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EPCOS推出消費(fèi)和工業(yè)電子應(yīng)用表貼鋁電解電容器
愛(ài)普科斯(EPCOS) 推出新型表貼鋁電解電容器，其電容量范圍介于0.1μF至1500μF，適用于4V DC至100 V DC的電壓。此新型電容器適用于消費(fèi)和工業(yè)電子領(lǐng)域，是鉭電容器的價(jià)格合適的替代品。
2008-08-01
鋁電解電容器
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EPCOS推出消費(fèi)和工業(yè)電子應(yīng)用表貼鋁電解電容器
愛(ài)普科斯(EPCOS) 推出新型表貼鋁電解電容器，其電容量范圍介于0.1μF至1500μF，適用于4V DC至100 V DC的電壓。此新型電容器適用于消費(fèi)和工業(yè)電子領(lǐng)域，是鉭電容器的價(jià)格合適的替代品。
2008-08-01
鋁電解電容器
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MAX4800A/MAX4802A：Maxim 8通道超聲應(yīng)用高速開(kāi)關(guān)
Maxim推出通過(guò)高速、20MHz串行接口控制的8通道、高壓、低電荷注入SPST開(kāi)關(guān)MAX4800A/MAX4802A。器件采用Maxim專有的BCDMOS工藝，集高壓、雙向DMOS開(kāi)關(guān)及低功耗CMOS邏輯特性于一體，從而實(shí)現(xiàn)通過(guò)低壓控制信號(hào)對(duì)高壓模擬信號(hào)的有效控制。
2008-07-30
MAX4800A MAX4802A 高速開(kāi)關(guān)
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TDK中國(guó)營(yíng)業(yè)統(tǒng)括部統(tǒng)括部長(zhǎng)南研造接受媒體專訪：提高耐熱性是被動(dòng)元件發(fā)展的一個(gè)新方向
1935年，鐵氧體的發(fā)明人，當(dāng)時(shí)任教日本東京工業(yè)大學(xué)電化學(xué)系的加藤與五郎博士和武井武博士創(chuàng)立了東京電氣化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社，從事磁性材料的商業(yè)開(kāi)發(fā)和運(yùn)營(yíng)。1983年，該公司正式更名為T(mén)DK株式會(huì)社，取的是原名稱Tokyo（東京） Denki（電氣） Kagaku（化學(xué)）的首字母（中文公司譯名：東電化）。
2008-07-17
被動(dòng)元件
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TDK中國(guó)營(yíng)業(yè)統(tǒng)括部統(tǒng)括部長(zhǎng)南研造接受媒體專訪：提高耐熱性是被動(dòng)元件發(fā)展的一個(gè)新方向
1935年，鐵氧體的發(fā)明人，當(dāng)時(shí)任教日本東京工業(yè)大學(xué)電化學(xué)系的加藤與五郎博士和武井武博士創(chuàng)立了東京電氣化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社，從事磁性材料的商業(yè)開(kāi)發(fā)和運(yùn)營(yíng)。1983年，該公司正式更名為T(mén)DK株式會(huì)社，取的是原名稱Tokyo（東京） Denki（電氣） Kagaku（化學(xué)）的首字母（中文公司譯名：東電化）。
2008-07-17
被動(dòng)元件
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TDK中國(guó)營(yíng)業(yè)統(tǒng)括部統(tǒng)括部長(zhǎng)南研造接受媒體專訪：提高耐熱性是被動(dòng)元件發(fā)展的一個(gè)新方向
1935年，鐵氧體的發(fā)明人，當(dāng)時(shí)任教日本東京工業(yè)大學(xué)電化學(xué)系的加藤與五郎博士和武井武博士創(chuàng)立了東京電氣化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社，從事磁性材料的商業(yè)開(kāi)發(fā)和運(yùn)營(yíng)。1983年，該公司正式更名為T(mén)DK株式會(huì)社，取的是原名稱Tokyo（東京） Denki（電氣） Kagaku（化學(xué)）的首字母（中文公司譯名：東電化）。
2008-07-17
被動(dòng)元件
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TG-5005CG：Epson Toyocom搭載了QMEMS印制蝕刻芯片的小型TCXO
Epson Toyocom公司開(kāi)始批量生產(chǎn)針對(duì)手機(jī)終端的GPS，在小型且高精度TCXO（溫度補(bǔ)償晶體振蕩器）TG-5005CG中搭載了使用QMEMS技術(shù)制作的印制蝕刻芯片的產(chǎn)品。
2008-07-16
TG-5005CG TCXO 溫度補(bǔ)償晶體振蕩器
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30CTT045/60CPT045：Vishay第5 代高性能45V肖特基二極管
Vishay宣布推出最大結(jié)溫高達(dá) +175°C 的首款新型第五代（Gen. 5.0）高性能 45V 肖特基二極管。30CTT045 與60CPT045器件基于亞微米溝槽技術(shù)，可提供超低的正向壓降以及低反向漏電流，從而可使設(shè)計(jì)人員提高汽車(chē)及其他高溫應(yīng)用中的功率密度。
2008-07-11
30CTT045 60CPT045 肖特基二極管 diode
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30CTT045/60CPT045：Vishay第5 代高性能45V肖特基二極管
Vishay宣布推出最大結(jié)溫高達(dá) +175°C 的首款新型第五代（Gen. 5.0）高性能 45V 肖特基二極管。30CTT045 與60CPT045器件基于亞微米溝槽技術(shù)，可提供超低的正向壓降以及低反向漏電流，從而可使設(shè)計(jì)人員提高汽車(chē)及其他高溫應(yīng)用中的功率密度。
2008-07-11
30CTT045 60CPT045 肖特基二極管 diode
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