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安森美半導體8 W數(shù)字至模擬(DTA)轉(zhuǎn)換盒電源參考設計
美國將停播模擬電視，為了使傳統(tǒng)的模擬電視機用戶可以繼續(xù)收看數(shù)字電視，美國國家電信和信息管理局(NTIA)運作一個項目，提供優(yōu)惠券用于支付數(shù)字至模擬(DTA)轉(zhuǎn)換盒的費用。本文介紹了安森美半導體8W數(shù)字至模擬(DTA)轉(zhuǎn)換盒電源參考設計。
2009-03-12
DTA 數(shù)字電視 模擬電視 安森美半導體 電壓變換 NCP1308 NCP1595
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中國DVD播放機市場日漸日“清”
2009年3月5日，中國權(quán)威ICT研究與管理咨詢機構(gòu)賽迪顧問股份有限公司（股票代碼：HK8235）在“2009中國消費電子市場年會”上發(fā)布《2008-2009年中國DVD播放機市場研究年度報告》顯示：中國DVD播放機市場經(jīng)過十多年的風雨歷程，已經(jīng)進入成熟期。2003年到2006年中國DVD播放機的銷量雖保持增長，但是增長幅...
2009-03-12
DVD 中國 高清 藍光 紅光 家電下鄉(xiāng) 步步高 萬利達
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iSuppli預測09年LED背光成為面板產(chǎn)業(yè)救世主
據(jù)市場研究機構(gòu)iSuppli預測，2009年全球LED銷售額可望逆勢成長2.9%，增幅雖低于2008年的10.8%，但表現(xiàn)仍遠優(yōu)于其它銷售額驟減的電子零組件產(chǎn)品類別。2009年，LED在背光領域的增長主要集中在液晶電視、筆記本電腦，特別是Netbook上的應用。
2009-03-12
LED背光 面板 液晶電視 筆記本 上網(wǎng)本
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USB 3.0測試標準將于09年6月底出臺
新一代USB“USB 3.0”的兼容性測試標準有望于2009年上半年出臺。參與測試標準制定的美國安捷倫科技（Agilent Technologies）表示，預定于09年6月底之前推出“Test Specification 1.0”。這是安捷倫公司的USB應用產(chǎn)品經(jīng)理Jim Choate在09年3月6日于東京都內(nèi)舉行的研討會“USB 3.0―SuperSpeed USB的沖擊”上...
2009-03-12
USB 3.0 測試儀器
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USB 3.0測試標準將于09年6月底出臺
新一代USB“USB 3.0”的兼容性測試標準有望于2009年上半年出臺。參與測試標準制定的美國安捷倫科技（Agilent Technologies）表示，預定于09年6月底之前推出“Test Specification 1.0”。這是安捷倫公司的USB應用產(chǎn)品經(jīng)理Jim Choate在09年3月6日于東京都內(nèi)舉行的研討會“USB 3.0―SuperSpeed USB的沖擊”上...
2009-03-12
USB 3.0 測試儀器
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USB 3.0測試標準將于09年6月底出臺
新一代USB“USB 3.0”的兼容性測試標準有望于2009年上半年出臺。參與測試標準制定的美國安捷倫科技（Agilent Technologies）表示，預定于09年6月底之前推出“Test Specification 1.0”。這是安捷倫公司的USB應用產(chǎn)品經(jīng)理Jim Choate在09年3月6日于東京都內(nèi)舉行的研討會“USB 3.0―SuperSpeed USB的沖擊”上...
2009-03-12
USB 3.0 測試儀器
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Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導通電阻。
2009-03-12
TrenchFET Si7137DP MOSFET 導通電阻 開關
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Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導通電阻。
2009-03-12
TrenchFET Si7137DP MOSFET 導通電阻 開關
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Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導通電阻。
2009-03-12
TrenchFET Si7137DP MOSFET 導通電阻 開關
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