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SMPD先進絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢
SMPD可用于標準拓撲結構，如降壓、升壓、橋臂(phase-leg)，甚至是定制的組合。它們可用于各種技術產品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二極管、晶閘管、三端雙向可控硅，或定制組合，具有從40V到3000V不同電壓等級。
2023-06-07
SMPD 先進絕緣封裝 SiC MOSFET
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第4代SiC MOS、1700V驅動…意法半導體透露了這些重點
過去一年，產業(yè)領先企業(yè)是如何抓住歷史機遇勇立潮頭？2023年，他們又將如何邁出新時代步伐？為此，行家說三代半、行家極光獎聯(lián)合策劃了《產業(yè)領袖開年說——2023，全力奔跑》專題報道，本期嘉賓是意法半導體亞太區(qū)功率分立和模擬產品部營銷和應用副總裁 Francesco MUGGER。
2023-06-07
SiC MOS 驅動 意法半導體
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尼得科與瑞薩合作開發(fā)新一代電動汽車用電驅系統(tǒng)E-Axle的半導體解決方案
尼得科株式會社（以下簡稱“尼得科”）瑞薩電子株式會社（以下簡稱“瑞薩電子”）已達成共識，將合作開發(fā)應用于新一代E-Axle（X-in-1系統(tǒng)）的半導體解決方案，該新一代E-Axle系統(tǒng)集成了電動汽車（EV）的驅動電機和功率電子器件。
2023-06-06
尼得科 瑞薩 電驅系統(tǒng)
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設計電荷泵雙極電源
關于雙電源的注意事項：毫無疑問，許多模擬電路都可以在單電源環(huán)境中實現(xiàn)，而且這種方法很有優(yōu)勢。然而，我個人的看法是，當使用雙極電源時，模擬電路更直接、更直觀。我是不愿意用不必要的電源電路使設計復雜化的人，但本文介紹的電荷泵電路非常簡單緊湊，它使雙極性電源成為許多模擬和混合信號設...
2023-06-06
電荷泵 雙極電源
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隔離型驅動芯片下面到底能不能走線
首先給出結論：一般我們把隔離驅動芯片的垂直面下方的PCB設為禁止布線層，既不走任何的信號也不放置各類元器件，如圖1所示。然后再討論為什么不能布線，最后介紹例外的應用情況。
2023-06-06
隔離型 驅動芯片 布線
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小心彎曲：為什么不應通過元件腳端彎曲來走捷徑
許多電力工程師都知道如何使用其手工原型獲得可行的成果，但在生產環(huán)境中，我們需要更好地控制腳端彎曲。否則，可能會引起數(shù)不盡的問題。本博客文章討論了獲得可靠結果要避免的錯誤以及應遵循的建議。
2023-06-06
腳端彎曲 電力電子
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相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動和電動汽車的能效和性能？
隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴大的客戶群提供優(yōu)質產品，競爭日益激烈。由于 EV 的電機需要高千瓦時電源來驅動，傳統(tǒng)的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數(shù)量級的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。
2023-06-06
SiC 混動和電動汽車 能效
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X-FAB率先向市場推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案
中國北京，2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強了其在BCD-on-SOI技術領域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應用中對更高數(shù)字集成和處理能力日益增...
2023-06-05
X-FAB BCD-on-SOI 解決方案
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緯湃科技和安森美簽署碳化硅長期供應協(xié)議，共同投資于碳化硅擴產
2023年6月1日 - 緯湃科技（Vitesco Technologies）和安森美（onsemi）今天宣布了一項價值19億美元（17.5億歐元）的碳化硅產品10年期供應協(xié)議，以實現(xiàn)緯湃科技在電氣化技術方面的提升。緯湃科技是國際領先的現(xiàn)代驅動技術和電氣化解決方案制造商，將向安森美提供2.5億美元（2.3億歐元）的投資，用于采...
2023-06-05
緯湃科技 安森美 碳化硅
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