現(xiàn)代雷達(dá)系統(tǒng)配置為多頻段雷達(dá)，可在各種環(huán)境和目標(biāo)條件下使用多個頻段來解析復(fù)雜的情景。這些系統(tǒng)可提供無與倫比的性能水平，并且能夠檢測和跟蹤敵對目標(biāo)。例如，雙頻段雷達(dá) (DBR) 是美國海軍艦隊(duì)使用的第一款能夠同時操作兩個頻段（S/X 頻段）的雷達(dá)系統(tǒng)，由單個資源管理器進(jìn)行協(xié)調(diào) [1]。S 頻段信號不易受惡劣天氣和大氣衰減的影響。另一方面，X 頻段通常用于高分辨率的目標(biāo)成像應(yīng)用。目前大多數(shù)功率放大器 (PA) 都不適合多頻段雷達(dá)系統(tǒng)，因?yàn)樗璧念l段相距太遠(yuǎn)，且各個 PA 都在每個目標(biāo)頻段上進(jìn)行了優(yōu)化。有幾種方法可通過在各個 PA MMIC 之間切換來實(shí)現(xiàn)寬帶或多頻段特性。這些方法使用覆蓋兩個頻段的寬帶非均勻分布式 PA (NDPA) 或雙通帶功率放大器設(shè)計。

 

與寬帶放大器相比，可重新配置 PA 的優(yōu)勢更明顯。在寬帶放大器設(shè)計中，負(fù)載阻抗通常設(shè)計為低于最佳負(fù)載目標(biāo)值，以實(shí)現(xiàn)高輸出網(wǎng)絡(luò)帶寬。寬帶放大器降低了輸出功率和功率附加效率 (PAE)。因此，合成最佳負(fù)載阻抗的能力是可重新配置 PA 設(shè)計的關(guān)鍵。這最終能夠增加放大器場效應(yīng)晶體管 (FET) 外圍，從而在熱限制范圍內(nèi)最大限度地提高輸出功率。這些設(shè)計原理已在 Qorvo 的新產(chǎn)品 QPA0007** 中得以實(shí)現(xiàn)。QPA0007 是一款可重新配置的 30 W S/X 頻段功率放大器，采用了 Qorvo 150 nm 柵極長度 GaN HEMT 工藝技術(shù) (QGanN15)?？芍匦屡渲梅糯笃髋c寬帶和傳統(tǒng)多頻段方法之間的比較如圖 1 中所示。

 

圖 1：多頻段功率放大器前端比較

 

工藝和封裝技術(shù)

 

Qorvo 的 QGaN15 工藝技術(shù)非常適用于 X 頻段的高功率 PA 設(shè)計。它采用具有高柵漏擊穿電壓的快速晶體管，非常適合大功率應(yīng)用。QGaN15 提供針對不同電路應(yīng)用的多個工藝選項(xiàng)。對于 QPA0007，采用了一種專利工藝技術(shù)來提高設(shè)備和電路性能。頂部金屬層支持使用更窄的輸出匹配走線，從而在保持金屬電流密度設(shè)計規(guī)則的同時顯著減少物理面積。輸出網(wǎng)絡(luò)損耗對金屬厚度不是很敏感。在 X 頻段下，使用鈍化層會降低電路性能，但支持使用經(jīng)濟(jì)高效的封裝。在芯片上使用鈍化層的第二個好處是，與只使用無鈍化層的超模壓制封裝相比，它有助于提高 FET 和無源網(wǎng)絡(luò)建模精度。使用成本更高的氣腔封裝可消除鈍化層，從而實(shí)現(xiàn)更高的電路性能。

 

QPA0007 采用經(jīng)濟(jì)高效的超模壓制式 7mm x 6mm 電鍍散熱器 (PHS) 封裝技術(shù)。PHS 封裝非常有利于靈活設(shè)計，為設(shè)計人員提供了良好的片下散熱路徑，適用于中等輸出功率的設(shè)備。各種輸入和輸出連接以及比較大的焊盤間距可實(shí)現(xiàn)較高的 PCB 附件成品率。在評估板上 (EVB)，可從頂部或底部連接控制引腳以及柵極引腳。為實(shí)現(xiàn)漏極連接的可靠性，需從兩側(cè)進(jìn)行連接。QPA0007 封裝引腳分配和尺寸，以及評估板如圖 2 所示。

