新聞事件：

• ST鞏固在能效功率控制市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位

事件影響：

• 是節(jié)能技術(shù)領(lǐng)域的一次巨大飛躍

• 減少封裝尺寸，降低材料（BOM）成本

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管。MDmesh V系列已是市場(chǎng)上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻，在650V額定電壓應(yīng)用中可實(shí)現(xiàn)最高的能效和功率密度；現(xiàn)在新產(chǎn)品的推出又將重要的能效指標(biāo)提高23%以上，對(duì)于以熱量形式損耗電能的系統(tǒng)功率轉(zhuǎn)換電路，如電子照明控制器、消費(fèi)電子電源和太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)換器，新產(chǎn)品的成功推出在節(jié)能技術(shù)領(lǐng)域是一次巨大飛躍。

意法半導(dǎo)體功率晶體管市場(chǎng)總監(jiān)Maurizio Giudice表示：“新記錄突顯并鞏固了意法半導(dǎo)體在超結(jié)型MOSFET市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位，MDmesh V體現(xiàn)了意法半導(dǎo)體最新的經(jīng)過(guò)市場(chǎng)檢驗(yàn)的Multi-Drain Mesh技術(shù)，新產(chǎn)品的性能提升讓客戶能夠降低應(yīng)用設(shè)計(jì)能耗，同時(shí)強(qiáng)化了意法半導(dǎo)體關(guān)于提供對(duì)環(huán)境負(fù)責(zé)的產(chǎn)品同時(shí)通過(guò)設(shè)計(jì)研發(fā)創(chuàng)新產(chǎn)品為客戶提供卓越性能的承諾。”

新產(chǎn)品STW88N65M5 MDmesh V MOSFET的通態(tài)電阻僅為 0.029Ω，是標(biāo)準(zhǔn)TO-247封裝650V市場(chǎng)上通態(tài)電阻最低的產(chǎn)品，打破了同樣是MDmesh V器件創(chuàng)造的0.038 Ω的原行業(yè)基準(zhǔn)。設(shè)計(jì)工程師可直接將新產(chǎn)品替代通態(tài)電阻較高的MOSFET來(lái)提高終端應(yīng)用的能效，或并聯(lián)更少的MOSFET晶體管，從而減少封裝尺寸，降低材料（BOM）成本。

相較于同類600V競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品，意法半導(dǎo)體的650V STW88N65M5及其余的 MDmesh V產(chǎn)品的安全邊際更高，從而提高M(jìn)OSFET對(duì)交流電力線上常見(jiàn)電涌的承受能力。

意法半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)市場(chǎng)檢驗(yàn)的MDmesh V產(chǎn)品采用多種類型的封裝，包括Max247、TO-247、D2PAK、TO-220/FP、PowerFLAT 8x8 HV以及I2PAK。TO-247封裝的STW88N65M5現(xiàn)已上市。