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STGIPN3H60/A：ST推出小尺寸低干擾SLLIMM微型電機驅(qū)動模塊
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體，擴大SLLIMM(低損耗智能微型模壓模塊)產(chǎn)品系列，推出兩款新的能夠提高家電能效等級的微型電機驅(qū)動模塊——STGIPN3H60和STGIPN3H60A。
2012-02-21
STGIPN3H60 STGIPN3H60A ST SLLIMM 微型電機驅(qū)動模塊
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STGIPN3H60/A：ST推出小尺寸低干擾SLLIMM微型電機驅(qū)動模塊
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體，擴大SLLIMM(低損耗智能微型模壓模塊)產(chǎn)品系列，推出兩款新的能夠提高家電能效等級的微型電機驅(qū)動模塊——STGIPN3H60和STGIPN3H60A。
2012-02-21
STGIPN3H60 STGIPN3H60A ST SLLIMM 微型電機驅(qū)動模塊
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Si8497DB/Si8487DB：Vishay推出小尺寸低導(dǎo)通電阻MOSFET
Vishay宣布引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是業(yè)內(nèi)首款采用小巧的1mm x 1.5mm外形尺寸的30V芯片級MOSFET，是目前市場上尺寸最小的此類器件；而Si8487DB在1.6mm x 1.6mm外形尺寸...
2012-02-21
Si8497DB Si8487DB Vishay MOSFET
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Si8497DB/Si8487DB：Vishay推出小尺寸低導(dǎo)通電阻MOSFET
Vishay宣布引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是業(yè)內(nèi)首款采用小巧的1mm x 1.5mm外形尺寸的30V芯片級MOSFET，是目前市場上尺寸最小的此類器件；而Si8487DB在1.6mm x 1.6mm外形尺寸...
2012-02-21
Si8497DB Si8487DB Vishay MOSFET
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AMOLED電視面臨成本困擾 2015年出貨量將達210萬臺
據(jù)IHS iSuppli公司的中小顯示器研究報告，2015年全球AMOLED電視出貨量預(yù)計將達到210萬臺，而2012年只有3.4萬臺。雖然增幅巨大，但到2015年AMOLED電視在全球平板電視市場中的份額仍然將只有1%。由于制造合格率問題，以及原材料成本因供應(yīng)商數(shù)量較小而上漲，未來幾年AMOLED電視的價格仍將明顯高于液晶...
2012-02-21
AMOLED AMOLED電視 液晶電視 平板電視
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平板產(chǎn)業(yè)將有望通過其周期性的市場特性來恢復(fù)自身發(fā)展
“平板產(chǎn)業(yè)將有望通過其周期性的市場特性來恢復(fù)自身發(fā)展?！盢PD DisplaySearch制造研究副總裁Charles Annis表示，“2012年和2013年面板產(chǎn)能擴張已明顯遲延，加上持續(xù)增長的市場需求將有望推動產(chǎn)業(yè)朝更為健康的方向發(fā)展。”
2012-02-21
平板 面板 液晶面板 液晶電視
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平板產(chǎn)業(yè)將有望通過其周期性的市場特性來恢復(fù)自身發(fā)展
“平板產(chǎn)業(yè)將有望通過其周期性的市場特性來恢復(fù)自身發(fā)展?！盢PD DisplaySearch制造研究副總裁Charles Annis表示，“2012年和2013年面板產(chǎn)能擴張已明顯遲延，加上持續(xù)增長的市場需求將有望推動產(chǎn)業(yè)朝更為健康的方向發(fā)展。”
2012-02-21
平板 面板 液晶面板 液晶電視
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基于EXB841的IGBT驅(qū)動與保護電路設(shè)計
多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點，近年來在各種電能變換裝置中得到了廣泛應(yīng)用。但是，IGBT的門極驅(qū)動電路影響IGBT的通態(tài)壓降...
2012-02-21
EXB841 IGBT驅(qū)動 保護電路
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基于EXB841的IGBT驅(qū)動與保護電路設(shè)計
多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點，近年來在各種電能變換裝置中得到了廣泛應(yīng)用。但是，IGBT的門極驅(qū)動電路影響IGBT的通態(tài)壓降...
2012-02-21
EXB841 IGBT驅(qū)動 保護電路
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