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MOSFET簡化三相逆變器拓?fù)湓O(shè)計
提高效率和節(jié)能是家電應(yīng)用中首要的問題。三相無刷直流電機(jī)因其效率高和尺寸小的優(yōu)勢而被廣泛應(yīng)用在家電設(shè)備中以及很多其他應(yīng)用中。此外,由于采用了電子換向器代替機(jī)械換向裝置,三相無刷直流電機(jī)被認(rèn)為可靠性更高。
2009-08-19
MOSFET STD5NK52ZD
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低壓大電流開關(guān)電源的設(shè)計
在開關(guān)電源中,正激和反激式有著電路拓?fù)浜唵?,輸入輸出電氣隔離等優(yōu)點,廣泛應(yīng)用于中小功率電源變換場合。跟反激式相比,正激式變換器變壓器銅損較低,同時,正激式電路副邊紋波電壓電流衰減比反激式明顯,因此,一般認(rèn)為正激式變換器適用在低壓,大電流,功率較大的場合。
2009-08-19
開關(guān)電源
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IR推出工業(yè)應(yīng)用150V和200V MOSFET
日前,國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET,為開關(guān)模式電源 (SMPS) 、不斷電系統(tǒng) (UPS)、反相器和DC馬達(dá)驅(qū)動器等工業(yè)應(yīng)用提供極低的閘電荷 (Qg)。
2009-08-19
IR HEXFET 功率MOSFET SMPS 電源 工業(yè)應(yīng)用
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可攜電子設(shè)備中的馬達(dá)驅(qū)動器應(yīng)用
馬達(dá)在可攜電子設(shè)備中得到日益廣泛的應(yīng)用。為滿足這些設(shè)備對功耗、控制和空間的需求,馬達(dá)驅(qū)動器要求高效率和高整合度。本文以數(shù)位相機(jī)為例,對這些馬達(dá)驅(qū)動器解決方案的應(yīng)用進(jìn)行了討論
2009-08-18
相機(jī)馬達(dá) 馬達(dá)驅(qū)動 DSC
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新電荷泵方式實現(xiàn)低功耗手機(jī)LCD背光驅(qū)動方案
LCD背光驅(qū)動方案有直接連接電池、電荷泵驅(qū)動器電路和DC/DC升壓開關(guān)調(diào)節(jié)器三種,然而三種方案在效率、成本、PCB占位面積等方面各自存在不同的缺點。本文介紹的可變模式分?jǐn)?shù)電荷泵結(jié)合了這些方案的優(yōu)點,使用開關(guān)調(diào)節(jié)器的電流匹配概念,具有最小器件數(shù)量和低噪聲性能以及高效率,在鋰電池壽命周期中的...
2009-08-18
電荷泵 LCD背光 LED
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SiB4xxDK:Vishay采用熱增強(qiáng)PowerPAK SC-75封裝的N溝道功率MOSFET
日前,Vishay 宣布,推出采用熱增強(qiáng)PowerPAK SC-75封裝、提供8V~30V VDS的功率MOSFET,擴(kuò)大了N溝道TrenchFET家族的陣容。今天發(fā)布的器件包括業(yè)界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件,以及具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的20V MOSFET。
2009-08-18
MOSFET 負(fù)載 功放 便攜電子 Vishay
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第四講 利用Boost和Buck-Boost實現(xiàn)LED驅(qū)動
不管我們是否要控制輸出電壓或輸出電流,Boost調(diào)節(jié)器都要比Buck調(diào)節(jié)器更難設(shè)計。持續(xù)導(dǎo)通狀態(tài)(CCM)Boost轉(zhuǎn)換器中的平均感應(yīng)電流等于負(fù)載電流(LED電流)乘以1/(1-D),這里D是占空度。Boost電壓調(diào)節(jié)器需要設(shè)計者考慮到輸入電壓的限制來保證電感的正確設(shè)計,特別是額定峰值電流。
2009-08-17
LED驅(qū)動 Boost Buck-Boost
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EPCOS新增交流系統(tǒng)應(yīng)用薄膜電容器
愛普科斯在中國的合資企業(yè)“愛普科斯飛達(dá)”擴(kuò)展了愛普科斯應(yīng)用于交流系統(tǒng)中的薄膜電容器的產(chǎn)品種類。這些產(chǎn)品可用作電機(jī)啟動或電機(jī)運行電容器,特別適用于小家電、空調(diào)系統(tǒng)、壓縮機(jī)、泵類和其它驅(qū)動裝置中的單相異步電動機(jī)。
2009-08-17
EPCOS 愛普科斯 交流系統(tǒng) 薄膜電容器
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Si4628DY :Vishay新款低導(dǎo)通電阻單片MOSFET和肖特基SkyFET產(chǎn)品
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出使用該公司最新TrenchFET技術(shù)的第一款單片MOSFET和肖特基SkyFET產(chǎn)品 --- Si4628DY。通過第三代TrenchFET硅技術(shù),Si4628DY提供了在SO-8封裝的同類產(chǎn)品中前所未有的最低導(dǎo)通電阻,在10V和4.5V柵極驅(qū)動電壓下的最大RDS(on)只有3mΩ...
2009-08-14
肖特基二極管 MOSFET Si4628DY 筆記本電腦 服務(wù)器
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