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測(cè)試測(cè)量

多晶硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展指導(dǎo)意見即將出臺(tái)

近日，工信部對(duì)于多晶硅產(chǎn)業(yè)進(jìn)行的第二輪調(diào)研基本結(jié)束。據(jù)工信部官員介紹，本輪調(diào)研結(jié)束之后，相關(guān)部委將會(huì)根據(jù)調(diào)研情況做出調(diào)研報(bào)告，并將據(jù)此制定《多晶硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展指導(dǎo)意見》。

2009-12-01

多晶硅產(chǎn)業(yè) 發(fā)展工信部

WSTS：全球半導(dǎo)體市場(chǎng)出現(xiàn)改善征兆

《世界半導(dǎo)體市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)》(WSTS)對(duì)2009～2011年的半導(dǎo)體市場(chǎng)的預(yù)測(cè)增長(zhǎng)率進(jìn)行了修改。與2008年相比，2009年業(yè)績(jī)下降11.5%，總額2201億美元(約19.6萬億日元)。由于各國(guó)都實(shí)施了經(jīng)濟(jì)刺激政策，實(shí)際業(yè)績(jī)比5月預(yù)測(cè)的下降21.6%改善了10.1個(gè)百分點(diǎn)。

2009-11-30

WSTS 半導(dǎo)體市場(chǎng) 改善

我國(guó)光伏多晶硅生產(chǎn)工藝有了革命性進(jìn)步

AVX公司推出適合隔直流應(yīng)用的低高度電容器GX系列，器件采用專利的薄膜終端工藝,使它具有超低插入和回波損耗值，對(duì)方向不敏感，采用鎳金和鎳錫端子。器件符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，可提供X5R或X7S介質(zhì)特性

2009-11-30

光伏多晶硅六九硅業(yè)

TDK-EPC公司推出瞬時(shí)電壓抑制高達(dá)385V的壓敏電阻

TDK集團(tuán)分公司TDK-EPC推出了愛普科斯SMD CU壓敏電阻的新樣品套裝。這些CTVS(陶瓷瞬時(shí)電壓抑制)元件的電氣參數(shù)對(duì)應(yīng)于成熟的愛普科斯SIOV-S05系列（外殼尺寸3225）以及SIOV-S07系列（外殼尺寸4032）產(chǎn)品。

2009-11-30

TDK-EPC公司瞬時(shí)電壓抑制壓敏電阻

專家：LED不能停留在封裝階段

佛山正在展現(xiàn)一幅現(xiàn)代制造業(yè)的未來版圖,15類重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)正在編制發(fā)展規(guī)劃,其中僅新興產(chǎn)業(yè)就有10項(xiàng)。

2009-11-27

LED 封裝 LED芯片佛山

中國(guó)微電子產(chǎn)業(yè)的第三波浪潮

改革開放以來，中國(guó)微電子產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷過三次快速發(fā)展期，第一次為2000年前，以新濤科技被IDT8500萬美元收購(gòu)為代表，新濤科技的成功具有一定的偶然性，因?yàn)樾聺闹黧w運(yùn)作在硅谷，只是研發(fā)在上海，兩頭在外，將新濤科技的成功作為中國(guó)本土微電子的成功起步并不過分，目前新濤科技創(chuàng)始人楊崇和二次創(chuàng)業(yè)上...

2009-11-27

微電子產(chǎn)業(yè) 山寨產(chǎn)業(yè) 電子制造業(yè)

中國(guó)有線機(jī)頂盒將轉(zhuǎn)向高級(jí)型市場(chǎng)

中國(guó)有線電視數(shù)字化整轉(zhuǎn)工作在各地區(qū)相繼展開，現(xiàn)已發(fā)展到6000萬戶。機(jī)頂盒市場(chǎng)也在整轉(zhuǎn)數(shù)字的增長(zhǎng)中，呈現(xiàn)出兩極化發(fā)展的趨勢(shì)。高級(jí)型機(jī)頂盒發(fā)貨量將節(jié)節(jié)攀升，到2013年的年發(fā)貨量將增至730.8萬。

2009-11-27

機(jī)頂盒高清機(jī)頂盒有限機(jī)頂盒

工信部：我國(guó)彩電產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型加速

隨著我國(guó)彩電產(chǎn)業(yè)政策支持逐步到位，以及企業(yè)研發(fā)能力的增強(qiáng)，我國(guó)彩電產(chǎn)業(yè)正在加速轉(zhuǎn)型。

2009-11-27

彩電產(chǎn)業(yè) 工信部轉(zhuǎn)型加速

Stack與NICT共同開發(fā)出新型電場(chǎng)探測(cè)器可準(zhǔn)確測(cè)量出微小電場(chǎng)

日本Stack電子開發(fā)出了可準(zhǔn)確測(cè)量微小電場(chǎng)分布狀態(tài)的光外差法光電效應(yīng)電場(chǎng)探測(cè)器“LEO-Probe”。該產(chǎn)品采用日本信息通信研究機(jī)構(gòu)（NICT）轉(zhuǎn)讓的技術(shù)開發(fā)，適用于電子設(shè)備的EMC測(cè)量、天線附近的電場(chǎng)測(cè)量、開發(fā)高頻電路時(shí)的驗(yàn)證作業(yè)、高速/高密度電路的放射電場(chǎng)測(cè)量以及超高速半導(dǎo)體的運(yùn)行狀態(tài)分析等。

2009-11-27

Stack電子 NICT 新型電場(chǎng)探測(cè)器微小電場(chǎng)

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