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給SiC FET設計PCB有哪些注意事項？
SiC FET（即SiC JFET和硅MOSFET的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導體開關推出后，功率轉換產(chǎn)品無疑受益匪淺。此類器件具有超快的開關速度和較低的傳導損耗，能夠在各類應用中提高效率和功率密度。然而，與緩慢的舊技術相比，高電壓和電流邊緣速率與板寄生電容和電感的相互作用更大，可能產(chǎn)生不必要的...
2023-10-21
SiC FET PCB 注意事項
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高級雙波束形成 DAC 使智能微波天線更進一步
引導射頻能量越來越成為一項關鍵的無線電技術。其原因是在較高的毫米波頻率下，自由空間射頻衰減增加。如果將這些頻率用于增加系統(tǒng)帶寬和數(shù)據(jù)吞吐量，在沒有主動轉向方法的情況下，跨信道干擾和丟失鏈路的可能性會增加。
2023-10-20
雙波束 DAC 智能微波天線
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使用單輸出柵極驅動器實現(xiàn)高側或低側驅動
在許多隔離式電源應用中，功率 MOSFET 通常采用某種形式的橋配置，用于優(yōu)化電源開關和電源變壓器，從而提高效率。這些橋配置創(chuàng)建了高側 (HS) 和低側 (LS) 兩種開關類型。UCC277xx、UCC272xx 和 LM510x 系列等專用 HS 和 LS 柵極驅動器 IC 可在單個 IC 中為 HS 開關管以及 LS 開關管提供輸出。
2023-10-20
柵極驅動器 高側驅動 低側驅動
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接收器系統(tǒng)噪聲系數(shù)分析
噪聲系數(shù)的一般概念已被系統(tǒng)和電路設計人員很好地理解并廣泛使用。特別是，它用于傳達產(chǎn)品定義者和電路設計者的噪聲性能要求，并預測接收器系統(tǒng)的整體靈敏度。
2023-10-19
接收器系統(tǒng) 噪聲系數(shù)
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為敏感電路提供過壓及電源反接保護！
LTC4365是一款獨特的解決方案，可精巧和穩(wěn)健地保護敏感電路免遭意料之外的高電源電壓或負電源電壓。LTC4365 能隔離高達 60V 的正電壓和低至 –40V 的負電壓。只有處于安全工作電源范圍之內(nèi)的電壓被傳送至負載。僅需的外部有源組件是一個連接在不可預知的電源與敏感負載之間的雙路N溝道MOSFET。
2023-10-19
敏感電路 過壓 電源 反接保護
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利用MPS電源模塊賦能光模塊驅動數(shù)據(jù)流量
數(shù)據(jù)流量是現(xiàn)代生活的中心。例如，一個手機應用的安裝包就需要數(shù)千兆字節(jié)的流量；當軟件需要多次更新時，需要連接Wi-Fi；網(wǎng)上購物時，僅加載單個頁面就需要消耗數(shù)兆的流量；如果網(wǎng)速不夠快，視頻通話將很容易卡頓。
2023-10-18
光模塊 電源模塊 數(shù)據(jù)流量
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通信基礎設施設備中的電流感測應用
本文從電流檢測 (CS) 的角度重新分析了蜂窩無線基礎設施 (WI) 中的主要電子終端設備。另外還探討了此類設備中的幾種 CS 應用。電源塊可以集成到 WI 終端設備中，也可以是獨立模塊。不管具體的實現(xiàn)為何，通常都需要一個智能電源管理系統(tǒng)來為電池充電并在不同的電源之間提供無縫切換。在此類電源管理...
2023-10-17
通信基礎設施設備 電流感測應用
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Normally-off D-Mode 氮化鎵晶體管的根本優(yōu)勢
氮化鎵功率半導體器件毫無疑問是目前電力電子領域中非常火熱的一個話題。當今占主導有兩種晶體管類型：Normally-off D-mode和Normally-off E-mode 氮化鎵晶體管。當人們面臨選擇時，有時會難以言明地傾向于使用增強型晶體管。而事實上，Normally-off D-mode在性能、可靠性、多樣性、可制造性以及實...
2023-10-17
Normally-off D-Mode 氮化鎵 晶體管
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如何防止數(shù)字MEMS傳感器出現(xiàn)混疊現(xiàn)象
過去十多年來，基于微機電系統(tǒng) (MEMS) 的設計人員一直選擇使用數(shù)字式 MEMS 傳感器，而不是模擬式。驅動這一趨勢的原因是傳感器產(chǎn)品的利用率、功能集、集成度和成本。選擇數(shù)字式 MEMS 傳感器時，工程師面臨著諸如傳感器量程、噪聲、封裝和電流消耗等設計決策。對于加速計等慣性 MEMS 傳感器，設計人...
2023-10-16
數(shù)字傳感器 MEMS傳感器
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