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電源管理的智能化之路
電源管理技術(shù)作為電氣化時代各行各業(yè)發(fā)展必不可少的一項(xiàng)技術(shù)，是提升終端設(shè)備能效的主要途徑。從系統(tǒng)層面看，電源管理系統(tǒng)讓設(shè)備實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定性、低功耗、高性能，在節(jié)能減排的大趨勢下，這項(xiàng)優(yōu)勢會愈發(fā)突出；從器件層面看，電源管理芯片和模擬芯片等器件負(fù)責(zé)系統(tǒng)中電能的轉(zhuǎn)換、配電、檢測和其他電源...
2022-06-24
電源管理 智能化 TI
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絕緣體上硅（SOI）驅(qū)動芯片技術(shù)優(yōu)勢及產(chǎn)品系列
在之前的技術(shù)文章中，介紹了驅(qū)動芯片的概覽和PN結(jié)隔離(JI)技術(shù)，本文會繼續(xù)介紹英飛凌的絕緣體上硅（SOI）驅(qū)動芯片技術(shù)。
2022-06-23
SOI 驅(qū)動芯片 英飛凌
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安森美被納入標(biāo)普500指數(shù)
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)，在美國時間6月21日開盤交易前被納入標(biāo)普500?指數(shù)。安森美被納入該指數(shù)緊接著公司在2021年的財(cái)政年度收入達(dá)到有史以來最高的67.4億美元，同比增長28.3%，且最近還獲認(rèn)定入榜《財(cái)富》美國500強(qiáng)。
2022-06-22
安森美 ADAS 替代能源
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貿(mào)澤電子授權(quán)分銷豐富多樣的Renesas產(chǎn)品
2022年6月22日 –提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 是Renesas Electronics解決方案的全球授權(quán)分銷商。貿(mào)澤備有4300多種Renesas產(chǎn)品，包括Dialog Semiconductor、Integrated Device Technology (IDT) 和Intersil公司的產(chǎn)品，并提供了一系...
2022-06-22
貿(mào)澤電子 Renesas
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小型化趨勢下，東芝單芯片方案實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比電機(jī)驅(qū)動
隨著人們生活、工作需求的轉(zhuǎn)變，以及半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，電機(jī)的應(yīng)用場景越來越多。比如，實(shí)現(xiàn)家庭自動化的空調(diào)、洗衣機(jī)、冰箱、清潔設(shè)備，實(shí)現(xiàn)辦公自動化的IJP/LBP/MFP打印機(jī)、掃描儀，實(shí)現(xiàn)工業(yè)自動化的ATM機(jī)、自動售貨機(jī)、游樂設(shè)備、監(jiān)控?cái)z像頭、機(jī)器人，各類服務(wù)器風(fēng)扇、鼓風(fēng)機(jī)、通風(fēng)風(fēng)扇、吊扇，...
2022-06-22
東芝 單芯片 電機(jī)驅(qū)動
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TP8312滿足0.9V低電壓工作的一節(jié)兩節(jié)干電池升壓IC解決方案
干電池是一種利用糊狀電解質(zhì)產(chǎn)生直流電的化學(xué)電池(濕電池是一種利用液體電解質(zhì)的化學(xué)電池)，屬于一次電池，在日常生活中應(yīng)用廣泛，便于攜帶。隨著便攜式AV設(shè)備及IT設(shè)備的普及,干電池已成為一種應(yīng)用非常廣泛的可移動能源。正常一節(jié)干電池的電壓最高1.6V左右，放電到最低0.9V終止放電；兩節(jié)干電池串聯(lián)...
2022-06-22
TP8312 同步升壓IC 解決方案
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DC-DC升壓穩(wěn)壓器外圍元器件的選擇與優(yōu)化
在便攜和可穿戴設(shè)備等電池供電的低電壓應(yīng)用中，常有一些功能需要較高的電壓才能工作，例如射頻收發(fā)器、精密模擬電路、白光LED背光驅(qū)動、雪崩光電二極管(APD)的偏置電路等。這就需要采用DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器來向上轉(zhuǎn)換到所需的電壓，讓設(shè)備既節(jié)能又高效的工作。
2022-06-21
DC-DC 升壓穩(wěn)壓器 外圍元器件
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變頻器用IGBT模塊的故障分析及靜態(tài)測量
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速...
2022-06-21
變頻器 IGBT模塊 故障分析
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具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC MOSFET M1H
過去幾年，實(shí)際應(yīng)用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關(guān)注重點(diǎn)。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動態(tài)工作引起的長期應(yīng)力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象，并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內(nèi)的漂移。[1]。
2022-06-21
穩(wěn)定性 CoolSiC MOSFET
- 數(shù)字儀表與模擬儀表：它們有何區(qū)別？
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