 

Figure 2: QPA0007 PHS package and evaluation board

 

電路設(shè)計

 

從根本上說，QPA0007 就是一款兩級無功匹配的功率放大器。頻段切換由片上電平位移器控制的可切換電容和電感實(shí)現(xiàn)，該電平位移器可調(diào)整開關(guān) FET 偏置電平。每個網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計都旨在保持各頻段的最佳負(fù)載。與頻段特定的設(shè)計相比，這只需要進(jìn)行較小的權(quán)衡。輸出網(wǎng)絡(luò)損耗是其中一個關(guān)鍵的設(shè)計參數(shù)，且受開關(guān)損耗的影響。幸運(yùn)的是，與在 PA 輸出處使用單獨(dú)的頻段選擇開關(guān)相比，這些開關(guān)損耗比較小。無論是從整體損耗角度來看，還是從復(fù)雜性和大小角度來看，調(diào)諧開關(guān)數(shù)量都達(dá)到最低。通常，為實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗，開關(guān)外圍往往會變大，因此關(guān)斷電容會比較高。關(guān)斷電容在確保開關(guān)元件的有效性方面發(fā)揮著重要作用。這限制了可切換并聯(lián)電容在輸出網(wǎng)絡(luò)中的可用性。通常情況下，S 頻段的調(diào)諧電感要比 X 頻段大得多。在信號路徑中，使用串聯(lián)開關(guān)來調(diào)諧串聯(lián)電感意義不大，因?yàn)闀a(chǎn)生額外的開關(guān)損耗，應(yīng)在實(shí)現(xiàn)接近最佳負(fù)載目標(biāo)值方面做出適當(dāng)妥協(xié)。

 

級間匹配網(wǎng)絡(luò)與輸出網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計環(huán)境不同。級間匹配網(wǎng)絡(luò)受到帶寬和空間的限制，而不是損耗的限制。因此，可在多個位置使用較小的開關(guān)，以實(shí)現(xiàn)最佳負(fù)載目標(biāo)值。

 

比較輸出和級間網(wǎng)絡(luò)時，輸入網(wǎng)絡(luò)的損耗要求比較寬松，且擁有更多的開關(guān)和控制信號空間，所以具有最大的靈活性。輸入網(wǎng)絡(luò)和級間網(wǎng)絡(luò)對放大器的穩(wěn)定性能都具有一定的影響。增加額外損耗可確保在各種工作條件下的穩(wěn)定性，尤其是極寒條件下。調(diào)諧電容和 FET 端子設(shè)計能夠在最大輸入驅(qū)動條件下承受較高的電壓常駐波形無線電 (VSWR) 負(fù)載條件，以避免擊穿。

 

最后，整體設(shè)計挑戰(zhàn)是在不破壞 X 頻段增益的同時限制 S 頻段小信號增益。較低頻率 FET 性能有助于提高 S 頻段性能，但在不降低 X 頻段性能的情況下擴(kuò)展低端帶寬的挑戰(zhàn)會限制 S 頻段性能。即使采用可切換調(diào)諧元件，這也極具挑戰(zhàn)性。

 

性能

 

QPA0007 經(jīng)過調(diào)諧可覆蓋 S 頻段 3.1-3.5 GHz 和 X 頻段 9-11 GHz。這兩個頻段切換信號互補(bǔ)，S 頻段為 0 V 和 -10 V，X 頻段為 -10 V 和 0 V?？刂菩盘枙?dǎo)致 5 mA 的拉電流或灌電流，取決于頻段選擇。

 

在不低于 26V 的條件下，QPA0007 的靜態(tài)偏置電流為 700 mA。由于輸入功率會迫使漏極電流上升，輸出功率和 PAE 完全不受靜態(tài)偏置電流的影響。因此，可以根據(jù)其他性能參數(shù)（如小信號增益和切換時間）來設(shè)置靜態(tài)偏置電流。

 

所有報告的測量結(jié)果都是從生產(chǎn) EVB 那里獲得，并使用 QPA0007 輸入和輸出引腳進(jìn)行了校準(zhǔn)。在 25℃ 條件下，測得的 S 頻段小信號增益為 27 dB，X 頻段小信號增益為 23 dB。這種小信號增益差反映了 FET 在整個頻段中的性能變化。S 頻段的輸入回波損耗高于 20 dB，而 X 頻段則為 10 dB。測得的 S 參數(shù)如圖 3 所示。

