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集成的門極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)電隔離的運(yùn)行優(yōu)勢

發(fā)布時(shí)間:2020-12-15 來源:Guy Rahamim 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】在電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,提供電氣隔離通常是必要的。保持高低壓域電隔離,防止電流在它們之間流動(dòng),否則可能導(dǎo)致嚴(yán)重的安全問題。當(dāng)然,隔離的域仍需要進(jìn)行交互,讓數(shù)據(jù)在它們之間傳輸。
 
盡管隔離很普遍,但是有效地實(shí)現(xiàn)隔離仍然存在問題,尤其是當(dāng)我們向更高的系統(tǒng)集成度發(fā)展。它的主要目的是安全,但它也可以通過最大化共模瞬變抗擾度(CMTI)來提高性能,這是在汽車行業(yè)中使用隔離的主要原因之一。另一個(gè)原因,尤其是在電動(dòng)汽車中,是支持電壓域之間的電源轉(zhuǎn)換和電平轉(zhuǎn)換。
 
電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)通常使用功率MOSFET或IGBT。這些器件需要使用低壓信號(hào)由門極驅(qū)動(dòng)器來開關(guān)。為保持不同的電壓域獨(dú)立但相互連接,需要隔離,這就是個(gè)典型的示例。隔離通常使用光耦合器來實(shí)現(xiàn),這至少需要兩個(gè)分立器件。發(fā)射器是一個(gè)LED,接收器包括一個(gè)光電二極管。
 
盡管光耦合器可易于實(shí)現(xiàn)極高的5 kVrms或更高的隔離,但它們體積大且易老化。在沒有光的情況下實(shí)現(xiàn)跨越隔離柵的通信,同時(shí)仍保留所需的隔離水平,這是可能的。光耦合器在許多應(yīng)用中可能是理想的選擇,但替代技術(shù)的趨勢越來越明顯,集成的隔離器件提供更多便利。一個(gè)示例是安森美半導(dǎo)體的NCD57001。它使用通過無芯變壓器的磁耦合在微型電感器之間創(chuàng)建數(shù)據(jù)路徑,從而提供5 kVrms的電氣隔離和至少100 kV / us的CMTI。
 
集成的門極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)電隔離的運(yùn)行優(yōu)勢
圖1:安森美半導(dǎo)體的先進(jìn)的NCD57001門極驅(qū)動(dòng)器IC
 
NCD57001的另一個(gè)顯著特點(diǎn)是它的輸出級(jí),專為解決一個(gè)常見問題而開發(fā)。它具有一個(gè)內(nèi)部緩沖級(jí),為克服米勒平臺(tái)而設(shè)計(jì)。這是傳遞曲線區(qū)域,證明了許多門極驅(qū)動(dòng)器的消亡。在此期間,寄生米勒電容生效,從而降低了開/關(guān)轉(zhuǎn)換速度。
 
集成的門極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)電隔離的運(yùn)行優(yōu)勢
 
為了補(bǔ)償米勒電容的遲滯效應(yīng),輸出緩沖器的作用是通過米勒平臺(tái)(Miller Plateau)來增加驅(qū)動(dòng)電流。柵極端子上的米勒電容是開關(guān)損耗的主要原因。當(dāng)門極電壓開始上升且驅(qū)動(dòng)器輸出電壓與門極電壓之差減小時(shí),提供大電流輸出驅(qū)動(dòng),IGBT或MOSFET可以更快地通過米勒平臺(tái)。這是利用輸出級(jí)的升壓效應(yīng)來減少為寄生/米勒門極電容充電所需的時(shí)間來實(shí)現(xiàn)的。
 
NCD57001的無芯變壓器技術(shù),在芯片級(jí)門極驅(qū)動(dòng)器中提供了有效的隔離。這些全集成的隔離式門極驅(qū)動(dòng)器具有真正的工程優(yōu)勢,并且在需要以小尺寸實(shí)現(xiàn)高隔離度的應(yīng)用中是光隔離驅(qū)動(dòng)器的絕佳替代品。其為克服米勒平臺(tái)而設(shè)計(jì)的輸出升壓級(jí)還提高了開關(guān)效率。隨著越來越多的應(yīng)用采用高直流電壓,對(duì)高效和安全隔離的需求也在增長。因此,創(chuàng)新方案如NCD57001可真正為您的下一個(gè)功率開關(guān)應(yīng)用帶來積極的改變。
 
 
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