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VSA101：Vishay 新型VSA101超高精度軸向 Z 箔電阻
Vishay推出新型 VSA101軸向 Bulk Metal Z 箔電阻。這款新型器件在 0°C～+60°C 以及 -55°C～+125°C的溫度范圍內(nèi)分別具有 ±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C 的低絕對(duì) TCR、額定功率時(shí) ±5 ppm 的出色 PCR（“?R，由于自加熱”）、±0.005% 的容差，以及 ±0.005% 的負(fù)載壽命穩(wěn)定性。
2008-07-16
VSA101 Z 箔電阻 軍用級(jí)
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VSA101：Vishay 新型VSA101超高精度軸向 Z 箔電阻
Vishay推出新型 VSA101軸向 Bulk Metal Z 箔電阻。這款新型器件在 0°C～+60°C 以及 -55°C～+125°C的溫度范圍內(nèi)分別具有 ±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C 的低絕對(duì) TCR、額定功率時(shí) ±5 ppm 的出色 PCR（“?R，由于自加熱”）、±0.005% 的容差，以及 ±0.005% 的負(fù)載壽命穩(wěn)定性。
2008-07-16
VSA101 Z 箔電阻 軍用級(jí)
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STV250N55F3：意法半導(dǎo)體新250A功率MOSFET
意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品擁有市場(chǎng)上最低的導(dǎo)通電阻，可以把功率轉(zhuǎn)換損耗降至最低，并提高系統(tǒng)性能。
2008-07-16
MOSFET STV250N55F3
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STV250N55F3：意法半導(dǎo)體新250A功率MOSFET
意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品擁有市場(chǎng)上最低的導(dǎo)通電阻，可以把功率轉(zhuǎn)換損耗降至最低，并提高系統(tǒng)性能。
2008-07-16
MOSFET STV250N55F3
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30CTT045/60CPT045：Vishay第5 代高性能45V肖特基二極管
Vishay宣布推出最大結(jié)溫高達(dá) +175°C 的首款新型第五代（Gen. 5.0）高性能 45V 肖特基二極管。30CTT045 與60CPT045器件基于亞微米溝槽技術(shù)，可提供超低的正向壓降以及低反向漏電流，從而可使設(shè)計(jì)人員提高汽車及其他高溫應(yīng)用中的功率密度。
2008-07-11
30CTT045 60CPT045 肖特基二極管 diode
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P10L：Vishay Sfernice微型面板電位計(jì)
Vishay宣布推出具有長(zhǎng)久使用壽命、溫度系數(shù)低至 ±150 ppm/°C 且具有 9.6mm 小型尺寸的新型低成本面板電位計(jì)。
2008-07-11
P10L 電位計(jì)
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L4600A：安捷倫全新便攜式無線電測(cè)試儀
安捷倫科技公司（NYSE：A）日前推出結(jié)構(gòu)堅(jiān)固的便攜式無線電測(cè)試儀，它的一鍵式功能型測(cè)試可以在軍用外場(chǎng)維護(hù)和中間級(jí)維護(hù)節(jié)省培訓(xùn)和測(cè)試使用時(shí)間。
2008-07-10
無線電測(cè)試儀 測(cè)試工具
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150 CRZ系列：Vishay新高性能SMD 鋁電解電容器
Vishay宣布已擴(kuò)展其150 CRZ系列表面貼裝鋁電容器的功能，使該系列器件能夠提供低阻抗值、高電容與紋波電流，以及可實(shí)現(xiàn)高振動(dòng)功能的 4 針腳版本。
2008-07-09
150 CRZ SMD 鋁電解電容器
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VLMW82：Vishay新超薄CLCC-2扁平陶瓷封裝SMD LED
Vishay推出首款采用 CLCC-2 扁平陶瓷封裝的高強(qiáng)度白光功率 SMD LED 系列。堅(jiān)固耐用且具有高光效率的 VLMW82..器件具有 20K/W 的低熱阻以及 9000mcd～18000mcd 的高光功率，主要面向熱敏應(yīng)用。
2008-07-09
VLMW82 SMD LED
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