 

圖 3：QPA0007 S/X 頻段 S 參數(shù)

 

在 S 頻段下，QPA0007 的輸出功率為 45 dBm，PAE 為 48%。最佳工作點(diǎn)的大信號增益為 21 dB，電流消耗為 2.6 A。在 X 頻段下，輸出功率為 44.5 dBm，PAE 為 32%。大信號增益為 18.5 dB，電流消耗為 3.6 A。這些結(jié)果是在漏極脈沖為 100 µs/1 ms 條件下測得的。圖 4 為S/X 頻段大信號性能曲線

 

圖 4：S/X 頻段輸出功率和 PAE

 

諧波是在 50 Ω 負(fù)載下測得的。S 頻段的第二諧波低于 -25 dBc，第三諧波為 -25 dBc。X 頻段的第二和第三諧波分別為 -35 dBc 和 -55 dBc。

 

QPA0007 的小信號和驅(qū)動穩(wěn)定性已在 -40℃、VSWR 為 10:1 的負(fù)載條件下進(jìn)行了測試。設(shè)備可靠性已在 85℃、VSWR 為 3:1 的負(fù)載條件下使用極端輸入驅(qū)動進(jìn)行了測試，結(jié)果無任何性能下降。

 

切換時間可分為兩類：射頻信號打開時無頻段切換和頻段切換的同時射頻打開。在實(shí)際應(yīng)用中，可能不需要在頻段切換的同時打開射頻，但這可以說明設(shè)備的能力。頻段范圍內(nèi)的切換時間不到 100 ns。頻段切換的同時打開射頻的時間不到 1 µs。在兩種使用條件下，射頻關(guān)斷幾乎都是瞬間完成。

 

在 100 µs 脈沖寬度和 1 ms 脈沖周期期間，S 頻段下的功耗為 40 W，而 X 頻段下為 70 W?？赏ㄟ^使用漏極脈沖或射頻脈沖來實(shí)現(xiàn)脈沖。在 85℃ 基板溫度條件下，這種脈沖特性可將設(shè)備結(jié)溫保持在低于長期穩(wěn)定性限值。完成了綜合熱分析，以驗(yàn)證基于測量數(shù)據(jù)的熱分析結(jié)論。QPA0007 完全符合 MSL 3 和 HBM 250V 額定生產(chǎn)要求。表 1 總結(jié)了測得的 EVB 結(jié)果。

 

表 1：QPA0007 測量的數(shù)據(jù)性能摘要

 

總結(jié)

 

與傳統(tǒng)的頻段切換功率放大器前端相比，本文所展示的可重新配置的多頻段功率放大器方法具有明顯優(yōu)勢。Qorvo 的 QPA0007 采用了專利技術(shù)，是業(yè)界首款使用同一設(shè)備在 S/X 頻段下都能改進(jìn)輸出功率和效率性能的產(chǎn)品。此外，QPA0007 可為客戶提供外形尺寸具有競爭力的高性價比大規(guī)模封裝。

 

*《微波產(chǎn)品摘要》

https://www.mpdigest.com/2021/05/21/revolutionizing-radar-design-with-electronically-reconfigurable-gan-power-amplifiers/

** QPA0007

https://www.qorvo.com/products/p/QPA0007

 

致謝

 

作者感謝 Terry Hon、Paul Prudhomme、Gregory Clark、Sujo Vegus、Gary Petree 和 Reilly Martinez 的個人貢獻(xiàn)和出色支持。

 

參考文獻(xiàn)：

 

[1] https://www.raytheon.com/capabilities/products/dbr

[2] Campbell, C. F. 等人《可采用電子方式重新配置的匹配網(wǎng)絡(luò)》美國專利 10,164,587，于 2018 年 12 月 25 日發(fā)表。

[3] Campbell, C. F.、Kobayashi, K. W. 和 Lee, C.《可重新配置的 S/X 頻段 25W GaN 功率放大器 MMIC》，2019 年 GOMAC-Tech。

[4] http://imapsne.org/virtualCDs/2019/2019%20Presentations/C/C2.pdf

 

 

免責(zé)聲明：本文為轉(zhuǎn)載文章，轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題，請聯(lián)系小編進(jìn)行處理。

 

推薦閱讀：