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羅姆:先進的半導(dǎo)體功率元器件和模擬IC助力工業(yè)用能源設(shè)備節(jié)能
隨著向無碳社會的推進以及能源的短缺,全球?qū)稍偕茉醇挠韬裢?,對不斷提高能源利用效率并改進逆變器技術(shù)(節(jié)能的關(guān)鍵)提出了更高要求。而功率元器件和模擬IC在很大程度上決定了逆變器的節(jié)能性能和效率。通過在適合的應(yīng)用中使用功率元器件和模擬IC,可以進一步提高逆變器的功率轉(zhuǎn)換效率,降低工...
2024-05-16
羅姆 半導(dǎo)體功率元器件 模擬IC 工業(yè)用能源設(shè)備
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掌握幾個技巧 降低運放電路中的功耗!
為了了解運算放大器電路中的功耗問題,我們首先明白具有低靜態(tài)電流 (IQ)的放大器以及增加反饋網(wǎng)絡(luò)電阻值與功耗之間的關(guān)系。
2024-05-14
運放電路
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抓住JESD204B接口功能的關(guān)鍵問題
JESD204B是最近批準的JEDEC標準,用于轉(zhuǎn)換器與數(shù)字處理器件之間的串行數(shù)據(jù)接口。它是第三代標準,解決了先前版本的 一些缺陷。該接口的優(yōu)勢包括:數(shù)據(jù)接口路由所需電路板空間更少,建立與保持時序要求更低,以及轉(zhuǎn)換器和邏輯器件的封裝更小。多家供應(yīng)商的新型模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器采用此接口,例如ADI的 ...
2024-05-14
JESD204B 接口功能
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如何使用帶有I2C和SPI解碼的示波器排查系統(tǒng)問題
大多數(shù)基于微控制器的設(shè)計都使用I2C或SPI,或兩者兼用,來實現(xiàn)控制器之間以及控制器與外圍芯片之間的通信。當芯片發(fā)送特定的I2C或SPI數(shù)據(jù)包時,能夠看到嵌入式系統(tǒng)內(nèi)部的操作對于排除故障至關(guān)重要。許多管理相對較慢參數(shù)的芯片,如溫度傳感器、電機控制器、人機界面或電源管理等,都將這些總線作為...
2024-05-14
I2C SPI解碼 示波器
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Boost電路的CCM模式與DCM模式
Boost升壓電路,可以工作在電流斷續(xù)工作模式(DCM)和電流連續(xù)工作模式(CCM)。CCM工作模式適合大功率輸出電路,電感電流需保持連續(xù)狀態(tài),因此,按CCM工作模式來進行特性分析。不管哪種拓撲,其CCM和DCM的定義,是一樣的。
2024-05-14
Boost電路的CCM模式與DCM模式
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MOS管被擊穿的原因及解決方案
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
2024-05-14
MOS管
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雙管反激240W USB PD3.1 EPR設(shè)計要點
雙管反激QR變換器架構(gòu)很好地解決了前面提到的難題,雙管反激QR變換器可以輸出很寬的電壓范圍,通過合理的選擇變壓器匝比,可以使初級的雙開關(guān)近似工作在ZVS開通,同時高匝比的應(yīng)用也使得初級的電流減小,開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗得以減少,后級同步整流管可以使用常用的120V的MOSFET,降低了整體成本。
2024-05-14
雙管反激 EPR設(shè)計
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使用4、5和6系列混合信號示波器排除電磁干擾故障
輻射發(fā)射是對輻射電磁場的測量,而傳導(dǎo)發(fā)射則是對被測產(chǎn)品、設(shè)備或系統(tǒng)發(fā)出的傳導(dǎo)電磁干擾電流的測量。根據(jù)設(shè)備的設(shè)計工作環(huán)境,全球范圍內(nèi)對這些輻射的上限都有相應(yīng)限制。
2024-05-12
混合信號示波器 電磁干擾
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面向未來的電源開關(guān)解決方案
在汽車、工業(yè)和逆變器應(yīng)用中,對在更高輸出功率水平下提高效率的需求日益增長。而在電動汽車 (EV) 領(lǐng)域,通過提高電機驅(qū)動效率和加快電池充電速度,此類優(yōu)化對于擴展性能和延長續(xù)航里程至關(guān)重要。對于工業(yè)而言,提高效率是減少全球能源消耗和增強可持續(xù)性的必需條,因此當前重點是直流微電網(wǎng)技術(shù)的...
2024-05-12
電源開關(guān)
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