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“三網(wǎng)融合”塵埃落定 真正贏家將是老百姓
“三網(wǎng)融合”名為利益格局的重整，實(shí)為以前各自封閉的廣電和電信領(lǐng)域引入了新的競(jìng)爭(zhēng)者。不管廣電、電信和互聯(lián)網(wǎng)的利益格局如何，真正的贏家將是老百姓。
2010-06-22
三網(wǎng)融合 電信 互聯(lián)網(wǎng)
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第一季度筆記本電腦出貨金額增1.7%
根據(jù)DisplaySearch最新調(diào)查結(jié)果表示，2010年第一季度筆記本電腦出貨金額達(dá)311億美金，這是自2008年第三季以來(lái)最高單季出貨紀(jì)錄，當(dāng)時(shí)筆記本電腦均價(jià)較目前高出20%。除了取代臺(tái)式電腦的筆記本電腦（Desktop Replacement）均價(jià)下降外，其它應(yīng)用領(lǐng)域如上網(wǎng)本/平板電腦（netbook PC/ slate），與超可攜...
2010-06-22
筆記本 電腦 上網(wǎng)本 平板電腦 超可攜式電腦
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3G終端初具規(guī)模 智能手機(jī)權(quán)重加大
中國(guó)3G市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)一年有余，在三大運(yùn)營(yíng)商的引導(dǎo)和產(chǎn)業(yè)鏈的共同努力下，不僅解決了3G終端質(zhì)量的硬傷，而且基于3G的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)蓬勃發(fā)展，3G終端的市場(chǎng)占有率穩(wěn)步提升。在剛剛結(jié)束的第八屆國(guó)際手機(jī)產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇（中國(guó).天津）上，三大運(yùn)營(yíng)商及主要終端廠商齊聚天津，通過(guò)分析一年來(lái)3G終端市場(chǎng)的運(yùn)...
2010-06-22
3G 終端 智能手機(jī)
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2010年歐洲無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施支出預(yù)計(jì)小幅增長(zhǎng)
據(jù)iSuppli公司，2010年歐洲移動(dòng)運(yùn)營(yíng)商在無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施方面的投資將略有增長(zhǎng)，符合當(dāng)前的謹(jǐn)慎心態(tài)。同時(shí)，運(yùn)營(yíng)商尋找可行的創(chuàng)收模式，讓其網(wǎng)絡(luò)中急劇增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)流量發(fā)揮效益。
2010-06-22
歐洲 無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施 增長(zhǎng) iSuppli
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BGA封裝的焊球評(píng)測(cè)
BGA和CSP等陣列封裝在過(guò)去十年里CAGR已增長(zhǎng)了近25%，預(yù)計(jì)還將繼續(xù)維持此增長(zhǎng)率。同時(shí)，器件封裝更加功能化，具有更高的I/O數(shù)量，更細(xì)的節(jié)距。但是好的焊球是什么樣一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，如何才能做好是很多初學(xué)者的疑問(wèn)，請(qǐng)看本文為你的分析
2010-06-21
BGA封裝 焊球 評(píng)測(cè) HJTECH
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可制造性設(shè)計(jì)
PCB可制造性設(shè)計(jì)分析（DFM系統(tǒng)）是一個(gè)促進(jìn)生產(chǎn)力的強(qiáng)大工具。它能促使你在毫無(wú)損失的情況下使設(shè)計(jì)更加小型化，降低產(chǎn)品上市時(shí)間并信心十足地在全球制造趨勢(shì)中獲利受益。如果不使用DFM，則你可能面臨高成本、高風(fēng)險(xiǎn)的巨大挑戰(zhàn)。不信，那么請(qǐng)仔細(xì)的閱讀本文
2010-06-21
可制造性 DFM PCB設(shè)計(jì) 新產(chǎn)品導(dǎo)入（NPI）
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無(wú)塵室電纜集塵問(wèn)題研究
對(duì)于潔凈室環(huán)境來(lái)說(shuō)，電纜拖鏈中的電纜集塵是一個(gè)復(fù)雜的問(wèn)題。為了盡量減少集塵，需要盡可能地避免電纜以及套管之間的摩擦。盡管通過(guò)減少運(yùn)動(dòng)器件可以減少集塵，但是自動(dòng)生產(chǎn)線上電纜的運(yùn)動(dòng)不可避免。本文對(duì)無(wú)塵室電纜拖鏈中的電纜集塵問(wèn)題進(jìn)行研究，幫組大家解決這個(gè)問(wèn)題
2010-06-21
無(wú)塵室 電纜 集塵問(wèn)題 潔凈室
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半導(dǎo)體C-V測(cè)量基礎(chǔ)
電容-電壓（C-V）測(cè)試廣泛用于測(cè)量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。此外，利用C-V測(cè)量還可以對(duì)其他類型的半導(dǎo)體器件和工藝進(jìn)行特征分析，包括雙極結(jié)型晶體管（BJT）、JFET、III-V族化合物器件、光伏電池、MEMS器件、有機(jī)TFT顯示器、光電二極管、碳納米管（CNT）和多種其他半導(dǎo)體器件。本文為...
2010-06-21
半導(dǎo)體 C-V測(cè)量 MOSFET JFET
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2010年半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)將勁揚(yáng)113.2%
Gartner副總裁Klaus Rinnen表示：技術(shù)升級(jí)，將帶動(dòng) 2010年半導(dǎo)體資本設(shè)備市場(chǎng)的成長(zhǎng)。對(duì)40奈米和45奈米設(shè)備的需求大幅增加，帶動(dòng)晶圓代工的龐大資本支出。英特爾對(duì)3x奈米的投資，NAND 記憶體制造商支出增加，以及升級(jí)至下一世代 DDR3 DRAM 記憶體，皆為主要的投資成長(zhǎng)動(dòng)能。
2010-06-21
半導(dǎo)體 設(shè)備產(chǎn)業(yè) Gartner
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