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離子電池保護(hù)板均衡功能有什么作用？
鋰電池保護(hù)板均衡原理常用的均衡充電技術(shù)包括恒定分流電阻均衡充電、通斷分流電阻均衡充電、平均電池電壓均衡充電、開關(guān)電容均衡充電、降壓型變換器均衡充電、電感均衡充電等。成組的鋰電池串聯(lián)充電時(shí)，應(yīng)保證每節(jié)電池均衡充電，否則使用過程中會(huì)影響整組電池的性能和壽命。
2021-01-06
離子電池 保護(hù)板
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選擇保障線性穩(wěn)壓器穩(wěn)定度的ESR
輸出穩(wěn)定度對(duì)于任何電源設(shè)計(jì)而言都是一項(xiàng)關(guān)鍵問題。由于線性穩(wěn)壓器簡單易用（多數(shù)線性穩(wěn)壓器只有三個(gè)插腳），所以很容易忘記這一點(diǎn)的重要性。雖然目前具有許多能夠確保輸出穩(wěn)定的技術(shù)，但最簡單且最經(jīng)濟(jì)有效的方案是添加或使用輸出電容器的等效串聯(lián)電阻（ESR）。
2021-01-05
線性穩(wěn)壓器 穩(wěn)定度 ESR
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為你的flyback瘦身，甩掉多余的緩沖器
在過去至少20年間，MOSFET已經(jīng)被選擇為很多開關(guān)模式電源設(shè)計(jì)的開關(guān)器件。由于它們較高的開關(guān)速度和更加簡便的驅(qū)動(dòng)特性，MOSFET已經(jīng)取代了很多應(yīng)用與功率級(jí)中的雙極性結(jié)型晶體管 (BJT)。然而，對(duì)于基于反激式的低功率AC/DC充電器等應(yīng)用，相對(duì)MOSFET，BJT具有某些明顯的優(yōu)勢(shì)。
2021-01-05
flyback 緩沖器 MOSFET 電源設(shè)計(jì)
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貿(mào)澤電子新品推薦：2020年12月
2021年1月5日 – 致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)的業(yè)界知名分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)，首要任務(wù)是提供來自1100多家知名廠商的新產(chǎn)品與技術(shù)，幫助客戶設(shè)計(jì)出先進(jìn)產(chǎn)品，并加快產(chǎn)品上市速度。貿(mào)澤旨在為客戶提供全面認(rèn)證的原廠產(chǎn)品，并提供全方位的制造商可追溯性。
2021-01-05
貿(mào)澤電子 新品 二極管
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救世主GaN來了！第1部分：體二極管反向恢復(fù)
作為電源工程師，我們能夠回憶起第一次接觸到理想化的降壓和升壓功率級(jí)的場(chǎng)景。還記得電壓和電流波形是多么的漂亮和簡單（圖1），以及平均電流的計(jì)算是多么地輕松，并且確定與輸入和輸出相關(guān)的傳遞函數(shù)也輕而易舉？
2021-01-04
GaN 體二極管 反向恢復(fù)
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生成任意量級(jí)的偏置電流網(wǎng)絡(luò)（第二部分）
利用運(yùn)放反饋與基準(zhǔn)電壓生成任意大小的直流電流是一個(gè)簡單、直接的過程。但是，假設(shè)須要生成一些任意數(shù)量（以N為例）的電流沉/源(current sink/source)，而每個(gè)電流沉/源的大小任意，可能須要針對(duì)不同階段的一些復(fù)雜模擬電路進(jìn)行偏置。雖然基準(zhǔn)電壓的生成僅須一次實(shí)施即可，電流沉整個(gè)反饋部分的重...
2021-01-04
任意量級(jí) 偏置電流網(wǎng)絡(luò)
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低壓差線性穩(wěn)壓器如何滿足汽車攝像頭模塊的功率要求
后視攝像頭正在成為車輛的基本安全特性；事實(shí)上，美國國家公路交通安全管理局 (NHTSA) 宣布，2018年5月之后生產(chǎn)的全部汽車必須具有后視技術(shù)。所以在這篇博文中，我將討論一下使用低壓降穩(wěn)壓器 (LDO) 來處理后視攝像頭的功率限制。圖1顯示的是高性能LDO的共同特性。
2021-01-03
低壓差線性穩(wěn)壓器 汽車攝像頭 模塊
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我的LDO怎么了？
熱力學(xué)中常犯的一個(gè)錯(cuò)誤就是選擇和線性穩(wěn)壓器一樣簡易的裝置。當(dāng)設(shè)計(jì)上臺(tái)面后，設(shè)計(jì)師通常會(huì)意識(shí)到自己的錯(cuò)誤。更糟的是，由于穩(wěn)壓器的運(yùn)行溫度超過其額定溫度，這種設(shè)計(jì)在實(shí)際使用中會(huì)發(fā)生故障。憑借新型線性穩(wěn)壓器的新功能和規(guī)格，很容易忽視封裝中消散的功率。
2021-01-03
LDO 旁路元件 控制器
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深入淺出H橋驅(qū)動(dòng)電路
H橋是一個(gè)比較簡單的電路，通常它會(huì)包含四個(gè)獨(dú)立控制的開關(guān)元器件（例如MOS-FET）,它們通常用于驅(qū)動(dòng)電流較大的負(fù)載，比如電機(jī)，至于為什么要叫H橋（H-Bridge），因?yàn)殚L得比較像字母H，具體如下圖所示；
2021-01-03
H橋 驅(qū)動(dòng)電路
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