【導讀】可變速驅動(VSD) 可以非常高效地改變電機的扭矩和速度,并廣泛用于諸如電機驅動、伺服和暖通空調(diào) (HVAC) 等重載應用中。在采用VSD之前,交流輸出功率只能以電網(wǎng)電力的交流頻率施加,通常在不需要全速時使用機械制動。因此,根據(jù)需求調(diào)節(jié)速度不僅可以減少能耗,而且可以延長電機的使用壽命。
實現(xiàn)此目的最常見的一種器件是轉換器-逆變器-制動 (CIB) 模塊。圖1顯示了CIB模塊的基本輪廓。該模塊電路包含3部分:轉換器,逆變器和制動器。CIB的名字由這些器件的首字母-C,I和B而得來。在正常運行期間,轉換器級的輸入(圖1中的R/S/T)從電網(wǎng)汲取三相功率,并將交流電調(diào)節(jié)為直流電。
有兩種常用的三相電壓:240V級和400V級;根據(jù)電壓大小,建議使用650 V CIB模塊或1200 V CIB模塊。轉換器級之后,將立即將電容器連接到直流總線,以消除由使用動態(tài)功率引起的來自逆變器的電壓紋波。然后,逆變器級將DC輸入斬波為AC輸出來為電機供電。這可以通過導通和關斷模塊此部分中的6-IGBT來實現(xiàn)。輸出電壓/電流通過脈寬調(diào)制控制;信號被構造為產(chǎn)生所需的功率以所需速度和方向驅動電機。
當安森美半導體定義TMPIM電源模塊的安培額定值時,電流是指逆變器部分中的IGBT額定值。作為參考,一個1200 V 25 A TMPIM CIB模塊將提供5 kW的電動機功率。35 A TMPIM將輸出7.5 kW;50 A可提供10 kW,15 kW和20 kW的功率。重要的是要注意,通常提供千瓦輸出功率額定值。如果應用使用不同的控制和冷卻設置,則此額定功率可能會有很大變化。
因此,最大輸出功率由功率模塊的設計以及如何控制和冷卻模塊來定義。安森美半導體的運動控制在線仿真工具可幫助您選擇最合適的模塊。當電機停止和減速時,其運行會切換到再生模式。電機產(chǎn)生的功率被轉移回直流總線電容器。當產(chǎn)生的功率過大時,會過度充電并損壞電容器。在這種情況下,制動IGBT導通,將多余的電流引至與IGBT串聯(lián)連接的外部制動電阻器。這種布置會耗散過多的再生功率,并使電容器電壓保持在安全水平。
在含風扇、泵和加熱器驅動的應用中,再生功率不顯著,可以移除制動器。在這種情況下,該模塊稱為CI模塊,它代表轉換器逆變器模塊。
圖1:轉換器-逆變器-制動器 (CIB) 模塊的基本架構
創(chuàng)新的封裝用于功率集成模塊
通用CIB/CI模塊使用凝膠填充封裝,將功率組件封裝在外殼內(nèi)。這種方法涉及一個多級制造工藝,但也許更重要的是,它固有地結合了不均勻材料和接口的額外層,這會削弱模塊并降低其魯棒性。安森美半導體開發(fā)壓鑄模功率集成模塊 (TMPIM) 挑戰(zhàn)這一規(guī)范。顧名思義,開發(fā)的工藝是一種單級封裝技術,可以用相同的材料創(chuàng)建封裝和包圍組件的介質(zhì)。
壓鑄模工藝消除了對多種材料的需求,包括通常用于容納組件的塑料盒,膠水和包圍功率器件的密封劑。除了整體上更高效的制造工藝外,壓鑄模還能提供十倍的溫度循環(huán),從而直接提高能效。這為最終產(chǎn)品的尺寸和形狀提供了更大的靈活性,并提供了更高的可靠性和功率密度。
迄今為止,安森美半導體已采用其TMPIM工藝開發(fā)和發(fā)布了許多模塊針對功率要求在3.75 kW至10 kW之間的應用,包括六個額定電流分別為25 A,35 A和50 A的1200 V CIB模塊。這些器件采用DIP-26封裝,包括CBI和CI變體?,F(xiàn)在,安森美半導體將擴展其產(chǎn)品系列,提供75 A和100 A電流輸出的1200 V CBI模塊,并推出一系列額定電流在35 A和150 A之間的650 V模塊。這些器件將能夠滿足功率要求高達20 kW的應用,并采用QLP封裝配置。DIP-26封裝的兩側都有端子,而QLP是四邊形的引線框架封裝,所有四個側面都有端子。
封裝增強帶來更高的功率密度
為了適應更高的輸出功率水平,安森美半導體進一步開發(fā)了其TMPIM工藝,推出了標準版和增強版。增強版本采用了先進基板,具有較厚銅層,從而無需底板,使兩種封裝的外形尺寸保持不變。這使制造商根據(jù)其功率需求在兩者之間進行遷移更為簡單。移除底板比相當?shù)哪K減少約57%的體積,同時比標準的TMPIM封裝提高30%熱導率。
圖2:安森美半導體的標準板和增強板TMPIM封裝
更長的使用壽命
通過增加所用銅的厚度,封裝具有較低的熱阻和較高的熱質(zhì)量,而先進的基板進一步提高了模塊的可靠性。
如前所述,整個組件,包括芯片、引線框架和焊線,都封裝在形成封裝的相同的環(huán)氧樹脂中。在DIP-26封裝中,CBI和CI模塊都有相同的引腳分配。在CI模塊中,制動端子沒有內(nèi)部連接。
安森美半導體自身的競爭對手分析表明,使用其壓鑄模工藝制造的模塊可提供高十倍的溫度循環(huán),高3倍的功率循環(huán),同時具有更好的導熱性和整體能效。
總結
在電機驅動、伺服和HVAC應用中,VSD通常采用CIB或CI電路的電源模塊。安森美半導體通過創(chuàng)新的TMPIM技術開發(fā)功率集成模塊,現(xiàn)在能夠以更小的封裝提供更高的能效和功率密度。
來源:安森美半導體應用工程師,作者:周錦昌
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