產(chǎn)品特點(diǎn)：
- 柵極電荷(Qg)顯著減少，具有更快的開關(guān)性能
- 與競爭方案相比，總體開關(guān)和導(dǎo)通損耗顯著降低20%或更多
- 電焊機(jī)、太陽能逆變器和不間斷與開關(guān)電源
美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款產(chǎn)品。新的IGBT系列采用美高森美的尖端Power MOS 8技術(shù)，與競爭解決方案相比，總體開關(guān)和導(dǎo)通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件瞄準(zhǔn)電焊機(jī)、太陽能逆變器和不間斷與開關(guān)電源等應(yīng)用。
Microsemi新款1200V非穿通型IGBT開關(guān)和導(dǎo)通損耗降低20%
美高森美新的分立元件產(chǎn)品包括APT40GR120B、APT40GR120S和APT40GR120B2D30。這些器件可以單獨(dú)提供，或者與任一美高森美的FRED或碳化硅肖特基(Schottky) 二極管組合封裝提供，以便簡化產(chǎn)品開發(fā)和制造。其它特性包括：
• 相比競爭產(chǎn)品，柵極電荷(Qg)顯著減少，具有更快的開關(guān)性能；
• 硬開關(guān)運(yùn)行頻率大于80 KHz，實現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換；
• 易于并聯(lián)(Vcesat的正溫度系數(shù))，提升大功率應(yīng)用的可靠性；以及
• 額定短路耐受時間(Short Circuit Withstand Time，SCWT)，在需要短路能力的應(yīng)用中實現(xiàn)可靠運(yùn)作
APT40GR120B晶體管采用TO-247封裝，APT40GR120S采用表面安裝D3 PAK封裝，APT40GR120B2D30則是T-MAX® 封裝器件，包含了一個30A反并聯(lián)超快恢復(fù)二極管，采用美高森美的專有“DQ”系列低開關(guān)損耗、額定雪崩能量二極管技術(shù)制造。
供貨
美高森美新型NPT IGBT中的最初兩款產(chǎn)品已具有以上全部待征并已量產(chǎn)，可通過當(dāng)?shù)胤咒N商或美高森美銷售代表獲取樣品。
