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什么是LDO噪聲，它是如何分類的？
噪聲可以分為內(nèi)部噪聲和外部噪聲，可以分為熱噪聲和閃爍噪聲，也可按頻譜劃分噪聲等。今天，我們將詳細(xì)談?wù)勈裁词窃肼暎侨绾畏诸惖?，以下是詳?xì)講解內(nèi)容。
2018-10-09
LDO噪聲
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高速PCB中的過孔設(shè)計是通過什么實行的？
目前高速PCB的設(shè)計在通信、計算機、圖形圖像處理等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，所有高科技附加值的電子產(chǎn)品設(shè)計都在追求低功耗、低電磁輻射、高可靠性、小型化、輕型化等特點，為了達(dá)到以上目標(biāo)，在高速PCB設(shè)計中，過孔設(shè)計是一個重要因素。
2018-10-09
高速PCB 過孔設(shè)計
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一文看懂單片機排阻的作用
在三位數(shù)字中，從左至右的第一、第二位為有效數(shù)字，第三位表示前兩位數(shù)字乘10的N次方（單位為Ω）。如果阻值中有小數(shù)點，則用“R”表示，并占一位有效數(shù)字。例如：標(biāo)示為“103”的阻值為10&TImes;10=10kΩ；標(biāo)示為“222”的阻值為2200Ω即2.2kΩ；標(biāo)示為“105”的阻值為1MΩ。
2018-10-09
單片機 排阻
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SLA3304DT6 為LVDS信號提供靜電保護(hù) 高溫長線不丟包
LVDS（Low Voltage Differential Signaling)即低壓差分信號傳輸，是一種滿足當(dāng)今高性能數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用的新型技術(shù)，LVDS 數(shù)據(jù)線連接廣泛應(yīng)用于高速數(shù)據(jù)信號傳輸，例如液晶顯示屏普遍采用LVDS接口，LVDS也在計算機、通信設(shè)備、消費電子等產(chǎn)品中得到廣泛應(yīng)用，這些應(yīng)用需要ESD靜電保護(hù)元件來保護(hù)敏感的IC...
2018-10-09
SLA3304DT6 LVDS 靜電保護(hù)
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LCE15P25JK替代IRF6215SPDF 傳導(dǎo)騷擾CE問題分析報告
場效應(yīng)管MOSFET為壓控元件，廣泛應(yīng)用于消費電子、電動交通工具、電源管理、工業(yè)應(yīng)用、照明等領(lǐng)域。 MOSFET只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導(dǎo)通，它的導(dǎo)通就像三極管在飽和狀態(tài)一樣，導(dǎo)通結(jié)的壓降最小，這就是經(jīng)典的開關(guān)作用，用場效應(yīng)管MOSFET作開關(guān)還能減少功耗，開關(guān)特性較好。
2018-10-09
LCE15P25JK IRF6215SPDF 傳導(dǎo)騷擾 分析報告
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如何解決USB接口電磁兼容問題？
USB接口具有傳輸速度快，支持熱插拔以及連接多個設(shè)備的特點，目前已經(jīng)被廣泛應(yīng)用在各類計算機、消費類產(chǎn)品中。本文電磁兼容解決方案主要結(jié)合usb2.0接口電路特點，從產(chǎn)品原理圖的接口電路出發(fā)，提供符合產(chǎn)品實際設(shè)計要求的具體的emc設(shè)計方案，從而使產(chǎn)品能夠滿足電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)與規(guī)格要求，獲得良好的e...
2018-10-08
USB接口 電磁兼容
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詳解陶瓷電容器直流的漏電流標(biāo)準(zhǔn)值
直流的漏電流標(biāo)準(zhǔn)值并非規(guī)定的，但絕緣電阻值為規(guī)定值。可通過絕緣電阻的規(guī)定值及產(chǎn)品額定電壓，利用算式I=V/R推算漏電流。但是，依據(jù)村田規(guī)定的絕緣電阻標(biāo)準(zhǔn)值計算出值，所謂保障也只限絕緣電阻產(chǎn)品。
2018-10-08
陶瓷電容器 漏電流標(biāo)準(zhǔn)
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解析全球聲學(xué)濾波器技術(shù)發(fā)展趨勢
對于聲表面波器件來說，對溫度非常敏感。在較高溫度下，襯底材料的硬度易于下降，聲波速度也因此下降。由于保護(hù)頻帶越來越窄，并且消費設(shè)備的指定工作溫度范圍較大（通常為-20℃至85℃），因此這種局限性的影響越來越嚴(yán)重。
2018-10-08
聲學(xué)濾波器
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如何導(dǎo)通MOSFET？你想知道的都有
在面向功率電子專業(yè)人士的網(wǎng)站上，如何導(dǎo)通 MOSFET 的話題可能不值一提，就好像在烹飪展上問如何把水燒開一樣。畢竟這不應(yīng)當(dāng)是個大問題。與雙極型器件不同，場效應(yīng)晶體管是多數(shù)載流子器件（majority carrier device）。我們無需擔(dān)心電流增益，定制基礎(chǔ)電流以匹配 hfe 和可變集電極電流的極值，或者...
2018-09-29
MOSFET 場效應(yīng)晶體管 載流子器件
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