＜背景＞

在中小容量SDRAM的用途之一車載設(shè)備系統(tǒng)中，工作時(shí)發(fā)生的輻射噪聲會(huì)對(duì)高頻段等產(chǎn)生影響，因此，對(duì)于提升系統(tǒng)品質(zhì)來說，降低輻射噪聲成為重要課題。LAPIS Semiconductor著眼于該課題，為降低SDRAM工作時(shí)產(chǎn)生的輻射噪聲，改善阻抗匹配的讀取數(shù)據(jù)輸出波形的特性，早在以往產(chǎn)品16M bit /64M bit SDRAM上就開始搭載按3級(jí)改變讀取數(shù)據(jù)輸出時(shí)的電流驅(qū)動(dòng)能力的輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能。該功能在車載領(lǐng)域獲得極高好評(píng)，為擴(kuò)大在需要更大容量SDRAM的用途中的應(yīng)用范圍，LAPIS Semiconductor開發(fā)了128M bit 、256M bit SDRAM。

另外，DRAM的主流產(chǎn)品逐漸向大容量、高速化的DDR2/DDR3-SDRAM發(fā)展，中小容量SDRAM的供應(yīng)越來越不穩(wěn)定。LAPIS Semiconductor將中小容量的SDRAM定位為傳統(tǒng)DRAM注1，作為唯一可長(zhǎng)期供貨的日本國(guó)內(nèi)制造商，不僅面向車載用途市場(chǎng)，而且面向更廣闊的工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)，正在不斷完善產(chǎn)品的產(chǎn)品陣容。 

＜新產(chǎn)品詳情＞

1．搭載輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能
為降低SDRAM工作時(shí)產(chǎn)生的輻射噪聲，改善阻抗匹配的讀取數(shù)據(jù)輸出波形的特性，搭載變更讀取數(shù)據(jù)輸出時(shí)的電流驅(qū)動(dòng)能力的輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能。通過擴(kuò)展模式寄存器配置可設(shè)定4級(jí)驅(qū)動(dòng)能力。

本功能有助于實(shí)現(xiàn)適合用戶系統(tǒng)的電流驅(qū)動(dòng)能力優(yōu)化、降低輻射噪聲、減少輻射噪聲對(duì)策零部件數(shù)量。另外，可按出貨時(shí)固定規(guī)格的驅(qū)動(dòng)能力設(shè)定供貨，即使使用已有的SDRAM控制器無需配置擴(kuò)展模式寄存器，即可使用最佳的輸出驅(qū)動(dòng)能力設(shè)定的產(chǎn)品。

2．采用銅引線框架
為滿足車載設(shè)備領(lǐng)域的與PCB板之間的高可靠性焊接連接性的要求，本產(chǎn)品采用連接可靠性優(yōu)異的銅(Cu)引線框架。與以往的42合金引線框架相比，其與PCB板的熱膨脹系數(shù)更相近，因此，提高了焊接連接可靠性，滿足了汽車廠家要求的PCB板貼裝狀態(tài)下的熱膨脹循環(huán)標(biāo)準(zhǔn)。另外，還同時(shí)抑制了錫晶須不良的發(fā)生。

3．滿足車載品質(zhì)
為實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)，支持定制符合客戶要求品質(zhì)的測(cè)試工序。

4．芯片銷售遵循KGD(Known Good Die)保證
從晶圓級(jí)保證與封裝產(chǎn)品同等的品質(zhì)，通過與客戶的使用方法相匹配的測(cè)試工序，提供高品質(zhì)的芯片產(chǎn)品。

LAPIS Semiconductor今后也會(huì)以不斷推出客戶放心使用的高可靠性SDRAM產(chǎn)品并長(zhǎng)期穩(wěn)定供應(yīng)為目標(biāo)，進(jìn)一步推出256M bit DDR1、512M bit DDR2，不斷擴(kuò)充傳統(tǒng)DRAM注1產(chǎn)品的陣容。

【銷售計(jì)劃】
?產(chǎn)品名   ：MD56V72160C / MD56V82160A
?包裝形態(tài)  ：托盤1080個(gè)
?樣品出售時(shí)間  ：樣品出售中
?樣品價(jià)格（參考）：MD56V72160C 　360日元（不含稅）　
MD56V82160A 　520日元（不含稅）
?量產(chǎn)出售計(jì)劃  ：2014年3月開始

【產(chǎn)品概要/特點(diǎn)】
?規(guī)格 ：滿足JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格
?存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu) ：4 BANK×2,097,152 WORD×16 BIT (MD56V72160C)   4 BANK×4,194,304 WORD×16 BIT (MD56V82160A)
?地址大小 ：4,096行 × 512列(MD56V72160C)  8,192行 × 512列(MD56V82160A)
?工作頻率 ：166MHz(max.)
?接口 ：LVTTL兼容
?功能 ：通用SDRAM指令接口
?電源電壓 ：3.3V±0.3V
?工作溫度范圍 ：0℃ ～ ＋70℃ / －40℃ ～ ＋85℃　
?刷新  ：自動(dòng)刷新時(shí)　4,096次/64msec(MD56V72160C)    8,192次/64msec(MD56V82160A) 自刷新　
?消耗電流(Typ.) ：工作時(shí)(166MHz)    100mA (MD56V72160C)   150mA (MD56V82160A)
  待機(jī)時(shí)(動(dòng)態(tài)待機(jī)時(shí)) 50mA (MD56V72160C)   65mA (MD56V82160A)    關(guān)機(jī)時(shí) 3mA
?封裝 ：54Pin TSOP    銅引線框架、滿足RoHS指令、無鉛、無鹵