ST超高速串聯(lián)二極管自問世以來一直深受市場歡迎，至今出貨量已超過5千萬顆。為了讓設(shè)計人員以更高成本效益提升電源、太陽能逆變器和電動交通工具充電樁的能效，意法半導體（ST）推出了第二代600V、8A/12A超高速串聯(lián)二極管（tandem diodes）。與ST第一代產(chǎn)品相比，新的超高速串聯(lián)二極管產(chǎn)品降低了反向恢復電荷(QRR，reverse-recovery charge)，從而能夠最大限度降低開關(guān)損耗，能效優(yōu)勢高于標準超高速二極管。QRR 參數(shù)變低還有助于加快電路設(shè)計的微調(diào)速度，縮短設(shè)備廠商的新產(chǎn)品上市時間。

第二代600V、8A/12A超高速串聯(lián)二極管性能在開關(guān)頻率高達100KHz和結(jié)溫低于100攝氏度時，可與碳化硅二極管相媲美，但價格比碳化硅二極管低至少30%。SiC二極管的性能不受結(jié)溫的影響，在結(jié)溫高于100攝氏度時，SiC二極管性能高于超高速串聯(lián)二極管。目前ST已開發(fā)出650V、20A的SiC二極管，使得其SiC二極管產(chǎn)品系列支持正向電流為4A、6A、8A、12A和20A的不同應(yīng)用。

ST第二代600V、8A/12A超高速串聯(lián)二極管包括平均正向電流為8A的STTH8T06DI和STTH8ST06DI與 12A的STTH12T06DI，屬于意法半導體600V串聯(lián)二極管系列。新產(chǎn)品的正向涌流峰值與超高速二極管相同，確保穩(wěn)健性和可靠性，工作結(jié)溫范圍寬達 -40°C到 175°C。

這三款器件現(xiàn)已全部投入量產(chǎn)，采用TO-220AC絕緣散熱柱型封裝。