導(dǎo)言：面向LTE基站和類(lèi)似應(yīng)用的集成、封裝解決方案提供最低的噪聲系數(shù)，TriQuint開(kāi)始供應(yīng)兩款表面貼裝式封裝的低噪聲放大器。這批器件采用新封裝的砷化鎵（GaAs）低噪聲放大器在400至2700 MHz應(yīng)用中提供一流性能。
 
技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商TriQuint半導(dǎo)體公司，開(kāi)始供應(yīng)兩款表面貼裝式封裝的低噪聲放大器（LNA）TQP3M9036和TQP3M9037的初始樣品，為面向基站和類(lèi)似應(yīng)用的集成、封裝解決方案提供最低的噪聲系數(shù)。

                            

這些采用TriQuint砷化鎵E-pHEMT工藝的新器件，包括工作頻率為400至1500 MHz、噪聲系數(shù)為0.45 dB的TQP3M9036和工作頻率為1500至2700 MHz、噪聲系數(shù)為0.40 dB的TQP3M9037。兩款放大器均非常適用于基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，如蜂窩基站、塔頂放大器（TMA）、小蜂窩無(wú)線網(wǎng)絡(luò)、中繼器、700 MHz LTE網(wǎng)絡(luò)以及使用UHF頻譜中“空白信號(hào)頻譜”（white space）的新興無(wú)線系統(tǒng)。
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下頁(yè)內(nèi)容：針對(duì)700MHz LTE基站低成本、高性能和低噪聲的Triquint放大器
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TriQuint新的解決方案將通常由外部元件整合的關(guān)鍵功能集成在芯片上和封裝之內(nèi)，因而簡(jiǎn)化了射頻設(shè)計(jì)。新的低噪放還解決TDD-LTE市場(chǎng)對(duì)集成數(shù)字關(guān)機(jī)偏置能力日益增長(zhǎng)的要求，并且可以從偏置電壓+3 V至+5 V提供高性能，無(wú)需負(fù)電源電壓。偏置網(wǎng)絡(luò)通過(guò)電流反射鏡和反饋電保持對(duì)溫度變化的穩(wěn)定性；并且還提供了數(shù)字?jǐn)嚯姽δ艿拈_(kāi)關(guān)電路。TriQuint的新低噪聲放大器已經(jīng)進(jìn)行了最優(yōu)化的片上配置，來(lái)提供最佳的噪聲系數(shù)、線性度和可靠性的組合。

這兩款TriQuint的新器件都與TriQuint產(chǎn)品組合中同類(lèi)產(chǎn)品引腳兼容，并安裝在符合RoHS規(guī)范的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，2x2毫米，8引腳DFN的封裝。他們是極為堅(jiān)固的器件,  能阻斷高功率干擾輸入信號(hào)或大于 +22 dBm的發(fā)射功率泄漏 。這些器件還絕對(duì)穩(wěn)定，可消除潛在的振蕩。TQP3M9036和TQP3M9037均內(nèi)部匹配50歐姆，操作時(shí)不需要任何外部匹配電路。

技術(shù)細(xì)節(jié)：
                     

目前供應(yīng)TQP3M9036和TQP3M9037的初始樣品，預(yù)計(jì)將于2012年9月開(kāi)始量產(chǎn)。