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TAOS TFT應(yīng)用于柔性顯示器的開發(fā)成果紛紛亮相

發(fā)布時(shí)間:2010-02-11 來源:技術(shù)在線

新聞事件:
  • TAOS TFT應(yīng)用于柔性顯示器的開發(fā)成果開發(fā)成果接連不斷
  • 凸版印刷、大日本印刷、美國(guó)俄勒岡州立大學(xué)紛紛展示其成果

透明非晶氧化物半導(dǎo)體TFT(TAOS-TFT)被視為新一代顯示器用薄膜晶體管(TFT)最有希望的候補(bǔ)技術(shù)。近來將其應(yīng)用于柔性顯示器的開發(fā)成果接連不斷。在2010年1月25~26日舉行的“International Workshop on Transparent Amorphous Oxide Semiconductors(TAOS 2010)”上,凸版印刷公開了以應(yīng)用于電子紙領(lǐng)域?yàn)槟康牡拈_發(fā)成果,而大日本印刷則展示了柔性有機(jī)EL面板的試制結(jié)果。另外,美國(guó)俄勒岡州立大學(xué)(Oregon State University)也發(fā)表了利用印刷法制造TAOS-TFT的研究成果。

凸版印刷確立了利用印刷法來制造電子紙的目標(biāo),目前正考慮在該領(lǐng)域應(yīng)用TAOS-TFT。該公司曾于2009年12月發(fā)表相關(guān)成果,使用TAOS涂膜在玻璃底板上制造TAOS-TFT后成功驅(qū)動(dòng)了電子紙。此次介紹了之后的進(jìn)展。首先將2009年12月發(fā)表時(shí)只有0.5cm2/Vs的TAOS-TFT遷移率提高到了10倍,達(dá)到了5.4cm2/Vs。凸版印刷綜合研究所新一代環(huán)境能源研究所高級(jí)首席研究員伊藤學(xué)稱:“這是通過改進(jìn)涂布材料、元器件結(jié)構(gòu)及鈍化膜等手段實(shí)現(xiàn)的。”另外,所驅(qū)動(dòng)的面板的分辨率也有所提高。2009年12月時(shí)驅(qū)動(dòng)的只是2英寸QQVGA(80×60像素)50ppi(pixel per inch)面板,而此次驅(qū)動(dòng)的則是VGA(640×480像素)400ppi面板。

TAOS-TFT制造工藝的最高溫度與2009年12月時(shí)同為270℃,但凸版印刷的伊藤表示:“現(xiàn)在估計(jì)還能降至250~240℃,今后還打算進(jìn)一步降至150℃”。這樣做是因?yàn)橹圃鞙囟冉抵?50℃后,便可使用樹脂底板。但伊藤又稱,要想達(dá)到這一目標(biāo),“恐怕還需要徹底改進(jìn)由涂布材料形成TAOS膜的化學(xué)反應(yīng)設(shè)計(jì)”。

大日本印刷介紹了分辨率為85ppi的4.7英寸QVGA(320×240像素)柔性有機(jī)EL面板的試制結(jié)果。試制的面板厚度為0.4mm,彎折百次以上,也未發(fā)現(xiàn)顯示性能劣化。這是通過在頂部發(fā)光型白色LED基礎(chǔ)上,組合使用柔性彩色濾光片以及不銹鋼底板上形成的TAOS-TFT而實(shí)現(xiàn)的。

彩色濾光片使用液體材料直接在聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN:polyethylene naphthalate)底板上繪制RGB圖案。TAOS-TFT是利用濺鍍法在不銹鋼底板上形成TAOS膜之后,再經(jīng)300℃退火處理后制成。TAOS-TFT的遷移率為4.1cm2/Vs,導(dǎo)通/截止比為107~108,性能水平與在玻璃底板上形成時(shí)相當(dāng)。

俄勒岡州立大學(xué)展示了利用有機(jī)溶媒溶解金屬氯化物后的液體材料,以噴墨法形成TAOS膜的TAOS-TFT試制結(jié)果。在TAOS膜使用IGZO(In-Ga-Zn-O)時(shí),通過500℃退火處理,獲得了遷移率為25.6cm2/Vs、導(dǎo)通/截止比為107的良好特性。至于可進(jìn)行低溫退火處理的TAOS膜,該大學(xué)提到的是In2O3。據(jù)稱,即使將退火溫度降至300℃,是In2O3薄膜仍可保持17.0cm2/Vs的遷移率,而如果允許遷移率降至1cm2/Vs的話,還可將退火溫度進(jìn)一步降至200℃。
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