新興光子應用

 

光子被認為是3D傳感、自動駕駛車輛和光互連等新興技術(shù)的重要賦能者。正如電子一直是設(shè)計機器“大腦”的支柱一樣，光子將“視覺”賦予未來機器，激光將是這些光子的來源。

 

3D傳感

 

隨著智能手機越來越多用于計算，手機上保留的個人信息也日益增多，這就需要嚴格的安全設(shè)置，而不僅限基于指紋識別和二維虹膜掃描的身份驗證。繼蘋果公司2017年在iPhone X中推出人臉識別功能后，垂直腔面發(fā)射激光器 （VCSEL）近年來在消費市場上引起了相當大的關(guān)注。VCSEL將數(shù)以萬計的激光束照射在用戶的臉上，然后收集這些激光束，生成面部的3D 深度圖，為該用戶創(chuàng)建獨特的識別圖像（圖 2）。

 

圖 2. VCSEL 是用于設(shè)備人臉識別技術(shù)的基礎(chǔ)

 

一家領(lǐng)先的消費產(chǎn)品制造商的最新產(chǎn)品擴展了這一技術(shù)，采用了飛行時間激光傳感器，利用 VCSEL對幾米外的場景進行閃光，借助深度信息創(chuàng)建該空間的3D 圖像。例如，現(xiàn)在能以虛擬形式將家具或藝術(shù)品放置在一個空間中，以便在購買前查看使用效果。為了眼睛的安全，如今的技術(shù)在波長范圍上是受限的，但我們可以預期未來會發(fā)展到更長的波長，并適用于更多的設(shè)備，包括智能手機。

 

光互連

 

傳統(tǒng)形式的數(shù)據(jù)中心消耗了當今世界2%以上的電力，而全球數(shù)據(jù)流量預計每四年就會翻一番。未來，使用電子分組交換機在機架之間進行數(shù)據(jù)傳輸將無法同時滿足帶寬和能耗的要求。數(shù)據(jù)中心業(yè)務模式向云計算轉(zhuǎn)變，未來幾年將涉及更大量的數(shù)據(jù)處理和傳輸（圖 3）。

 

圖 3. 云計算將加劇數(shù)據(jù)中心能耗的挑戰(zhàn)

 

目前正在開發(fā)基于硅光子和磷化銦光子集成電路（PIC）的光互連技術(shù)，以應對數(shù)據(jù)中心面臨的這些挑戰(zhàn)。100GbE的收發(fā)器模塊已經(jīng)進入市場，并在穩(wěn)步推向400GbE和更高的水平。與常規(guī)的電子相比，硅光子能夠?qū)崿F(xiàn)更快、更遠距離的數(shù)據(jù)傳輸，同時還可以利用上半導體激光器以及大批量硅制造的效率。

 

激光雷達

 

汽車行業(yè)除了電氣化之外，下一個大的范式轉(zhuǎn)變就是自動駕駛。今天的三級自動駕駛，需要高度精密的照明、檢測、感知和決策系統(tǒng)無縫協(xié)同工作（圖 4）。激光雷達的高分辨率、3D成像能力和超過200米的可探測范圍，與基于雷達或攝像頭的解決方案形成鮮明區(qū)別，已被廣泛認為是自動駕駛的最佳解決方案。

 

圖 4. 自動駕駛汽車的安全運行需要許多不同系統(tǒng)的無縫協(xié)作。

 

激光雷達有905nm和1550nm兩種頻率選擇。其中905nm是首選，因其具備完善的激光器和光探測器生態(tài)系統(tǒng)。不過，由于1550nm的范圍更廣，而且眼睛的安全極限是905nm的40倍，因此業(yè)界正在對其積極研究。當前正在評估的光束轉(zhuǎn)向技術(shù)，包括機械旋轉(zhuǎn)、MEMS和光學相控陣。機械旋轉(zhuǎn)在可靠性方面存在很大的問題，而基于MEMS的光束轉(zhuǎn)向技術(shù)近來作為三級先進駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）的選件出現(xiàn)在多款汽車上，但在射程和視野上有限制。用于光束轉(zhuǎn)向的固態(tài)光學相控陣處于早期開發(fā)階段，其在性能、成本和外形尺寸方面具有不錯的前景，除了自動駕駛之外，還可被應用在更多方面。為了滿足激光雷達系統(tǒng)在成本和性能上的要求，需要在大批量制造中運用異構(gòu)集成或共同封裝激光器、探測器和光束轉(zhuǎn)向芯片。如今，基于MEMS的激光雷達技術(shù)在滿足這些工業(yè)要求方面展現(xiàn)出喜人的前景。

