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如何使微處理器的PWM頻率和分辨率翻倍
降低PWM DAC紋波的方法通常有兩種：一種是降低低通濾波器的截止頻率，另一種是提高PWM信號(hào)的頻率。然而，前一種方法會(huì)加長(zhǎng)上升時(shí)間，后一種方法會(huì)導(dǎo)致分辨率降低。本設(shè)計(jì)實(shí)例討論了在不使用上述兩種方法的情況下，如何降低PWM DAC的紋波。
2017-08-10
技術(shù)實(shí)例 控制/MCU PWM控制
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眼球追蹤技術(shù)面臨四大難題，下一步應(yīng)該這樣走？
近年來(lái)巨頭們都在積極布局眼球追蹤技術(shù)，除了眼球追蹤在人機(jī)交互的巨大潛能以外，眼球追蹤技術(shù)還可能成為VR和AR的基礎(chǔ)性技術(shù)，為AR的VR的發(fā)展提供必要的支持。目前我們的人機(jī)交互還主要靠的是鍵盤(pán)、鼠標(biāo)、觸摸，這些輸入并不直接也不高效。人機(jī)互動(dòng)的發(fā)展方向應(yīng)該是越來(lái)越人性化，要能“聽(tīng)”、能“看”...
2017-08-10
產(chǎn)業(yè)前沿 AR/VR 消費(fèi)電子
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詳解慣性動(dòng)作捕捉技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域
作為一門(mén)新興的動(dòng)作捕捉技術(shù)，慣性動(dòng)捕的出現(xiàn)，打破了光學(xué)動(dòng)捕占據(jù)市場(chǎng)絕對(duì)主導(dǎo)的行業(yè)格局，被視為動(dòng)作捕捉界的新生力量。基于慣性傳感器系統(tǒng)的動(dòng)作捕捉技術(shù)是一項(xiàng)融合了傳感器技術(shù)、無(wú)線傳輸、人體動(dòng)力學(xué)、計(jì)算機(jī)圖形學(xué)等多種學(xué)科的綜合性技術(shù)，技術(shù)門(mén)檻要求很高。雖然慣性動(dòng)作捕捉技術(shù)出現(xiàn)的時(shí)間...
2017-08-08
慣性動(dòng)捕 傳感器 原理 優(yōu)勢(shì) 應(yīng)用領(lǐng)域
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PAM-4印刷電路板最佳實(shí)踐
本設(shè)計(jì)實(shí)例討論了工程師在設(shè)計(jì)PCB上的PAM-4PHY 通道時(shí)應(yīng)遵循的關(guān)鍵實(shí)踐。實(shí)現(xiàn)50Gbps PAM-4 PHY鏈路時(shí)必須嚴(yán)格要求，確保在高速收發(fā)器之間實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的通信。
2017-08-07
技術(shù)實(shí)例 PCB設(shè)計(jì) 收發(fā)器
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超級(jí)結(jié)MOSFET帶來(lái)高壓器件變革，對(duì)比平面式高壓MOSFET優(yōu)點(diǎn)多
在超級(jí)結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前，高壓器件的主要設(shè)計(jì)平臺(tái)是基于平面技術(shù)。那么，超級(jí)結(jié)究竟是何種技術(shù)，區(qū)別于平面技術(shù)，它的優(yōu)勢(shì)在哪里？
2017-08-07
超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu) MOSFET技術(shù)
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干貨分享：關(guān)于電池系統(tǒng)短路保護(hù)層級(jí)的考慮
從高壓線束、電子控制的硬件電路、配電盒還有一些保護(hù)策略性的內(nèi)容開(kāi)始，梳理簡(jiǎn)單的內(nèi)容，然后進(jìn)一步應(yīng)用到工作里面。電氣系統(tǒng)里面的影響是挺大的，而且很多內(nèi)容也是電池系統(tǒng)設(shè)計(jì)過(guò)程中，電氣部分需要設(shè)計(jì)承受的。
2017-08-04
電池系統(tǒng) 短路保護(hù)
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高壓IC可取代汽車(chē)?yán)擞恳种破骷?/span>
卡車(chē)、汽車(chē)和重型設(shè)備環(huán)境對(duì)任何類(lèi)型的電源轉(zhuǎn)換器件要求都非常嚴(yán)格。寬工作電壓范圍、很大的瞬態(tài)變化和溫度偏移給可靠、堅(jiān)固的電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來(lái)了巨大挑戰(zhàn)。此外，有些應(yīng)用要求在引擎罩內(nèi)安裝電源轉(zhuǎn)換器件，因此需要這類(lèi)器件能夠在 150°C 時(shí)運(yùn)行。同時(shí)，電子組件數(shù)量不斷增加，可用空間不斷縮小，因...
2017-08-04
高壓IC 汽車(chē)電子 浪涌抑制
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讀懂超級(jí)結(jié)MOSFET，它的優(yōu)勢(shì)在哪里？
基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級(jí)結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前，高壓器件的主要設(shè)計(jì)平臺(tái)是基于平面技術(shù)。超級(jí)結(jié)究竟是何種技術(shù)，區(qū)別于平面技術(shù)，它的優(yōu)勢(shì)在哪里？
2017-08-03
超級(jí)結(jié)MOSFET 電子元器件
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多級(jí)亮度LED控制器在關(guān)斷狀態(tài)下電流為零
本設(shè)計(jì)實(shí)例主要討論了：軟開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通/斷開(kāi)操作；睡眠模式下漏電流為零；兩級(jí)調(diào)光；電池低電量保護(hù)；基于CMOS4017約翰遜計(jì)數(shù)器的簡(jiǎn)單控制器。本設(shè)計(jì)可應(yīng)用于LED燈、閱讀燈、露營(yíng)燈及通用照明。
2017-08-02
技術(shù)實(shí)例 LED控制 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
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