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基于PCB的電磁兼容的設(shè)計
PCB電磁兼容設(shè)計在于減少對外電磁輻射和提高抗電磁干擾的能力，合理的布局和布線是設(shè)計的關(guān)鍵所在。本文介紹PCB中常見的電磁干擾及PCB的電磁兼容設(shè)計，這些方法與技巧有利于提高高速PCB的EMC特性。解決PCB設(shè)計中的問題如傳導(dǎo)干擾、串音干擾以及輻射干擾。
2011-08-22
PCB 電磁兼容 電磁干擾 靜電防護(hù) EMC EMI
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安森美推出帶開關(guān)控制器的電流鏡及SENSEFET?功率MOSFET
應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體推出帶開關(guān)控制器的電流鏡CAT2300，將這器件與安森美半導(dǎo)體的NTMFS4833NS或NTMFS4854NS SENSEFET? 功率MOSFET器件結(jié)合使用，能提供緊湊、高能效的電流監(jiān)控方案。這些新器件的組合提供系統(tǒng)級電源管理，用于便攜計算機(jī)及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等應(yīng)用。
2011-08-22
CAT2300 安森美 SENSEFET MOSFET NTMFS4833NS NTMFS4854NS
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8月大尺寸LCD面板價格下跌速度放緩
據(jù)IHS iSuppli公司的液晶顯示器(LCD)價格研究報告，8月份大尺寸LCD面板價格下降速度預(yù)計略慢于7月，供應(yīng)商積極降低產(chǎn)能利用率預(yù)計會防止面板價格進(jìn)一步下滑。
2011-08-22
LCD 液晶顯示器 iSuppli
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行業(yè)巨擘悉數(shù)登場LED權(quán)威盛會CHINASSL2011
由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)與勵展博覽集團(tuán)(Reed Exhibitions)共同舉辦的第八屆中國國際半導(dǎo)體照明展覽會暨論壇（CHINASSL2011）今年將移師廣州，定于11月8日-10日在廣州白云國際會議中心隆重召開。
2011-08-21
LED SSL 半導(dǎo)體 照明
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傳感器電路的噪聲及其抗干擾技術(shù)研究
傳感器電路很容易接收到外界或內(nèi)部一些無規(guī)則的噪聲或干擾信號，如果這些噪聲和干擾的大小可以與有用信號相比較，那么在傳感器電路的輸出端有用信號將有可能被淹沒，或由于有用信號分量和噪聲干擾分量難以分辨，則必將妨礙對有用信號的測量。所以在傳感器電路的設(shè)計中，往往抗干擾設(shè)計是傳感器電路...
2011-08-19
傳感器 噪聲 干擾
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提高LED顯示屏顯示效果的相關(guān)技術(shù)分析
近年來，全彩色LED顯示屏在體育場館、道路交通、廣告宣傳、租賃等方面的應(yīng)用出現(xiàn)快速增長的趨勢。據(jù)美國Standford Resources對LED顯示屏產(chǎn)品國際市場概況的預(yù)測，當(dāng)前和未來市場上對LED顯示屏產(chǎn)品的采用將會以全彩高畫質(zhì)為主，因此需要在LED大屏幕顯示控制技術(shù)和新產(chǎn)品設(shè)計方面隨時把握市場趨勢，攻...
2011-08-19
LED顯示屏 灰度 對比度 顯示控制
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OLED面板大勢所趨 未來市場格局成疑
近日消息稱，韓國LGDisplay公司打算投資約28.3億美元（約合180億元人民幣）用于大批量生產(chǎn)OLED面板，并預(yù)計這些面板將于2014年下半年正式量產(chǎn)。事實(shí)上，索尼曾經(jīng)推出的11寸OLED電視，與現(xiàn)有液晶顯示器面板相比，重量更輕，厚度更薄，同時還可提高圖像對比度，但最終還是走向停產(chǎn)，那么，步索尼后塵...
2011-08-19
OLED 面板 市場
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影響LED顯示屏逐點(diǎn)校正效果的因素分析
逐點(diǎn)校正做為一項(xiàng)大幅度提升顯示質(zhì)量的技術(shù)，無論是廠家還是客戶，其首要的關(guān)注點(diǎn)無疑是校正效果。然而，當(dāng)前逐點(diǎn)校正應(yīng)用的效果還存在著各種各樣的不盡如人意的地方。筆者通過大量的觀察、交流與校正實(shí)踐，對逐點(diǎn)校正效果存在的常見問題及其出現(xiàn)的原因進(jìn)行了歸納與分解。
2011-08-18
LED顯示屏 逐點(diǎn)校正 LED
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SiB437EDKT：Vishay推出微型低導(dǎo)通電阻功率MOSFET用于便攜設(shè)備
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件。
2011-08-18
SiB437EDKT Vishay 功率MOSFET
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