 

MicroLED

 

除了在電視、智能手機和智能手表等現(xiàn)有設(shè)備中實現(xiàn)更高的分辨率外，microLED技術(shù)還可能用于打造令人興奮的新產(chǎn)品，如圖5 所示的增強現(xiàn)實/虛擬現(xiàn)實（AR/VR）產(chǎn)品。這些新的應用需要自發(fā)光的紅綠藍（RGB）顯示，而不是色彩轉(zhuǎn)換或過濾。這里涉及的挑戰(zhàn)是實現(xiàn) RGB microLED 裸片所需的量子效率，將 microLED經(jīng)濟高效地巨量轉(zhuǎn)移到背板上，以及測試每個單獨的 microLED。創(chuàng)新的器件設(shè)計、外延生長優(yōu)化、襯底工程、裸片轉(zhuǎn)印方法和新的背板架構(gòu)正在研究和開發(fā)中，以使 microLED 技術(shù)可與現(xiàn)有的液晶顯示器（LCD）及有機發(fā)光二極管（OLED）技術(shù)相競爭。

 

圖 5. AR/VR 應用是受益于 MicroLED 技術(shù)的消費產(chǎn)品之一

 

器件技術(shù)

 

實現(xiàn)這些新興光子應用的關(guān)鍵器件技術(shù)是基于砷化鎵和磷化銦的激光器、硅和砷化鎵銦（InGaAs）光電探測器、MEMS器件、氮化鎵和砷化鎵LED、硅和氮化硅（SiN）波導以及光學調(diào)制器。對于3D傳感應用，砷化鎵激光器件正從100mm的襯底轉(zhuǎn)向150mm的襯底。用于高亮度應用的砷化鎵和氮化鎵 LED分別在150mm砷化鎵襯底和藍寶石襯底上投產(chǎn)。不過，在某些應用中，microLED的應用正在推動對硅襯底上RGB LED的需求。磷化銦激光二極管是在75mm和100mm 磷化銦襯底上生產(chǎn)的?；衔锇雽w器件通常在批量反應器中進行加工，但制造重點越來越多地放在提高良率和晶圓內(nèi)均勻性以及增強工藝控制上，這相應地推動了向單晶圓加工設(shè)備的過渡。

 

目前，用于光束轉(zhuǎn)向技術(shù)的MEMS器件依賴于200mm硅MEMS生產(chǎn)線。硅光子技術(shù)主要在200mm絕緣體上硅（SOI）平臺上運行，并不斷推動向300mm晶圓過渡，以解決200mm 光刻和刻蝕等設(shè)備的技術(shù)限制。具有高電光系數(shù)的薄膜技術(shù)一直在研究之中，以擴展光互連的速度和帶寬包絡(luò)。

 

上述光子應用預計在未來5-10年內(nèi)實現(xiàn)巨大的增長。3D 傳感、激光雷達、光互連和AR/VR顯示，這四大關(guān)鍵應用的市場規(guī)模預計將以31%的復合年增長率，從2020年的80億美元增長到2025年的233億美元（圖 6）。3D 傳感技術(shù)正在尋求新的應用，而激光雷達和AR/VR顯示器還處于早期發(fā)展階段，預計將以更高的復合年增長率增長。光電子應用的增長將需要解決器件技術(shù)在性能、制造和系統(tǒng)集成方面的挑戰(zhàn)。如今，各種力量正在推動對新工藝設(shè)備的需求，這些設(shè)備不僅要能解決器件性能上的難題，還能實現(xiàn)卓越的工藝控制，提高整體制造良率。

 

圖 6. 新興的光子應用將實現(xiàn)巨大增長（資料來源：Yole Développement 報告）

（來源：應用材料公司，作者：Shiva Rai，光子和射頻應用戰(zhàn)略營銷經(jīng)理）