摘要

 

隨著電池和超級電容等高效蓄能器的大量使用，更好的電流控制成為一種趨勢。而雙向DC/DC轉(zhuǎn)換器可以保持電池健康，并延長其使用壽命。

 

簡介

 

電池供電的便攜式設(shè)備越來越多，在如今的生活中扮演的角色也愈發(fā)重要。這個(gè)趨勢還取決于高能量存儲技術(shù)的發(fā)展，例如鋰離子（Li-ion）電池和超級電容器。這些蓄能器連接到可再生能源系統(tǒng)（太陽能和風(fēng)能），收集和存儲能源，并穩(wěn)定提供給用戶。其中一些應(yīng)用需要快速充電或放電。這里我們將要介紹的是一種雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器，其雙向性允許電流發(fā)生器同時(shí)具備充電和放電能力。雙向控制器可以為汽車雙電池系統(tǒng)提供出色的性能和便利性。而且，在降壓和升壓模式中采用相同的電路模塊，大大降低了系統(tǒng)的復(fù)雜性和尺寸，甚至可以獲得高達(dá)97％的能源效率，并且可以控制雙向傳遞的最大電流。

 

電氣原理

 

圖1顯示了簡單但功能齊全的電氣圖，其對稱配置可讓用戶選擇四種不同的工作模式。它由四個(gè)級聯(lián)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器的單相象限組成，包括四個(gè)開關(guān)、一個(gè)電感器和兩個(gè)電容器。根據(jù)不同電子開關(guān)的功能，電路可以降低或升高輸入電壓。開關(guān)元件由碳化硅（SiC） MOSFET UF3C065080T3S組成，當(dāng)然也可以用其它器件代替。

 

圖1：雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器接線圖

 

四種工作模式

 

用戶可以簡單配置四個(gè)MOSFET來決定電路的工作模式，具體包括如下四種：

 

電池位于“A”端，負(fù)載位于“B”端，從“A”到“B”為降壓

 

電池位于“A”端，負(fù)載位于“B”端，從“A”到“B”為升壓

 

電池位于“B”端，負(fù)載位于“A”端，從“B”到“A”為降壓

 

電池位于“B”端，負(fù)載位于“A”端，從“B”到“A”為升壓

 

在該電路中，SiC MOSFET可以三種不同的方式工作：

 

導(dǎo)通，對地為正電壓；

 

關(guān)斷，電壓為0；

 

脈動(dòng)，具方波和50%PWM。其頻率應(yīng)根據(jù)具體工作條件進(jìn)行選擇。

 

根據(jù)這些標(biāo)準(zhǔn)，SiC MOSFET的功能遵循圖2中所示的表格。

 

圖2：四個(gè)SiC MOSFET的工作模式和作用

 

模式一：降壓（Buck）A-B

 

選擇模式一，電路將作為降壓器工作，即輸出電壓低于輸入電壓的轉(zhuǎn)換器。這種電路也稱為“step-down”。 其電壓發(fā)生器需連接在A側(cè)，而負(fù)載連接在B側(cè)。負(fù)載效率取決于所采用的MOSFET器件。具體配置如下：

 

SW1：以10 kHz方波頻率進(jìn)行切換

 

SW2：關(guān)斷，即斷開開關(guān)

 

SW3：關(guān)斷，即斷開開關(guān)

 

SW4：關(guān)斷，即斷開開關(guān)

 

圖3中的曲線圖顯示了Buck A-B模式下的輸入和輸出電壓。其輸入電壓為12 V，輸出電壓約為9 V，因此電路可用作降壓器。其開關(guān)頻率選擇為10 kHz，輸出端負(fù)載為22 Ohm，功耗約為4W。

 

圖3：Buck A-B模式下的輸入和輸出電壓。

 

模式二：升壓A-B

 

模式二提供升壓操作，即作為輸出電壓高于輸入電壓的轉(zhuǎn)換器。這種電路也稱為“step-up”。 電壓發(fā)生器需連接在A側(cè)，而負(fù)載連接在B側(cè)。負(fù)載效率取決于所采用的MOSFET器件。具體配置如下：

 

SW1：導(dǎo)通，即關(guān)閉開關(guān)（柵級供電）

 

SW2：關(guān)斷，即斷開開關(guān)

 

SW3：關(guān)斷，即斷開開關(guān)

 

SW4：以10 kHz方波頻率進(jìn)行切換

 

圖4中的曲線圖顯示了Boost A-B模式下的輸入和輸出電壓。其輸入電壓為12 V，輸出電壓約為35V，因此電路可用作升壓器。其開關(guān)頻率選擇為10 kHz，輸出端負(fù)載為22 Ohm，功耗約為55W。

 

圖4：Boost A-B模式下的輸入和輸出電壓。

 

模式三：降壓B-A

 

選擇模式三，電路也作為降壓器工作，即輸出電壓低于輸入電壓的轉(zhuǎn)換器。其電壓發(fā)生器需連接在B側(cè)，而負(fù)載連接在A側(cè)。負(fù)載效率取決于所采用的MOSFET器件。具體配置如下：

 

SW1：關(guān)斷，即斷開開關(guān)

 

SW2：關(guān)斷，即斷開開關(guān)

 

SW3：以100 kHz方波頻率進(jìn)行切換

 

SW4：關(guān)斷，即斷開開關(guān)

 

圖5中的曲線圖顯示了Buck B-A模式下的輸入和輸出電壓。其輸入電壓為24 V，輸出電壓約為6.6V，因此電路可用作降壓器。其開關(guān)頻率選擇為100 kHz，輸出端負(fù)載為10 Ohm。

 

圖5：Buck B-A模式下的輸入和輸出電壓。

 

模式四：升壓B-A

 

選擇模式四，電路作為升壓器工作，即輸出電壓高于輸入電壓的轉(zhuǎn)換器。這種電路也稱為“step-up”。其電壓發(fā)生器需連接在B側(cè)，而負(fù)載連接在A側(cè)。負(fù)載效率取決于所采用的MOSFET器件。具體配置如下：

 

SW1：關(guān)斷，即斷開開關(guān)

 

SW2：以100 kHz方波頻率進(jìn)行切換

 

SW3：導(dǎo)通，即關(guān)閉開關(guān)（柵級供電）

 

SW4：關(guān)斷，即斷開開關(guān)

 

圖6中的曲線圖顯示了Boost B-A模式下的輸入和輸出電壓。其輸入電壓為18V，輸出電壓約為22V，因此電路可用作升壓器。其開關(guān)頻率選擇為100 kHz，輸出端負(fù)載為22 Ohm，功耗約為22W。

 

圖6：Boost B-A模式下的輸入和輸出電壓。

 

結(jié)論

 

電路的效率取決于許多因素，首先是所采用的MOSFET導(dǎo)通電阻Rds（on），它決定了電流是否容易通過（見圖7）。 另外，這種配有四個(gè)功率開關(guān)的電路需要進(jìn)行認(rèn)真的安全檢查。 如果SW1和SW2（或SW3和SW4）同時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài)，則可能造成短路，從而損壞器件。

 

圖7：Boost A-B模式下，電感上的脈動(dòng)電壓和電流曲線圖。

（轉(zhuǎn)載來源：電子發(fā)燒友）