已發(fā)展到可高效快速開關的高級階段。在該階段,傳統(tǒng)的標準過孔封裝逐漸成為限制能效和功率密度進一步提升的因素。”
ThinPAK 8x8封裝不僅具備2nH的極低寄生電感(D2PAK的寄生電感為6nH)、與D2PAK類似的散熱性能,而且其獨立的驅動源連接點可以保證干凈的柵極信號。因此,ThinPAK 8x8封裝可使功率MOSFET實現(xiàn)更快速、高效的開關,更輕松地處理開關行為和電磁干擾。
初期,英飛凌將推出三款采用這種新封裝的600V CoolMOS™ 器件:199毫歐(IPL60R199CP)、299毫歐(IPL60R299CP)和385毫歐(IPL60R385CP)。
供貨
采用ThinPAK 8x8封裝的新器件樣品目前已開始提供。量產(chǎn)時間可根據(jù)從訂貨到交貨的標準周期確定。