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IRFBxxxxPBF:IR全新基準(zhǔn)高電流MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2008-12-19

產(chǎn)品特性:IR全新基準(zhǔn)高電流MOSFET

  • 封裝電流額定值達(dá)到195A
  • 低導(dǎo)通電阻
  •  7管腳D2PAK封裝的電流額定值達(dá)到240A
  • 可使用常用的TO-220、D2PAK和TO-262封裝
  • 提供60V至200V的電壓

應(yīng)用范圍:

  • 工業(yè)用電池、電源
  • 高功率DC馬達(dá)及電動(dòng)工具

國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列,適用于工業(yè)用電池、電源、高功率DC馬達(dá)及電動(dòng)工具。

新器件的封裝電流額定值達(dá)到195A,比典型封裝電流額定值高出60%。新款MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) ,并可使用常用的TO-220、D2PAK和TO-262封裝。此外,7 管腳D2PAK封裝的電流額定值達(dá)到240A的卓越水平,使它成為市場(chǎng)上最耐用的表面貼裝封裝之一。這種7管腳D2PAK封裝比D2PAK封裝具更低的RDS (on) 。

IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“這些封裝提供的更高電流額定值有助于利用不需要的瞬態(tài)提供更多防護(hù)頻帶,而且還能讓數(shù)枚MOSFET分享高電流的平行式拓?fù)涞靡詼p少器件數(shù)目。”

全新N信道MOSFET系列提供60V至200V的電壓,并達(dá)到工業(yè)級(jí)別及濕度敏感度第一階(MSL1) 標(biāo)準(zhǔn)。新器件均不含鉛及符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令 (RoHS) 。

產(chǎn)品基本規(guī)格如下:

器件編號(hào)

通道

類型

Bvdss
(V)

RDS(on)

(mΩ)

25ºC Id

(A)

Qg

(nC)

封裝

IRFB3006PBF

N

60

2.5

195*

200

TO-220

IRFS3006PBF

N

60

2.5

195*

200

D2PAK

IRFS3006-7PPBF

N

60

2.1

240*

200

D2PAK-7

IRFS3107PBF

N

75

3.0

195*

160

D2PAK

IRFS3107-7PPBF

N

75

2.6

240*

160

D2PAK-7

IRFS4010PBF

N

100

4.7

180

143

D2PAK

IRFS4010-7PPBF

N

100

4.0

190

150

D2PAK-7

IRFB4115PBF

N

150

11

104

77

TO-220

IRFS4115PBF

N

150

12.1

99

77

D2PAK

IRFS4115-7PPBF

N

150

11.8

105

73

D2PAK-7

IRFB4127PBF

N

200

20

76

100

TO-220

IRFS4127PBF

N

200

22

72

100

D2PAK

新款MOSFET系列已經(jīng)開始供貨。

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