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半導(dǎo)體清洗技術(shù)
晶圓清洗是半導(dǎo)體制造典型工序中最常應(yīng)用的加工步驟。就硅來(lái)說(shuō)，清洗操作的化學(xué)制品和工具已非常成熟，有多年廣泛深入的研究以及重要的工業(yè)設(shè)備的支持。所以，硅清洗技術(shù)在所有具實(shí)際重要性的半導(dǎo)體技術(shù)中是最為成熟的。本文簡(jiǎn)要綜述了半導(dǎo)體晶圓清洗技術(shù)的過(guò)去發(fā)展情況、當(dāng)前趨勢(shì)和未來(lái)需求。
2010-01-29
半導(dǎo)體 清洗技術(shù) 單晶圓
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兩岸平板顯示業(yè)攜手打造完整產(chǎn)業(yè)鏈
長(zhǎng)期以來(lái)，大陸平板顯示業(yè)雖然涌現(xiàn)出ＴＣＬ、海信、長(zhǎng)虹、康佳、海爾等知名平板電視企業(yè)，但卻缺乏上游核心技術(shù)，面板和模組等主要零部件受制于日韓等國(guó)大廠(chǎng)，深受“有下游沒(méi)上游”之困。臺(tái)灣面板業(yè)雖為島內(nèi)龍頭產(chǎn)業(yè)，但主要依靠出口，“有上游無(wú)下游”困境明顯。
2010-01-28
兩岸 平板顯示 攜手 完整 產(chǎn)業(yè)鏈
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2010年美國(guó)小型半導(dǎo)體公司恐掀被并潮
據(jù)路透(Reuters)報(bào)導(dǎo)，由于整體經(jīng)濟(jì)疲弱，半導(dǎo)體廠(chǎng)商要靠自家的力量達(dá)到營(yíng)收成長(zhǎng)，相對(duì)難度較高，因此購(gòu)并在利基型市場(chǎng)上有獨(dú)到技術(shù)的小型廠(chǎng)商，將是2010年的趨勢(shì)，而這些小型的半導(dǎo)體廠(chǎng)商恐怕也會(huì)掀起被購(gòu)并潮。
2010-01-28
美國(guó) 小型半導(dǎo)體 被并潮
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變頻器未來(lái)發(fā)展凸現(xiàn)六種特性
變頻器是運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)中的功率變換器。當(dāng)今的運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)是包含多種學(xué)科的技術(shù)領(lǐng)域，總的發(fā)展趨勢(shì)是：驅(qū)動(dòng)的交流化，功率變換器的高頻化，控制的數(shù)字化、智能化和網(wǎng)絡(luò)化。因此，變頻器作為系統(tǒng)的重要功率變換部件，提供可控的高性能變壓變頻的交流電源而得到迅猛發(fā)展。
2010-01-28
變頻器 未來(lái)發(fā)展 凸現(xiàn) 特性
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山西首批大型并網(wǎng)太陽(yáng)能發(fā)電項(xiàng)目開(kāi)工
山西首批大型并網(wǎng)太陽(yáng)能發(fā)電項(xiàng)目——山西國(guó)際電力集團(tuán)右玉小五臺(tái)一期10MW、平魯阻虎一期5MW太陽(yáng)能發(fā)電項(xiàng)目正式開(kāi)工。
2010-01-28
山西 大型并網(wǎng) 太陽(yáng)能 發(fā)電項(xiàng)目
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新神戶(hù)電機(jī)展示鋰離子電容器，瞄準(zhǔn)建筑及產(chǎn)業(yè)設(shè)備應(yīng)用
新神戶(hù)電機(jī)在“第1屆EV·HEV驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)技術(shù)展”（1月20～22日，東京有明國(guó)際會(huì)展中心）上展出了直徑40mm×長(zhǎng)110mm的圓筒型鋰離子電容器。其額定電壓為3.8～2.2V，能量密度為10.1Wh/L。
2010-01-28
新神戶(hù)電機(jī) 鋰離子 電容器
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Vishay的101/102 PHR-ST螺旋式接線(xiàn)柱功率鋁電容器新增三種更大的外形尺寸
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其101/102 PHR-ST螺旋式接線(xiàn)柱功率鋁電容器新增了90mm x 146mm、76mm x 220mm及90mm x 220mm三種更大的外形尺寸，接線(xiàn)柱的長(zhǎng)度為13mm。
2010-01-27
Vishay 101/102 PHR-ST 電容器 RoHS指令 UPS設(shè)備
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Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET?技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
2010-01-27
Vishay MOSFET FET?技術(shù)
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罐式電容式電壓互感器研制成功
國(guó)網(wǎng)電科院研制的罐式結(jié)構(gòu)特高壓電容式電壓互感器。其短時(shí)工頻耐受電壓達(dá)到1100kV/5min、雷電沖擊耐受電壓達(dá)到2400kV、操作沖擊耐受電壓達(dá)到1800kV，二次繞組準(zhǔn)確級(jí)達(dá)到0.2/0.5/0.5(3P)/3P。
2010-01-27
罐式電容式 電壓互感器 研制成功
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