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電源管理

CSM2512S：Vishay新型表面貼裝Power Metal Strip電阻

Vishay宣布推出一款新型高精度Bulk Metal表面貼裝Power Metal Strip電阻，該電阻可在額定功率及+70oC的條件下保持長達(dá)2,000小時的±0.05%負(fù)載壽命穩(wěn)定性，在–55oC至+125oC及25oC參考溫度條件下實(shí)現(xiàn)±15 PPM/oC的絕對TCR ，以及具有 ±0.1%的容差。

2008-06-27

CSM2512S Bulk Metal Power Metal Strip電阻

STCL1120系列:意法半導(dǎo)體低功耗硅振蕩器

意法半導(dǎo)體推出STCL1120系列硅振蕩器，新產(chǎn)品啟動快速，抗振動、沖擊和抗電磁干擾（EMI）能力強(qiáng)，電流消耗低，片選控制功能使電源管理比其它品牌的硅振蕩器更加容易，能效更高。

2008-06-24

STCL1120 硅振蕩器控制設(shè)備

B84143D*R127系列：EPCOS長引出線應(yīng)用EMC濾波器

愛普科斯闊展了它的3路EMC濾波器系列, 增加了變頻器用高性能系列產(chǎn)品。其出色的衰減性能尤其對長電動機(jī)引出線有決定性的優(yōu)勢。

2008-06-19

B84143D*R127 SineFormer濾波器 EMC濾波器

Si8445DB：Vishay新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET

日前，Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET，該器件采用MICRO FOOT芯片級封裝，具有很小占位面積以及 1.2 V 時超低的導(dǎo)通電阻。

2008-06-18

Si8445DB 功率MOSFET

B82466G0/B82467G0/B82469G1*：EPCOS新電感器系列

愛普科斯(EPCOS)開發(fā)出緊湊的小型電感器，其高度僅為1.0毫米，占用面積僅2.0×2.0平方毫米。B82466G0*系列的電感范圍介于0.5至22μH，飽和電流最高為1.6A。B82467G0*和B82469G1*系列尺寸分別為2.6×2.8×1.0立方毫米和3.8×3.6×1.2立方毫米，其飽和電流最高為3.0A。

2008-06-01

B82466G0* B82467G0* B82469G1* 電感器

SiA***DJ：Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET

Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。

2008-05-28

SiA408DJ SiA411DJ SiA413DJ SiA414DJ SiA415DJ SiA417DJ SiA419DJ SiA421DJ SiA443DJ SiA511DJ Si功率MOSFET

B1642：EPCOS電纜調(diào)制解調(diào)器用聲表面波濾波器

愛普科斯(EPCOS)現(xiàn)可提供B1642聲表面波（SAW）濾波器，用于接收寬帶電視和接入因特網(wǎng)的電纜調(diào)制解調(diào)器。該產(chǎn)品專門針對國際第三代有線電纜數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)接口規(guī)范（DOCSIS 3.0標(biāo)準(zhǔn)）而研發(fā),這一規(guī)范將主要應(yīng)用在美國和韓國。

2008-05-21

B1642 聲表面波濾波器 SAW濾波器

STC03DE220HV：意法半導(dǎo)體用于三相電源的低功耗ESBT開關(guān)

意法半導(dǎo)體宣布推出STC03DE220HV ESBT（發(fā)射極開關(guān)雙極晶體管）功率開關(guān)，新產(chǎn)品使設(shè)計(jì)工程師能夠提高單相和三相應(yīng)用輔助開關(guān)電源的能效，降低產(chǎn)品的成本、組件數(shù)量和尺寸。

2008-05-21

STC03DE220HV ESBT 發(fā)射極開關(guān)雙極晶體管

MAX4996/MAX4996L：Maxim SDHC和SDIO復(fù)用三路DPDT開關(guān)

Maxim推出三路雙刀雙擲(DPDT)開關(guān)MAX4996/MAX4996L，可切換多路高達(dá)670MHz的高頻信號。器件具有極低的導(dǎo)通電阻(典型值為2.0Ω)、導(dǎo)通電容(典型值為6pF)和功耗(典型值為3μA)，從而能夠?qū)崿F(xiàn)高頻切換。

2008-05-19

MAX4996 MAX4996L 三路雙刀雙擲(DPDT)開關(guān)

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